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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MB85R256GPF-G-BND-ERE1	-	RFQ	1566年	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	MB85R256	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	-	-		3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	256kbit	150 ns	框架	32K x 8	平行线	150ns
AS7C1024B-12JCN	4.0100	RFQ	158	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1042	3A991B2B	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS43LR16320C-6BL-Tr	5.9250	RFQ	3402	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
24fc01t-i/st	0.2700	RFQ	7313	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24FC01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	1kbit	450 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
CY14B101L-SZ45XCT	-	RFQ	1547年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
7007S25J/c	-	RFQ	8035	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7007S25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
7142LA20JG8	24.2985	RFQ	8682	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7142LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
IS61C64AL-10JLI	1.3059	RFQ	7629	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS61C64	sram-异步	4.75V〜5.25V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	64kbit	10 ns	SRAM	8k x 8	平行线	10NS
24AA025T-I/OT	0.3400	RFQ	6015	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	24AA025	EEPROM	1.7V〜5.5V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT49H8M36SJ-25E：b tr	-	RFQ	3530	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
25a512-i/st	2.2950	RFQ	5152	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	25A512	EEPROM	1.7V〜3V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	10 MHz	非易失性	512kbit		EEPROM	64k x 8	spi	5ms
NAND08GW3C2BN6E	-	RFQ	6298	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand08g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND08GW3C2BN6E	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	8Gbit	25 ns	闪光	1G x 8	平行线	25ns
IS61LPS25618A-200TQI	-	RFQ	6316	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS46R16320E-5TLA1	7.9881	RFQ	9746	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
BR24L32FJ-WE2	1.0800	RFQ	78	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR24L32	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
709159L7PF8	-	RFQ	9411	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709159L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	72kbit	7 ns	SRAM	8k x 9	平行线	-
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT	-	RFQ	5850	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT28HL32				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	270
SST25PF080B-80-4C-QAE-T	-	RFQ	1972	微芯片技术	SST25	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST25PF080	闪光	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	80 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	10µs
70V05S25PF8	-	RFQ	2538	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	70V05S	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
MT29E1T208ECHBBJ4-3：b	-	RFQ	1986	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120		非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
AT24C128N-10SC-2.7	-	RFQ	3313	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C128	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C128N-10SC2.7	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	128kbit	550 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	10ms
70T3539MS133BCI8	458.1812	RFQ	4447	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70T3539	sram-双端口，同步	2.4v〜2.6V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY62148ELL-55SXIT	9.7000	RFQ	9700	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	CY62148	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
PC28F256M29EWHD	-	RFQ	8334	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2266-PC28F256M29EWHD	3A991B1A	8542.32.0071	184		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	100ns
N25Q128A21BSF40F TR	-	RFQ	2032	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q128A21	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，5ms
AS4C32M16MD1A-5BCNTR	4.1866	RFQ	1184	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TJ）	表面安装	60-vfbga	AS4C32	sdram- lpddr	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
7143SA35J	-	RFQ	7235	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7143SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	32kbit	35 ns	SRAM	2k x 16	平行线	35ns
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR	3.1918	RFQ	8502	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WV1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	55 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	55ns
W25Q32FVZPIG	-	RFQ	6067	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	50µs，3ms
MT53D1G32D4NQ-046 WT ES：E TR	-	RFQ	6951	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²