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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
NM93C46M8	-	RFQ	5587	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C46	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	95	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	10ms
M25P16-VMN6TP TR	-	RFQ	5326	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	spi	15ms，5ms
M29F002BT70K6E	-	RFQ	6931	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M29F002	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	2Mbit	70 ns	闪光	256K x 8	平行线	70NS
MX75U25690FXDR02	-	RFQ	5236	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MX75U25690	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	24-cspbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1267	3A991B1A	8542.32.0071	480	120 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	64m x 4	spi	-
CY7C1069G-10BVXI	38.5000	RFQ	1508	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1069	sram-异步	4.5V〜5.5V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	4,800		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	2m x 8	平行线	10NS
IS42R32800J-7TLI	-	RFQ	1889年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的				IS42R32800				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240
W25M512JVCIQ TR	-	RFQ	1768年	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25M512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	-
W632GG6KB-11 tr	-	RFQ	4717	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	W632GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-WBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR	10.5203	RFQ	7306	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
70V24S55PFG	38.5400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v24	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
S29GL032N11FFIV20	-	RFQ	9113	Infineon技术	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-S29GL032N11FFIV20	3A991B1A	8542.32.0071	180		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	110NS
IDT71V67703S80PFI	-	RFQ	6908	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67703S80PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
BR93L86FJ-WE2	-	RFQ	4591	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR93L86	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
IDT71V3577SA85BG	-	RFQ	1609年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3577SA85BG	3A991B2A	8542.32.0041	84		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT48LC4M16A2P-75：G Tr	-	RFQ	4925	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
MT48LC16M8A2TG-75 IT：G Tr	-	RFQ	3267	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	15ns
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M	-	RFQ	7755	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-					过时的	0000.00.0000	1		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
70V3579S4BC8	137.8084	RFQ	4256	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70V3579	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1.125Mbit	4.2 ns	SRAM	32k x 36	平行线	-
MT46V32M16CY-5B：j	-	RFQ	6704	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	60-fbga（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,368	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS61LP6436A-133TQLI	5.9867	RFQ	5415	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LP6436	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
IS42S86400F-6TL	11.8500	RFQ	6956	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS61LPD25636A-200TQLI	15.4275	RFQ	3269	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPD25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY7C1354CV25-166BZC	14.1050	RFQ	6365	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY7C1061DV33-10BV1XIT	-	RFQ	9472	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1061	sram-异步	3v〜3.6V	48-VFBGA（8x9.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR	16.2100	RFQ	2	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
CY7C1570XV18-633BZXC	473.2900	RFQ	288	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1570	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	633 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
IS61NLF102418-6.5B3-Tr	-	RFQ	3319	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS42S32160C-75BL	-	RFQ	3625	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT29F1G08ABAEAH4-IT：e	-	RFQ	5097	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
CAT25040HU4I-GT3	0.6800	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	CAT25040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn-ep（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000		非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²