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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS29GL512S-11DHV020	-	RFQ	3657	Infineon技术	GL-S	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	IS29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns
mtfc4glmdq-ait z	-	RFQ	6813	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc4	闪存-NAND	-	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT29F8G16ABACAWP：c tr	-	RFQ	4581	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
CAT28LV64GI20	-	RFQ	4266	Onmi	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28LV64	EEPROM	3v〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	64kbit	200 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	5ms
CY7C1350G-133AXC	8.3300	RFQ	7114	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1350	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116SA20TPGI	-	RFQ	3101	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
CY62137FV30LL-55ZSXE	8.6900	RFQ	6044	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62137	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
7005S12PFI8	-	RFQ	5135	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7005S12PFI8TR			1		易挥发的	64kbit	12 ns	SRAM	8k x 8	平行线	12ns
24LC32AT-E/SN	0.5600	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC32A	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	32kbit	900 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
MT25QU128ABA1EW7-0SIT TR	4.4800	RFQ	3	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-wpdfn （6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
AT28HC256F-12SA	-	RFQ	3552	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	AT28HC256	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-Soic	-	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	27		非易失性	256kbit	120 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	3ms
MT46V16M16P-6T L：f	-	RFQ	2251	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MX25V1635FM2I	0.7100	RFQ	49	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MX25V1635	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	92	80 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	100µs，4ms
BR93H76RFVT-2CE2	0.5500	RFQ	6855	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR93H76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	2 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	4ms
AT49LV002-90PC	-	RFQ	9909	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT49LV002	闪光	3v〜3.6V	32-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT49LV00290PC	Ear99	8542.32.0071	12		非易失性	2Mbit	90 ns	闪光	256K x 8	平行线	50µs
S29GL01GS11TFB023	17.5350	RFQ	1599年	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
IS66WV51216DBLL-70BLI	-	RFQ	7172	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
IDT70824L35PF	-	RFQ	9693	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	IDT70824	萨拉姆	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70824L35PF	Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	64kbit	35 ns	内存	4K x 16	平行线	35ns
IDT71T016SA15BF8	-	RFQ	1566年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	IDT71T016	sram-异步	2.375V〜2.625V	48-cabga（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71T016SA15BF8	3A991B2B	8542.32.0041	2,000		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
S25FL129P0XMFI011	-	RFQ	8149	Infineon技术	fl-p	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL129	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	47	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
CY15B108QN-20LPXC	36.8200	RFQ	2534	Infineon技术	Excelon™-LP，F-RAM™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-UQFN	CY15B108	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-GQFN（3.23x3.28）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	20 MHz	非易失性	8mbit		框架	1m x 8	spi	-
AS4C64M32MD2-25BCNTR	-	RFQ	8059	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	134-VFBGA	AS4C64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS43R16800E-5TLI	2.6286	RFQ	2418	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
70V3599S166DR	-	RFQ	2374	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-BFQFP	70v3599	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	208-PQFP（28x28）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.6 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT46H4M32LFB5-6：k	-	RFQ	8218	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H4M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
CY7C25652KV18-450BZI	313.7050	RFQ	5883	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25652	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
93LC86B-E/ST	-	RFQ	4368	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
IDT71T016SA15BF	-	RFQ	3139	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	IDT71T016	sram-异步	2.375V〜2.625V	48-cabga（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71T016SA15BF	3A991B2B	8542.32.0041	476		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
MB85R256GPF-G-BND-ERE1	-	RFQ	1566年	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	MB85R256	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	-	-		3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	256kbit	150 ns	框架	32K x 8	平行线	150ns
AS7C1024B-12JCN	4.0100	RFQ	158	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1042	3A991B2B	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²