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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	可编程类型	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W632GG6MB11I	-	RFQ	9910	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W632GG6	SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	198	933 MHz		易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
CY7C027V-25AXIT	-	RFQ	9519	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C027	sram-双端口，异步		3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500			易挥发的	512kbit	25 ns	SRAM	32k x 16	平行线	25ns
93L42222AFM/b	104.3800	RFQ	231	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.32.0041	1
EM064LXQADG13IS1T	44.9250	RFQ	9870	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）		1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM064LXQADG13IS1T	Ear99	8542.32.0071	290	200 MHz		非易失性	64mbit		内存	8m x 8	spi -octal I/o	-
AT17LV010-10PU	18.0200	RFQ	5079	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	AT17LV010		经过验证	3v〜3.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT17LV01010PU	Ear99	8542.32.0051	50		串行eeprom		1MB
71V65903S85BGGI	28.7073	RFQ	1409	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65903	sram-同步，SDR（ZBT）		3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84			易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
EDB5432BEBH-1DIT-FR TR	-	RFQ	5227	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB5432	sdram- lpddr2		1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	533 MHz		易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
CY7C1387BV25-167BGC	22.9300	RFQ	72	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1387	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz		易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C2568KV18-400BZC	-	RFQ	8158	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2568	sram-同步，DDR II+		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
IS42S32800D-6BLI-TR	-	RFQ	1521年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram		3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
CY7C0251-15AXC	24.2900	RFQ	531	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C0251	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	13			易挥发的	144kbit	15 ns	SRAM	8k x 18	平行线	15ns	未行业行业经验证
DS2501P+	-	RFQ	4414	ADI/MAXIM集成	-	大部分	过时的									-	rohs3符合条件			175-DS2501P+	过时的		1
W9751G8NB25I TR	2.3327	RFQ	9651	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-vfbga	W9751G8	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	60-vfbga（8x9.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W9751G8NB25ITR	Ear99	8542.32.0028	2,500	400 MHz		易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT62F3G32D8DV-023 FAAT：b	94.8300	RFQ	6924	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5		-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023FAAT：b			1	4.266 GHz		易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
SM661GE8-AC	-	RFQ	8145	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM661					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1
46W0770-C	112.5000	RFQ	3625	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-46W0770-C	Ear99	8473.30.5100	1
71024S12YGI	-	RFQ	9298	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71024	sram-异步		4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	23			易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
70V08S20PF	-	RFQ	6509	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v08	sram-双端口，异步		3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	45			易挥发的	512kbit	20 ns	SRAM	64k x 8	平行线	20NS
INT70P0144	-	RFQ	6419	IBM	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
SM662PAC BFSS	25.9100	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	153-TFBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）		-	153-BGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM662PACBFSS	3A991B1A	8542.32.0071	1,520			非易失性	160Gbit		闪光	20克x 8	EMMC	-
AT25DN512C-SSHFGP-B	0.3078	RFQ	4205	Adesto Technologies	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25DN512	闪光		2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	98	104 MHz		非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi	8µs，1.75ms
MTFC4GMVEA-4M IT	-	RFQ	3351	微米技术公司	E•MMC™	大部分	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1,000			非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
HYB25D512800CE-6	7.1400	RFQ	1	Qimonda	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	HYB25D512	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,500	166 MHz		易挥发的	512Mbit		德拉姆	64m x 8	平行线	-
SNPTN78YC/32G-C-TAA	337.5000	RFQ	9475	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-SNPTN78YC/32G-C-TAA	Ear99	8473.30.5100	1
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT	-	RFQ	2585	微米技术公司	-	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram		1.7V〜1.95V	-	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz		非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
CG8637AA	-	RFQ	8791	Infineon技术	-	托盘	过时的									-		3（168））	到达不受影响		过时的		1
AT25128B-MAPDGV-E	-	RFQ	1209	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT25128	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	15,000	5 MHz		非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
4ZC7A08744-C	745.0000	RFQ	3247	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-4ZC7A08744-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F128G08CBCCBH6-6R：c	-	RFQ	2322	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
IS61VPS51236B-200B-200B-200B-200B3LI-TR	15.6750	RFQ	6367	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS51236	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz		易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²