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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IDT71V3559S80PF	-	RFQ	4683	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3559S80PF	3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
7102797-C	47.5000	RFQ	9519	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-7102797-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT29E2T08CUHBBM4-3ES：b tr	-	RFQ	7552	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29E2T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
93C76A-E/ST	-	RFQ	8152	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C76	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	微线	2ms
DS1250W-150+	-	RFQ	6454	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1250W	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	11		非易失性	4Mbit	150 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	150ns
PCA24S08D，112	-	RFQ	6234	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PCA24	EEPROM	2.5V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	i²c	-
IS43DR82560C-25DBLI	17.1700	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR82560	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1572	Ear99	8542.32.0036	242	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
47C16-I/W16K	-	RFQ	6958	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	47C16	Eeprom，Sram	4.5V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	16kbit	400 ns	埃拉姆	2k x 8	i²c	1ms
A0740416-C	17.5000	RFQ	4058	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A0740416-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1413KV18-300BZC	-	RFQ	7214	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1413	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							7	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
SM662GXB-ACS	-	RFQ	9755	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM662				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1
CY7C1268KV18-550BZXC	82.6300	RFQ	131	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1268	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	550 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
S99-50283	-	RFQ	7959	Infineon技术	-	托盘	过时的								-		3（168））	到达不受影响		过时的		1
71V67602S133BGG8	28.7073	RFQ	1145	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W25M02GVTBIT TR	-	RFQ	4476	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25M02	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	spi	700µs
CY7C1049G18-15ZSXIT	6.3875	RFQ	9601	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1049	sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
SM662PEB-BDST	-	RFQ	1350	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM662				下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1
MX25U2033EZUI-12G	0.4566	RFQ	7183	大元	MXSMIO™	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX25U2033	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-uson （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，3ms
FM24C04B-G	-	RFQ	1209	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C04	fram （铁电 ram）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定				281	1 MHz	非易失性	4Kbit	550 ns	框架	512 x 8	i²c	-	未行业行业经验证
CY62157EV30LL-45BVXA	11.7250	RFQ	4046	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62157	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	960		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
S25FL256SDPMFIG00	4.5850	RFQ	8360	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,400	66 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
CY62138FV30LL-45ZSXIT	-	RFQ	5119	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62138	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
71T75802S166PFG8	21.4595	RFQ	5047	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C1363A-117AJCT	6.4800	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1363	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	750	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT29F4T08GMLCEJ4-QM：c	78.1500	RFQ	4940	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM：c			1
71V3556SA100BQI8	8.5003	RFQ	5754	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CY7C1265XV18-633BZXC	128.2750	RFQ	4525	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1265	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680	633 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
MT53B512M64D4EZ-062 WT：c	-	RFQ	5519	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,120	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
R1LV5256ESP-7SR ＃B0	-	RFQ	5810	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.330英寸，8.40mm宽度）	R1LV5256	SRAM	2.7V〜3.6V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
S29GL256P90FFSS93	-	RFQ	8469	Infineon技术	gl-p	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	256Mbit	90 ns	闪光	32m x 8	平行线	90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²