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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
S29GL512S11GHIV20	8.8900	RFQ	1428	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	56-FBGA（9x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,600		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
JS28F640P30B85A	-	RFQ	3347	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F640P30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	非易失性	64mbit	85 ns	闪光	4m x 16	平行线	85ns
IS62WV5128EALL-55TLI	4.4684	RFQ	7876	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV5128	sram-异步	1.65V〜2.2V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	156		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS61C256AL-12JLI	1.5200	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS61C256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
IS42S32200C1-7TL	-	RFQ	6490	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
71V416L12PHGI8	8.6840	RFQ	4018	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
CY7C1021B-12VI	-	RFQ	2997	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
IS61C1024AL-12KLI	-	RFQ	2104	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS61C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
S25FS064SAGBHV020A	1.8700	RFQ	1121	赛普拉斯半导体公司	FS-S	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FS064	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-BGA（6x8）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
CG8404AA	-	RFQ	3029	Infineon技术	-	管子	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	115
24AA16HT-i/st	0.4350	RFQ	4891	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24AA16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
AT25DQ321-SH-B	-	RFQ	2272	Adesto Technologies	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT25DQ321	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	90	100 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	256字节x 16384页	spi	7µs，3ms
24LC04B-E/p	0.4600	RFQ	9479	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24LC04	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
CY14E256Q2A-SXI	-	RFQ	2962	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14E256	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY14E256Q2A-SXI	3A991B2B	8542.32.0041	97	40 MHz	非易失性	256kbit		NVSRAM	32K x 8	spi	-
IDT71V65602S100PFGI8	-	RFQ	5534	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载		3（168））	到达不受影响	71V65602S100PFGI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT48LC2M32B2B5-6A IT：j tr	5.7449	RFQ	6	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
S99-50251	-	RFQ	4543	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
M24256-DFDW6TP	0.4800	RFQ	17	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M24256	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	400 kHz	非易失性	256kbit	450 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
70T651S10BF	317.8510	RFQ	2500	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70T651	sram-双端口，异步	2.4v〜2.6V	208-cabga（15x15）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	7		易挥发的	9Mbit	10 ns	SRAM	256K x 36	平行线	10NS
DS2505p+t r	3.3900	RFQ	2084	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS2505	EPROM -OTP	-	6-TSOC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	4,000		非易失性	16kbit	15 µs	EPROM	16k x 1	1-Wire®	-
AS4C64M16MD2-25BCN	-	RFQ	8236	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	AS4C64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1412	Ear99	8542.32.0032	128	400 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LD16640A-3BLI-TR	-	RFQ	9846	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD16640	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1200	333 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS39LV010-70VCE	-	RFQ	8104	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	IS39LV010	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	32-VSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1349	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	1Mbit	70 ns	闪光	128K x 8	平行线	70NS
7008S20J8	-	RFQ	4628	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7008S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	200		易挥发的	512kbit	20 ns	SRAM	64k x 8	平行线	20NS
R1LP0408DSP-5SR ＃S0	-	RFQ	3007	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.450英寸，11.40mm宽度）	R1LP0408	SRAM	4.5V〜5.5V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
sm671pbb-afst	-	RFQ	9308	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM671	Flash -nand（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM671PBB-AFST			1		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	UFS2.1	-
AT28C64E-25SI	-	RFQ	8892	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	AT28C64	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT28C64E25SI	Ear99	8542.32.0051	27		非易失性	64kbit	250 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	200µs
MT53E128M16D1DS-053 AIT：A TR	-	RFQ	4114	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）			MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E128M16D1DS-053AIT：ATR	过时的		2,000	1.866 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	-	-
IDT70824L25PFI8	-	RFQ	9995	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	80-LQFP	IDT70824	萨拉姆	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70824L25PFI8	Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	25 ns	内存	4K x 16	平行线	25ns
GS82564Z36GB-400I	538.5000	RFQ	5	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	119-BGA	GS82564Z36	sram-同步，ZBT	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	119-fpbga（22x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS82564Z36GB-400I	Ear99	8542.32.0041	10	400 MHz	易挥发的	288Mbit		SRAM	8m x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²