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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | 7024S12JI | - | ![]() | 7570 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7024S12JI | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 12 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | S34MS01G204BHI013 | 3.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 跨度 | 汽车,AEC-Q100,MS-2 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | 不适用 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | m95p16-ixmnt/e | 1.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EEPROM | 1.6V〜3.6V | 8-so | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-M95P16-ixmnt/e | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 2,500 | 80 MHz | 非易失性 | 16mbit | 10 ns | EEPROM | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | |||
![]() | MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR | - | ![]() | 9636 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | MT28EW01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 1Gbit | 105 ns | 闪光 | 128m x 8,64m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | 110756 | - | ![]() | 5790 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 7005S55PF8 | - | ![]() | 9467 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7005S55 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | N28H00CB03JDK11E | - | ![]() | 7241 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||||||
![]() | MT41K512M8DA-107 V:P TR | 7.4400 | ![]() | 8442 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | LH28F160S5HNS-L70 | - | ![]() | 5035 | 0.00000000 | 尖锐的微电子 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56 杆(0.524英寸,13.30mm) | LH28F160 | 闪光 | 4.75V〜5.25V | 56-SSOP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0071 | 40 | 非易失性 | 16mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 8,1m x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | W632GU8MB-11 | - | ![]() | 5999 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | W9812G6KH-5 Tr | 1.5720 | ![]() | 7035 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | W9812G6 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 4.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | NM27C256NE150 | - | ![]() | 8343 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | NM27C25 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 13 | 非易失性 | 256kbit | 150 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||
W29N04KZSIBG tr | 6.7961 | ![]() | 9791 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 256-W29N04KZSIBGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 35ns,700µs | ||||||
MX66L51235FZ2I-10G | 11.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 大元 | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | MX66L51235 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi | 40ms,3ms | |||||
MT40A512M8SA-062E AAT:f | 15.5100 | ![]() | 8010 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT40A512M8SA-062EAAT:f | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | CY7C1355C-133BGCT | - | ![]() | 6027 | 0.00000000 | Infineon技术 | NOBL™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1355 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 6.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | AT24C164-10SC-1.8 | - | ![]() | 1721年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT24C164 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT24C16410SC1.8 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 10ms | ||
![]() | AT28HC256-12SI | - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | AT28HC256 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 27 | 非易失性 | 256kbit | 120 ns | EEPROM | 32K x 8 | 平行线 | 10ms | ||||
![]() | AK93C55CU | - | ![]() | 2069 | 0.00000000 | asahi kasei Microdevices/akm | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | AK93C55 | EEPROM | 1.5V〜5.5V | 8-uson | 下载 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 4 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 128 x 16 | spi | - | ||||||
![]() | IS42RM32400G-75BLI-TR | - | ![]() | 2249 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-移动 | 2.3V〜3V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | CY14B101KA-SP25XI | 33.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 30 | 非易失性 | 1Mbit | 25 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | CY7C1445KV33-250AXC | - | ![]() | 6430 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1445 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 2.6 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||
N25Q256A13E1241F TR | - | ![]() | 2715 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | N25Q256A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 64m x 4 | spi | 8ms,5ms | |||||
![]() | S70GL02GS11FHI020 | 16.6700 | ![]() | 8388 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S70GL02 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S70GL02GS11FHI020 | 1 | 非易失性 | 2Gbit | 110 ns | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | - | 经过验证 | ||||||
![]() | MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D TR | - | ![]() | 3606 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | SST25VF040B-50-4C-S2AF | 1.1400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST25 | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | SST25VF040 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 50 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 10µs | ||||
GS82582QT37GE-400I | 465.0000 | ![]() | 9854 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS82582QT37 | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS82582QT37GE-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | SRAM | 8m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71V3557S75BGI8 | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3557 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY62167DV30LL-55ZXIT | 25.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY62167 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | AT49BV001-90VI | - | ![]() | 1938年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) | AT49BV001 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 32-VSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT49BV00190VI | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 非易失性 | 1Mbit | 90 ns | 闪光 | 128K x 8 | 平行线 | 50µs |
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