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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
CY15B108QN-20LPXC	36.8200	RFQ	2534	Infineon技术	Excelon™-LP，F-RAM™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-UQFN	CY15B108	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-GQFN（3.23x3.28）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	20 MHz	非易失性	8mbit		框架	1m x 8	spi	-
AS4C64M32MD2-25BCNTR	-	RFQ	8059	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	134-VFBGA	AS4C64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS43R16800E-5TLI	2.6286	RFQ	2418	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
70V3599S166DR	-	RFQ	2374	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-BFQFP	70v3599	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	208-PQFP（28x28）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.6 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT46H4M32LFB5-6：k	-	RFQ	8218	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H4M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
CY7C25652KV18-450BZI	313.7050	RFQ	5883	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25652	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
93LC86B-E/ST	-	RFQ	4368	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
IDT71T016SA15BF	-	RFQ	3139	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	IDT71T016	sram-异步	2.375V〜2.625V	48-cabga（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71T016SA15BF	3A991B2B	8542.32.0041	476		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
MB85R256GPF-G-BND-ERE1	-	RFQ	1566年	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	MB85R256	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	-	-		3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	256kbit	150 ns	框架	32K x 8	平行线	150ns
AS7C1024B-12JCN	4.0100	RFQ	158	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1042	3A991B2B	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS43LR16320C-6BL-Tr	5.9250	RFQ	3402	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
24fc01t-i/st	0.2700	RFQ	7313	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24FC01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	1kbit	450 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
CY14B101L-SZ45XCT	-	RFQ	1547年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
7007S25J/c	-	RFQ	8035	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7007S25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
7142LA20JG8	24.2985	RFQ	8682	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7142LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
IS61C64AL-10JLI	1.3059	RFQ	7629	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS61C64	sram-异步	4.75V〜5.25V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	64kbit	10 ns	SRAM	8k x 8	平行线	10NS
24AA025T-I/OT	0.3400	RFQ	6015	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	24AA025	EEPROM	1.7V〜5.5V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT49H8M36SJ-25E：b tr	-	RFQ	3530	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
25a512-i/st	2.2950	RFQ	5152	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	25A512	EEPROM	1.7V〜3V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	10 MHz	非易失性	512kbit		EEPROM	64k x 8	spi	5ms
NAND08GW3C2BN6E	-	RFQ	6298	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand08g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND08GW3C2BN6E	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	8Gbit	25 ns	闪光	1G x 8	平行线	25ns
IS61LPS25618A-200TQI	-	RFQ	6316	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS46R16320E-5TLA1	7.9881	RFQ	9746	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
BR24L32FJ-WE2	1.0800	RFQ	78	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR24L32	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
709159L7PF8	-	RFQ	9411	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709159L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	72kbit	7 ns	SRAM	8k x 9	平行线	-
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT	-	RFQ	5850	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT28HL32				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	270
SST25PF080B-80-4C-QAE-T	-	RFQ	1972	微芯片技术	SST25	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST25PF080	闪光	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	80 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	10µs
70V05S25PF8	-	RFQ	2538	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	70V05S	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
MT29E1T208ECHBBJ4-3：b	-	RFQ	1986	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120		非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
AT24C128N-10SC-2.7	-	RFQ	3313	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C128	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C128N-10SC2.7	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	128kbit	550 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	10ms
70T3539MS133BCI8	458.1812	RFQ	4447	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70T3539	sram-双端口，同步	2.4v〜2.6V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²