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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
24LC08BT-I/MS16KVAO	-	RFQ	2936	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
SST26VF016BT-104I/SM70SVAO	-	RFQ	7561	微芯片技术	汽车，AEC-Q100，SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	SST26VF016	闪光	2.7V〜3.6V	8-soij	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,100	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
CY14B512Q1A-SXIT	-	RFQ	9058	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14B512	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500	40 MHz	非易失性	512kbit		NVSRAM	64k x 8	spi	-
W25X20CLSVIG TR	-	RFQ	1789年	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25x20	闪光	2.3v〜3.6V	8-VSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	5,000	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	800µs
MT29F128G08CFAABWP-12：a tr	-	RFQ	8149	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
5962-8700201UA	-	RFQ	4281	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	5962-8700201	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8700201UA	过时的		34		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
AT24C32D-MAHM-T	0.4400	RFQ	7602	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT24C32	EEPROM	1.7V〜5.5V	8（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	32kbit	550 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
IS42RM32400H-6BLI-TR	4.4454	RFQ	7358	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32400	sdram-移动	2.3v〜2.7V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
LE25U40PCMC-AH	-	RFQ	8504	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LE25U40	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC/SOPJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	30 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	5ms
70v9199l7pfi	-	RFQ	4760	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9199	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	Rohs不合规	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	90		易挥发的	1.125Mbit	7 ns	SRAM	128K x 9	平行线	-
M95512-RCS6TP/k	-	RFQ	4793	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，WLCSP	M95512	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-wlcsp	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	16 MHz	非易失性	512kbit		EEPROM	64k x 8	spi	5ms
AT28C256E-15PI	-	RFQ	3370	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	AT28C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT28C256E15PI	Ear99	8542.32.0051	14		非易失性	256kbit	150 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
71321LA55PFI8	-	RFQ	5718	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71321LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
93LC86C-I/S15K	-	RFQ	5580	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8，1k x 16	微线	5ms
IS62WV5128EALL-55BLI-TR	-	RFQ	2031	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS62WV5128	sram-异步	1.65V〜2.2V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
FT24C08A-ULR-T	-	RFQ	2872	Fremont Micro Devices Ltd	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C	表面安装	SC-74A，SOT-753	FT24C08	EEPROM	1.8V〜5.5V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	8kbit	550 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
N25Q016A11ESC40F TR	-	RFQ	4655	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q016A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	16mbit		闪光	4m x 4	spi	8ms，1ms
DS1225Y-150IND+	-	RFQ	8569	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.600英寸，15.24毫米）	DS1225Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	12		非易失性	64kbit	150 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	150ns
AT29BV020-12JC	-	RFQ	6763	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT29BV020	闪光	2.7V〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	2Mbit	120 ns	闪光	256K x 8	平行线	20ms
AT24C128N-10SU-2.7	-	RFQ	4617	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C128	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C128N-10SU2.7	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	128kbit	550 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
7143LA20JG	34.6525	RFQ	4677	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7143LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	32kbit	20 ns	SRAM	2k x 16	平行线	20NS
MT47H64M16NF-25E XIT：m	-	RFQ	7640	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
CY7C1297H-133AXC	-	RFQ	8542	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1297	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1297H	3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	64k x 18	平行线	-
S25FL256LAGNFI010	6.6400	RFQ	668	Infineon技术	fl-l	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
71V67903S80BQ8	26.1188	RFQ	6019	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
S99-50249 p	-	RFQ	3654	Infineon技术	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	91
93LC66BX-E/SN	0.4350	RFQ	3288	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93LC66BX-E/SN-NDR	Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	6ms
IS25WP128-JLLE-TR	1.9402	RFQ	9184	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP128	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
AT49SV163D-80CU	-	RFQ	6766	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA，CSPBGA	AT49SV163	闪光	1.65V〜1.95V	48-CBGA（7x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	276		非易失性	16mbit	80 ns	闪光	1m x 16	平行线	70NS
6116SA20TPG	-	RFQ	7604	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²