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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1024DV33-10BGXI	16.7000	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1024	sram-异步	3v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				18		易挥发的	3Mbit	10 ns	SRAM	128K x 24	平行线	10NS	未行业行业经验证
M93C76-RDW6TP	0.2549	RFQ	2098	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M93C76	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1K x 8，512 x 16	微线	5ms
MT40A512M8SA-062E IT：f tr	9.1650	RFQ	8721	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A512M8SA-062EIT：ftr	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
IS62WV25616EBLL-45BLI-TR	2.6189	RFQ	5196	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
CY7C1393BV18-250BZI	-	RFQ	3087	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1393	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
IS25LD040-JVLE-TR	-	RFQ	8308	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LD040	闪光	2.3v〜3.6V	8-VVSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	100 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	5ms
70V3389S5PRF/p	-	RFQ	8047	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	128-LQFP	70v3389	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	128-TQFP（14x20）	-	Rohs不合规	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	1.125Mbit	5 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
IDT71V67602S133BQI8	-	RFQ	3873	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67602S133BQI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT40A512M16JY-075E AIT：b	-	RFQ	6640	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（8x14）	下载			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,368	1.33 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
W25Q64JVDAIQ	-	RFQ	8890	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	W25Q64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	60	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
R1RW0416DGE-2PR ＃B0	-	RFQ	1196	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	R1RW0416	SRAM	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	18		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
CY14E256L-SZ25XCT	-	RFQ	8164	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14E256	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
FM24C16UFLMT8	0.4100	RFQ	1117	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FM24C16	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	15ms
MT53D8DBWF-DC TR	-	RFQ	3092	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	376-WFBGA	MT53D8	sdram- lpddr4		376-WFBGA（14x14）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000		易挥发的			德拉姆
W29N01GVBIAA	-	RFQ	5642	Winbond电子产品	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	W29N01	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	210		非易失性	1Gbit	25 ns	闪光	128m x 8	平行线	25ns
W25Q16JVSSIM	0.5200	RFQ	5	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q16JVSSIM	Ear99	8542.32.0071	90	133 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
24AA014H-i/p	0.4200	RFQ	8892	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24AA014	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
71V67903S85BG	26.1188	RFQ	7684	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT44K16M36RB-107：a	-	RFQ	2021	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K16M36	德拉姆	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0024	1,000	933 MHz	易挥发的	576Mbit	10 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS42S16400D-7TL	-	RFQ	8509	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
W948D6FBHX5I	-	RFQ	4380	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	W948D6	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	312	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
5962-8976408MXA	308.2485	RFQ	4594	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	5962-8976408	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8976408MXA			8		易挥发的	32kbit	35 ns	SRAM	4K x 8	平行线	35ns
MT28EW512ABA1LPC-1SIT	-	RFQ	1983	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
47c16-i/p	1.0600	RFQ	8828	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	47C16	Eeprom，Sram	4.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	1 MHz	非易失性	16kbit	400 ns	埃拉姆	2k x 8	i²c	1ms
BK58F0088HVX001A	-	RFQ	8027	微米技术公司	-	大部分	过时的		-	-				-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	270
IS43QR16256A-093PBL	-	RFQ	6892	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43QR16256	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
S70FL01GSAGBHBC13	17.1150	RFQ	6042	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S70FL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	-
IS25LP512M-RMLA3-Tr	7.8141	RFQ	2052	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP512M-RMLA3-Tr			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
MX25L6473FM2I-08Q	0.7612	RFQ	5024	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.65v〜3.6V	8-sop	-		3（168））		1092-MX25L6473FM2I-08Q			92	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	16m x 4，32m x 2，2,64m x 1	Spi -Quad I/O。	50µs，1.2ms
NAND256WA0AN6F	-	RFQ	1276	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand256	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	256Mbit	50 ns	闪光	32m x 8	平行线	50ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²