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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
GD25B256FIRR	2.4461	RFQ	8258	gigadevice 半导体（香）	GD25B	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	下载				1970-GD25B256FIRRTR			1,000		非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
S25HL01GTFABHB033	20.3175	RFQ	2403	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-fbga（8x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
AS4C256M16D4A-62BCN	8.9500	RFQ	198	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C256M16D4A-62BCN			198	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L	2.8800	RFQ	3986	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F1G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L			1		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	-	-
AT27C512R-45RU	-	RFQ	3752	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	AT27C512	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B1B2	8542.32.0061	26		非易失性	512kbit	45 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
CY62256VNLL-70ZXA	2.5700	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY62256	sram-异步	2.7V〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	117		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS	未行业行业经验证
CY15V104QSN-108SXI	27.8600	RFQ	470	Infineon技术	Excelon™-ULTRA，F-RAM™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	CY15V104	fram （铁电 ram）	1.71V〜1.89V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1B2	8542.32.0071	470	108 MHz	非易失性	4Mbit		框架	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
S26KS128SDGBHN030	7.2520	RFQ	3661	Infineon技术	HyperFlash™KS	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-vbga	S26KS128	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	1,690	133 MHz	非易失性	128mbit	96 ns	闪光	16m x 8	平行线	-
IS61VPD51236A-250B3	-	RFQ	5772	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPD51236	sram-四边形端口，同步	2.375V〜2.625V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
ER2810小时	20.8400	RFQ	1	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
CY62128DV30LL-70ZAIT	0.9900	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62128	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-tsop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
MX77U51250FZ4I42	6.8475	RFQ	2203	大元	-	托盘	积极的								-		3（168））		1092-MX77U51250FZ4I42			480
STK12C68-SF45ITR	-	RFQ	4471	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK12C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	64kbit	45 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	45ns
IS43LD32128B-18BPL-Tr	-	RFQ	3899	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128B-18BPL-TR	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
R1EX24004ASAS0I ＃S0	1.3371	RFQ	9435	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	R1EX24004	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
CY7C1425JV18-250BZI	-	RFQ	5255	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1425	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	4m x 9	平行线	-
MB85AS8MTPW-G-KBBERE1	-	RFQ	4595	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	11-XFBGA，WLBGA	MB85AS8	重新兰（电阻（公羊）	1.6V〜3.6V	11-WLP （2.07x2.88）	-	rohs3符合条件	3（168））		865-MB85AS8MTPW-G-KBBERE1TR	Ear99	8542.32.0071	10,000	10 MHz	非易失性	8mbit	35 ns	内存	1m x 8	spi	10ms
7016S35J8	-	RFQ	1689年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7016S35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	144kbit	35 ns	SRAM	16k x 9	平行线	35ns
70V06S12J8	-	RFQ	4106	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	68-PLCC （24.21x24.21）	-				800-70V06S12J8TR			1		易挥发的	128kbit	12 ns	SRAM	16k x 8	平行线	12ns
CY7C0831AV-133AXI	-	RFQ	4003	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	120-LQFP	CY7C0831	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	120-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	90	133 MHz	易挥发的	2Mbit		SRAM	128K x 18	平行线	-
PC48F4400P0VB02F TR	-	RFQ	6250	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-LBGA	PC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
MT53B384M32D2DS-062 AIT：b	-	RFQ	2066	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
GD25Q80CTIGR	0.6100	RFQ	30	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	GD25Q80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	120 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
M29W640GB70ZA6E	-	RFQ	2417	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M29W640GB70ZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	187		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
M29W040B70N6E	-	RFQ	3998	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	M29W040	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	32-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
MT28EW128ABA1LPN-0SIT TR	-	RFQ	9999	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT28EW128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-VFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	128mbit	95 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	60ns
MX25U1633FM1I	0.7500	RFQ	7	大元	MXSMIO™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MX25U1633	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	80 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	100µs，4ms
CY62136VNLL-70ZSXA	4.9100	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62136	sram-异步	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	62		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS	未行业行业经验证
W97BH2MBVA2E TR	5.6100	RFQ	2309	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	W97BH2	sdram- lpddr2 -s4b	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W97BH2MBVA2ETR	Ear99	8542.32.0036	3,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	HSUL_12	15ns
W25Q128JVEAM	-	RFQ	5731	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128JVEAM			1	133 MHz	非易失性	128mbit	6 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²