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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
LE25U40PCMC-AH	-	RFQ	8504	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LE25U40	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC/SOPJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	30 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	5ms
25LC010AT-I/MC	0.6300	RFQ	7130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	25LC010	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	10 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
GS8128018GT-333I	277.5900	RFQ	10	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	100-LQFP	GS8128018	sram-同步，标准	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	100-TQFP（20x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8128018GT-333I	Ear99	8542.32.0041	15	333 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-
M95512-RCS6TP/k	-	RFQ	4793	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，WLCSP	M95512	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-wlcsp	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	16 MHz	非易失性	512kbit		EEPROM	64k x 8	spi	5ms
70V06S35J	-	RFQ	1218	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	68-LCC（j-lead）	70v06	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	16k x 8	平行线	35ns
S29GL01GS11FHB023	-	RFQ	3922	跨度	GL-S	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
mtfc32gltdm-wt	-	RFQ	4998	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
47L04T-E/SN	0.8400	RFQ	1110	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	47L04	Eeprom，Sram	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	1 MHz	非易失性	4Kbit	400 ns	埃拉姆	512 x 8	i²c	1ms
MT42L16M32D1AC-25 FAAT：a	-	RFQ	1618年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	MT42L16M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
S-25C040A0I-T8T1G	0.4202	RFQ	4332	Ablic Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	S-25C040	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.32.0051	3,000	5 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	4ms
70V7519S133BC8	215.1127	RFQ	3570	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	256-LBGA	70v7519	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W972GG8KB-25	-	RFQ	6559	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	W972GG8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-WBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	189	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
S29GL256S10DHSS20	6.9825	RFQ	8741	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,600		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
70v9269l12prf	-	RFQ	2387	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	128-LQFP	70v9269	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	128-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	-
SST39WF400A-90-4I-ZKE	-	RFQ	2402	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	SST39WF400	闪光	1.65V〜1.95V	48-CSP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	10,000		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	256K x 16	平行线	40µs
N25Q016A11ESC40F TR	-	RFQ	4655	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q016A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	16mbit		闪光	4m x 4	spi	8ms，1ms
NM24C04UFVN	0.4100	RFQ	9460	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NM24C04	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	10ms
W972GG8JB-18	-	RFQ	5503	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	W972GG8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-WBGA（11x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	189	533 MHz	易挥发的	2Gbit	350 PS	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT47H64M16NF-25E XIT：m	-	RFQ	7640	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
CY7C1520LV18-250BZC	-	RFQ	2848	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-LBGA	CY7C1520	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
70V3379S4BCG	108.4075	RFQ	3676	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	256-LBGA	70v3379	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	6		易挥发的	576kbit	4.2 ns	SRAM	32K x 18	平行线	-
IDT71V3558S100PF	-	RFQ	3376	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3558S100PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
CAV25256VE-GT3	1.3600	RFQ	9651	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAV25256	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
CY7C1020CV33-10ZCT	-	RFQ	7802	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1020	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	512kbit	10 ns	SRAM	32k x 16	平行线	10NS
AT45DB081D-SSU-SL955	-	RFQ	3733	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB081	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0071	4,000	66 MHz	非易失性	8mbit		闪光	256字节x 4096页	spi	4ms
MEM-DR440L-CL01-ER24-C	80.0000	RFQ	5014	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR440L-CL01-ER24-C	Ear99	8473.30.5100	1
SMV512K32HFG	-	RFQ	3104	Texas Instruments	-	托盘	过时的	-55°C〜125°C（TC）	表面安装	76-CBQFP碰撞	SMV512	SRAM	1.7v〜3.6V	76-CFP （45.72x51.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	8542.32.0041	1		易挥发的	16mbit	20 ns	SRAM	512K x 32	平行线	20NS
mtfc128gaoanam-wt	-	RFQ	4761	微米技术公司	-	盒子	过时的				MTFC128				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520
71321LA55PFI8	-	RFQ	5718	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71321LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
emfp112a3pb-dv-fr tr	-	RFQ	7712	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²