内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
CAT34C02HU4I-GTK	0.1800	询价	52	onsemi	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CAT34C02HU4I-GTK-488			1
AS4C4M16S-6BINTR	-	询价	8192	联盟内存公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	54-TFBGA	AS4C4M16	内存	3V～3.6V	54-TFBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0002	1,000	166兆赫	易挥发的	64兆比特	5.4纳秒	动态随机存取存储器	4M×16	平行线	2纳秒
W29N02KZBIBF TR	-	询价	7143	华邦电子	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	63-VFBGA	W29N02	附件 - NAND (SLC)	1.7V～1.95V	63-VFBGA (9x11)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W29N02KZBIBFTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500人		非活跃性	2Gbit	22纳秒	闪光	256M×8	平行线	25纳秒
PC28F640P33BF60A	5.6300	询价	2	联盟内存公司	Axcell™	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	64-TBGA	PC28F640	或-NOR	1.7V～2V	64-EasyBGA (10x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1450-PC28F640P33BF60A	3A991B1A	8542.32.0071	300	52兆赫	非活跃性	64兆比特	60纳秒	闪光	4M×16	平行线	60纳秒
S25FL128SDPMFIG00	17.6000	询价	4	赛普拉斯半导体公司	FL-S	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	S25FL128	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	不适用	供应商未定义	2832-S25FL128SDPMFIG00	3A991B1A	8542.32.0050	29	66兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI——四路I/O	-	未验证
CY7C1069AV33-10ZXC	-	询价	4578	英飞凌科技	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1069	SRAM - 异步	3V～3.6V	54-TSOP II	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	108		易挥发的	16兆比特	10纳秒	静态随机存储器	2M×8	平行线	10纳秒
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA	-	询价	5424	美光科技公司	-	大部分	过时的	-25°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	121-WFBGA	MT66R7072	PCM-LPDDR2、MCP-LPDDR2	1.14V～1.95V	121-VFBGA (11x10)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8542.32.0024	1,000	166兆赫	非活跃性	1Gbit(PCM)、512Mbit(MCP)		内存	128M×8（PCM）、64M×8（MCP）	平行线	-
7130LA25PF8	-	询价	9453	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	64-LQFP	7130LA	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	64-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	750		易挥发的	8Kbit	25纳秒	静态随机存储器	1K×8	平行线	25纳秒
S29GL032N90FFI032	1.2700	询价	7585	赛普拉斯半导体公司	GL-N	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LBGA	S29GL032	或-NOR	2.7V~3.6V	64-FBGA (13x11)	下载	符合ROHS3标准			2832-S29GL032N90FFI032-TR			197		非活跃性	32兆比特	90纳秒	闪光	4M×8、2M×16	平行线	90纳秒	未验证
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B	26.1150	询价	8555	美光科技公司	-	大部分	的积极	-25°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	376-WFBGA	MT53E512	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.06V～1.17V	376-WFBGA (14x14)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	557-MT53E512M64D2NZ-46WT:B			1,190 人	2.133GHz	易挥发的	32Gbit	3.5纳秒	动态随机存取存储器	512米×64	平行线	18纳秒
DS2433X-300-EC+	-	询价	3404	ADI/Maxim 集成	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	6-XBGA、FCBGA	DS2433	EEPROM	-	6-倒装芯片 (2.82x2.54)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	1		非活跃性	4Kbit	2微秒	EEPROM	256×16	1-Wire®	-
5962-9166205MYA	-	询价	9481	瑞萨电子美国公司	-	管子	最后一次购买	-55℃～125℃（TA）	表面贴装	84-薄纸包装		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	84-FPACK	-				800-5962-9166205MYA			1		易挥发的	64Kbit	45纳秒	静态随机存储器	4K×16	平行线	45纳秒
SM671PED-AFSS	-	询价	1368	慧荣科技	铁-UFS™	托盘	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	153-TFBGA	SM671	边框 - NAND (SLC)、边框 - NAND (TLC)	-	153-BGA (11.5x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1984-SM671PED-AFSS			1		非活跃性	320Gbit		闪光	40G×8	UFS2.1	-
MR25H128APDF	7.0792	询价	8788	Everspin技术公司	-	托盘	的积极				MR25H128				-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	第570章
