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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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MT29F32G08CBADBWP-12:d tr | - | ![]() | 6324 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | CAT28F010H-12T | - | ![]() | 1144 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | CAT28F010 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | 2a (4周) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 非易失性 | 1Mbit | 120 ns | 闪光 | 128K x 8 | 平行线 | 120ns | |||||
![]() | S26HS02GTFPBHB050 | 48.4050 | ![]() | 2028 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 24-fbga(8x8) | 下载 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 166 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 超肥 | - | |||||||
![]() | IS46TR16128B-125KBLA25 | - | ![]() | 5282 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16128B-125KBLA25 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | S29GL01GS10FHSS23 | 12.4950 | ![]() | 2557 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | MT46V16M16P-5B XIT:m | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,080 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 | - | ![]() | 1998 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | MT29VZZZAD8 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||
![]() | W972GG8JB25I | - | ![]() | 8476 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA(11x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 189 | 200 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | M28W640FCT70ZB6E | - | ![]() | 6975 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M28W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6.39x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1364CV33-166AXC | 10.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1364 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 28 | 166 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 32 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | 2406906 | - | ![]() | 8272 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS29GL512S-11DHB01 | - | ![]() | 4009 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | IS29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | AT24C01BN-SP25-B | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | atmel | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | AT24C01 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 1kbit | 550 ns | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | AS4C8M32MSA-6BIN | 6.4144 | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | AS4C8M32 | sdram-移动 | 1.14v〜1.95v | 90-FBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1457 | Ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | X28C010DI-12 | 119.9800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 32-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | X28C010 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0051 | 11 | 非易失性 | 1Mbit | 120 ns | EEPROM | 128K x 8 | 平行线 | 10ms | ||||||
![]() | 7132LA35PDGI | - | ![]() | 1757年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 800-7132LA35PDGI | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | S29PL127J70BFI003 | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 80-VFBGA | S29PL127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 80-FBGA(8x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | M28W640HCT70N6E | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M28W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | IS61LPS51236A-250B3I | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | 7006S15PF | - | ![]() | 4751 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7006S15 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 128kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | 71V124SA12PHI | - | ![]() | 4853 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71v124 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | 71v432s6pfg | 3.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v432 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.63V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 83 MHz | 易挥发的 | 1Mbit | 6 ns | SRAM | 32K x 32 | 平行线 | - | |||||
![]() | 7007S20pf | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | 7007S20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | M32030012811 | - | ![]() | 4652 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 上次购买 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | RM25C512C-LSNI-T | - | ![]() | 4889 | 0.00000000 | Adesto Technologies | Mavriq™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RM25C512 | CBRAM | 1.65V〜3.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 20 MHz | 非易失性 | 512kbit | CBRAM® | 128字节页面大小 | spi | 100µs,5ms | ||||
![]() | RMLV0816BGSD-4S2 #AC0 | - | ![]() | 8458 | 0.00000000 | Rochester Electronics,LLC | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 52-tfsop (0.350英寸,8.89mm宽度) | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 52-TSOP II | - | 2156-RMLV0816BGSD-4S2 #AC0 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16,1m x 8 | 平行线 | 45ns | |||||||||
![]() | IS34MW01G084-Bli | 3.6500 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS34MW01G084-BLI | 220 | 非易失性 | 1Gbit | 30 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||||||
![]() | W25N04KWTBIU TR | 6.1856 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 256-W25N04KWTBIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 8 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||||
![]() | 6116LA45TPG | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 6116LA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 45 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
CAT25C08V-26735 | 0.1400 | ![]() | 5786 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25C08 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | 非易失性 | 8kbit | 40 ns | EEPROM | 1k x 8 | spi | 5ms |
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