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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
M29W800FB70N3F	2.2900	RFQ	1	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -引导块	3v〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16，1m x 8	CFI	70NS
MT28F640J3FS-115 XMET	-	RFQ	9707	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F640J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	115 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	-
MT40A256M16GE-083E AUT：b tr	-	RFQ	3313	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53E128M16D1DS-046 AIT：	-	RFQ	7913	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）			MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E128M16D1DS-046AIT：a	过时的		1,360	2.133 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	-	-
W25N512GWPIT	-	RFQ	7466	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25N512	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GWPIT	3A991B1A	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
S25FL512SDSBHMC13	12.9500	RFQ	2464	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	80 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT48LC32M8A2P-75 L：D Tr	-	RFQ	4052	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
S25FL129P0XBHV210	-	RFQ	1495	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL129	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
93LC46AT/SN	0.3200	RFQ	563	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC46	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	微线	6ms
93AA56AT-I/ST	0.3900	RFQ	4668	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93AA56	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93AA56AT-I/ST-NDR	Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	微线	6ms
S29GL256S10DHAV10	4.3750	RFQ	2856	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	260		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
A3858989-C	35.0000	RFQ	5129	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A3858989-C	Ear99	8473.30.5100	1
AS4C2M32S-7BCN	4.2400	RFQ	190	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	AS4C2M32	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	190	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	2NS
T9V43AA-C	2.0000	RFQ	4750	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-T9V43AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
MC2716M/BJA	55.2900	RFQ	226	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0061	1
ER2055/p	-	RFQ	8391	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
CAT93C86V-TE13	-	RFQ	9323	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C86	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8，1k x 16	微线	-
GD25LQ64EWAGR	1.6045	RFQ	6739	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（5x6）	-				1970-GD25LQ64EWAGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	100µs，4ms
MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V	-	RFQ	4189	微米技术公司	-	大部分	过时的								-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520
W632GG6KB15J	-	RFQ	4082	Winbond电子产品	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	W632GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-WBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
71V321L25PF8	-	RFQ	5400	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321l	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
R1RP0416DSB-0PI＃d1	6.2000	RFQ	8765	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		559-R1RP0416DSB-0PI＃d1			135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
W25Q128JVFSQ	-	RFQ	6038	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128JVFSQ			1	133 MHz	非易失性	128mbit	6 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
DS2704G+	-	RFQ	4195	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	DS2704	EEPROM	2.5V〜5.5V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	1.25kbit	2 µs	EEPROM	32字节x 5页	1-Wire®	-
W25Q32FVTCIG TR	-	RFQ	2194	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	5,000	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	50µs，3ms
CAT25160YE-G	0.3600	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT25160	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	20 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	5ms
24LC02B/st	0.3600	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24LC02	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24LC02B/ST-NDR	Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
IS43DR16160B-25DBLI-TR	4.1105	RFQ	8550	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	400 MHz	易挥发的	256Mbit	400 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43R83200D-5TL	5.3822	RFQ	9812	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R83200	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
MT53D256M64D4KA-046 XT：b	-	RFQ	4706	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53D256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²