M87C257-15C1	-	询价	6326	意法半导体	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	32-LCC（J导联）	M87C257	EPROM-OTP	4.5V～5.5V	32-PLCC (11.43x13.97)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0061	32		非活跃性	256Kbit	150纳秒	EPROM	32K×8	平行线	-
CY7C195-35VC	3.8400	询价	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	24-BSOJ（0.300英寸，7.62毫米宽）	CY7C195	SRAM - 异步	4.5V～5.5V	24-SOJ	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	256Kbit	35纳秒	静态随机存储器	64K×4	平行线	35纳秒
CAT24C32WE-GT3	-	询价	4500	onsemi	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CAT24C32	EEPROM	1.7V～5.5V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	1	1兆赫	非活跃性	32Kbit	400纳秒	EEPROM	4K×8	I²C	5毫秒
EM064LXQADG13CS1T	42.0000	询价	1037	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	0℃～70℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MRAM（磁阻RAM）	1.65V～2V	8-DFN (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM064LXQADG13CS1T	EAR99	8542.32.0071	290	200兆赫	非活跃性	64兆比特		内存	8M×8	SPI-八路I/O	-
5962-8700214UA	-	询价	6083	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	表面贴装	48-LCC	5962-8700214	SRAM - 双端口，同步	4.5V～5.5V	48-LCC (14.22x14.22)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	800-5962-8700214UA	过时的		34		易挥发的	16Kbit	90纳秒	静态随机存储器	2K×8	平行线	90纳秒
LE25S161CA-Z1	-	询价	1938年	onsemi	-	大部分	的积极	-40°C ~ 90°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LE25S161	闪光	1.65V～1.95V	8-VSOIC	-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	488-LE25S161CA-Z1			1	70兆赫	非活跃性	16兆比特	8纳秒	闪光	2M×8	SPI	700微秒
MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F	2.9984	询价	3809	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	63-VFBGA	MT29F1G16	附件 - NAND (SLC)	1.7V～1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F		8542.32.0071	210		非活跃性	1Gbit		闪光	64米×16	平行线	-
CY62168DV30L-70BVI	-	询价	4869	赛普拉斯半导体公司	MoBL®	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-VFBGA	CY62168	SRAM - 异步	2.2V～3.6V	48-VFBGA (8x9.5)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	16兆比特	70纳秒	静态随机存储器	2M×8	平行线	70纳秒
S25HL02GTFABHV153	21.9375	询价	6104	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-S25HL02GTFABHV153TR			2,000
CY14MB064Q2A-SXQ	-	询价	8525	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CY14MB064	NVSRAM（非易失性SRAM）	2.7V~3.6V	8-SOIC	下载							57	40兆赫	非活跃性	64Kbit		非静态随机仓库	8K×8	SPI	-	未验证
71V424L15YG	-	询价	4485	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	36-BSOJ（0.400英寸，10.16毫米宽）	71V424	SRAM - 异步	3V～3.6V	36-SOJ	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	20		易挥发的	4兆比特	15纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	15纳秒
STK22C48-SF45I	-	询价	5945	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.342英寸，8.69毫米宽）	STK22C48	NVSRAM（非易失性SRAM）	4.5V～5.5V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	25		非活跃性	16Kbit	45纳秒	非静态随机仓库	2K×8	平行线	45纳秒
HN58X25128BTI#S0	11.9500	询价	120	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	2,500人
MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2	2.8659	询价	3814	加贺飞美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MB85RS256	FRAM（铁电RAM）	1.8V~3.6V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		865-MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2TR	EAR99	8542.32.0071	1,500人	33兆赫	非活跃性	256Kbit	13纳秒	铁电存储器	32K×8	SPI	-
R1RW0416DSB-0PR#D1	6.2000	询价	7154	瑞萨电子美国公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）		SRAM - 异步	3V～3.6V	44-TSOP II	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		559-R1RW0416DSB-0PR#D1			135		易挥发的	4兆比特	10纳秒	静态随机存储器	256K×16	平行线	10纳秒
A8547957-C	81.7500	询价	6331	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-A8547957-C	EAR99	8473.30.5100	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²