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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT40A8G4BAF-062E：b	-	RFQ	5484	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（10.5x11）	-				557-MT40A8G4BAF-062E：b	过时的	8542.32.0071	168	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	8g x 4	平行线	-
24LC02BH-E/MS	0.4350	RFQ	3224	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC02BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
AS6C1008-55Pintr	3.0208	RFQ	9990	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	32-PDIP	下载		（1 （无限）		1450-AS6C1008-55Pintr			1,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IDT70824L20PF	-	RFQ	6056	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	IDT70824	萨拉姆	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70824L20PF	Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	64kbit	20 ns	内存	4K x 16	平行线	20NS
AS7C31026B-20TIN	4.5800	RFQ	135	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS7C31026B-20TIN	3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
MT53E768M64D4HJ-046 AIT：c tr	58.2150	RFQ	4412	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件			557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
S29GL128S10TFB023	4.8311	RFQ	1206	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件		到达不受影响				1,000		非易失性	128mbit	100 ns	闪光	16m x 8	CFI	60ns
CY62256VL-70SNC	1.8900	RFQ	256	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY62256	sram-异步	2.7V〜3.6V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
CY62128BNLL-70ZXA	1.2400	RFQ	589	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	243		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS	未行业行业经验证
IS43LR32320C-6BLI	8.7116	RFQ	9083	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32320C-6BLI			240	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
W25N02JWSFIF TR	4.9664	RFQ	4501	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N02JWSFIFTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	2Gbit	6 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	700µs
W25N512GVFIG TR	1.9694	RFQ	7270	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N512	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GVFIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	512Mbit	6 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
S25FL128SAGNFA003	5.1500	RFQ	3311	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT53E512M32D2NP-053 RS WT：G TR：	-	RFQ	6469	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	200-WFBGA				200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：GTR	过时的		2,000
MT53E1536M32D4DE-046 WT：b	36.0000	RFQ	4958	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046WT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
CG6306BF	-	RFQ	4736	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
CG9023AT	33.0400	RFQ	5086	Infineon技术	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件						105
S26HS02GTFPBHB040	48.4050	RFQ	5229	Infineon技术	Semper™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	1.7V〜2V	24-fbga（8x8）	下载		3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	520	166 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	超肥	-
24c16/sl	2.8600	RFQ	2	微芯片技术	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24c16	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	16kbit	3.5 µs	EEPROM	2k x 8	i²c	1ms
IDT71024S12TYI	-	RFQ	2679	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71024S12TYI	3A991B2B	8542.32.0041	23		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
25AA040AT-I/MC	0.6900	RFQ	9581	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	25AA040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
CY62147GE30-45ZSXI	6.5100	RFQ	2008	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62147	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,350		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IDT71V65802S133BQI8	-	RFQ	2271	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V65802	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65802S133BQI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
6116SA25SOG	5.2200	RFQ	159	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
24AA02H-i/s16k	-	RFQ	9326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA02	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT41J512M4HX-15E：d	-	RFQ	1944年	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J512M4	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 4	平行线	-
MT38M5041A3034EZZI.xr6	-	RFQ	4105	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT38M5041	flash-也不，psram	1.7V〜1.95V	56-VFBGA（8x8）	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,560	133 MHz	非易失性，挥发性	512mbit（Flash），128mbit（ram）		闪光，ram	32m x 16,8m x 16	平行线	-
IS43R86400F-5TL-Tr	3.2532	RFQ	7255	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43R86400F-5TL-Tr			1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	sstl_2	15ns
CG7703AA	90.3980	RFQ	8463	Infineon技术	-	托盘	积极的				CG7703				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-CG7703Aainactive	3A991B2A	8542.32.0041	272
CG7969AAT	-	RFQ	3144	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²