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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37:b tr -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 132-vbga MT29F1T208 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1.125Tbit 闪光 144g x 8 平行线 -
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES:b tr -
RFQ
ECAD 9922 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 272-VFBGA MT29F1T208 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 272-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 1.125Tbit 闪光 144g x 8 平行线 -
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKCBBK7-6:b tr -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKEBBK7-12:b tr -
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12:b tr -
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ECAD 1041 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10ES:b tr -
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ECAD 5515 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3R:b tr -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 132-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR -
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ECAD 1802年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.5V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12Z:a tr -
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ECAD 9450 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 100-TBGA MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR -
RFQ
ECAD 3077 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 132-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 267 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-AATES:f -
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ECAD 1819年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT29F1G01 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 1Gbit 闪光 1G x 1 spi -
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 MT29F384G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 384Gbit 闪光 48g x 8 平行线 -
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QA-125 XT ES:b -
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ECAD 3592 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,190 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MT52L256M64D2QA-125 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QA-125 XT:b -
RFQ
ECAD 5805 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT:b -
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ECAD 9984 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,190 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MTFC64GANALAM-WT Micron Technology Inc. mtfc64ganalam-wt -
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ECAD 6411 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) - - MTFC64 闪存-NAND - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
M29F400FT5AM62 Micron Technology Inc. M29F400FT5AM62 -
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ECAD 7474 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 240 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
BK58F0088HVX001A Micron Technology Inc. BK58F0088HVX001A -
RFQ
ECAD 8027 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 270
BK58F0095HVX010A Micron Technology Inc. BK58F0095HVX010A -
RFQ
ECAD 9927 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 270
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL08GNBB3EBK-0GCT 33.0000
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ECAD 8772 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT28HL08 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 270
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBB6EBL-0GCT -
RFQ
ECAD 5850 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 MT28HL32 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 270
N28H00CB03JDK11E Micron Technology Inc. N28H00CB03JDK11E -
RFQ
ECAD 7241 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 270
MT40A2G4PM-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4PM-083E:a -
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x13.2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 2G x 4 平行线 -
AT24C08D-UUM1B-T Microchip Technology AT24C08D-UUM1B-T -
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 4-XFBGA,WLCSP AT24C08 EEPROM 1.7v〜3.6V 4-wlcsp 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 8kbit 4.5 µs EEPROM 1k x 8 i²c 5ms
W25Q16JVSSIQ TR Winbond Electronics W25Q16JVSSIQ TR 0.5900
RFQ
ECAD 226 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) W25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
W25Q16JVXGIQ TR Winbond Electronics W25Q16JVXGIQ TR 0.4517
RFQ
ECAD 6748 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 W25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-XSON(4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
W25Q80JVUXIQ TR Winbond Electronics W25Q80JVUXIQ TR -
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 W25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
W25Q80JVSNIQ TR Winbond Electronics W25Q80JVSNIQ TR -
RFQ
ECAD 5426 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) W25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
W25Q80JVZPIQ TR Winbond Electronics W25Q80JVZPIQ TR -
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 W25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
DS2502AX-500+T ADI/Maxim Integrated DS2502AX-500+t -
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 4-ufbga,WLCSP DS2502 EPROM -OTP 2.8V〜6V 4-WLP(1.62x0.93) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0061 10,000 非易失性 1kbit EPROM 128 x 8 1-Wire® -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库