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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 可编程类型 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制器类型 |
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![]() | AT49BV802A-70CU | - | ![]() | 8682 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA,CSPBGA | AT49BV802 | 闪光 | 2.65v〜3.6V | 48-CBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 338 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 200µs | ||||||
![]() | M29W640FB70ZA6E | - | ![]() | 2860 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M29W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | M29W640FT70N6E | - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | M29W800DB70N6E | - | ![]() | 8669 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W800 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | NAND256W3A2BN6E | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Nand256 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 256Mbit | 50 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 50ns | ||||||
NAND512W3A2BN6E | - | ![]() | 3223 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Nand512 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 497-5040 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 512Mbit | 50 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 50ns | ||||||
![]() | CY7C1049B-20VXC | - | ![]() | 4479 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 36-SOJ | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 易挥发的 | 4Mbit | 20 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||
![]() | CY62256L-70PXC | - | ![]() | 8228 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 280 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | CY6264-70SNXC | - | ![]() | 5035 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY6264 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 270 | 易挥发的 | 64kbit | 70 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | DS2502+t r | 3.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | DS2502 | EPROM -OTP | 2.8V〜6V | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 2,000 | 非易失性 | 1kbit | EPROM | 128 x 8 | 1-Wire® | - | |||||||
![]() | M27C2001-12C1 | - | ![]() | 9273 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | M27C2001 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.96x11.46) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q2614384 | 过时的 | 8542.32.0061 | 320 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | EPROM | 256K x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | DS2505p+t r | 3.3900 | ![]() | 2084 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-SMD,J-Lead | DS2505 | EPROM -OTP | - | 6-TSOC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 4,000 | 非易失性 | 16kbit | 15 µs | EPROM | 16k x 1 | 1-Wire® | - | ||||||
![]() | AT17N010-10SI | - | ![]() | 7763 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | AT17N010 | 未行业行业经验证 | 3v〜3.6V | 20-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 37 | 串行eeprom | 1MB | |||||||||||
![]() | AT45DB321C-CI | - | ![]() | 7440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 24-TBGA,CSPBGA | AT45DB321 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-CBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 378 | 40 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 528 x 8192页 | spi | 15ms | ||||||
![]() | AT49BV163A-70TI | - | ![]() | 1012 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | AT49BV163 | 闪光 | 2.65v〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 16mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 8,1m x 16 | 平行线 | 200µs | ||||||
![]() | BQ2022alpr | 0.4900 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | (CT) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BQ2022 | EPROM -OTP | 2.65V〜5.5V | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 2,000 | 非易失性 | 1kbit | EPROM | 32个字节x 4页 | 单线 | - | |||||||
![]() | DS2030AB-100# | - | ![]() | 7924 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-BGA | DS2030 | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 256-BGA (27x27) | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 100 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 100ns | ||||||
![]() | DS2030AB-70# | - | ![]() | 7826 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-BGA | DS2030 | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 256-BGA (27x27) | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | DS2030W-100# | - | ![]() | 3059 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-BGA | DS2030 | NVSRAM(SRAM) | 3v〜3.6V | 256-BGA (27x27) | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 100 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 100ns | ||||||
![]() | DS2045AB-70# | - | ![]() | 8711 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-BGA | DS2045 | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 256-BGA (27x27) | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 70 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | XCCACE-TQG144I | - | ![]() | 7580 | 0.00000000 | AMD | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 144-LQFP | XCCACE | 2.25V〜3.6V | 144-TQFP(20x20) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 122-1511-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 紧凑型 | |||||||||||||
![]() | AT45DB021D-SSH-B | - | ![]() | 9669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT45DB021 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 66 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 264字节x 1024页 | spi | 4ms | ||||||
![]() | AT24C32CN-SH-T | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT24C32 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 非易失性 | 32kbit | 550 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | AT93C46EN-SH-T | 0.3000 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 93C46 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 2 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | 3线序列 | 5ms | ||||||
![]() | AT49BV802DT-70TU | - | ![]() | 4537 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | AT49BV802 | 闪光 | 2.65v〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 16 | 平行线 | 120µs | ||||||
AT24C128B-TH-B | - | ![]() | 6279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24C128 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 550 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | AT24C128BY6-YH-T | - | ![]() | 8549 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT24C128 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 550 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | AT24C32C-PU | - | ![]() | 2599 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | AT24C32 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 非易失性 | 32kbit | 550 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | AT24C512BW-SH25-B | - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | AT24C512 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 MHz | 非易失性 | 512kbit | 550 ns | EEPROM | 64k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | AT93C46EN-SH-B | 0.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 93C46 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT93C46ENSHB | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | 3线序列 | 5ms |
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