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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	可编程类型	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY14V101QS-SF108XI	15.2500	RFQ	4359	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY14V101	NVSRAM（SRAM）		2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	92	108 MHz		非易失性	1Mbit		NVSRAM	128K x 8	spi	-
SFEM010GB1ED1TO-I-5E-11P-STD	22.7300	RFQ	180	瑞士	EM-36	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SFEM010	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	153-BGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	200 MHz		非易失性	80Gbit		闪光	10g x 8	EMMC	-
W25Q128FVSJQ TR	-	RFQ	8530	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q128	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	W25Q128FVSJQTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz		非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	50µs，3ms
CY7C1313BV18-200BZC	-	RFQ	9968	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1313	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	200 MHz		易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
S29GL01GS10FHSS23	12.4950	RFQ	2557	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600			非易失性	1Gbit	100 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
UPD431000AGW-80Y	0.7800	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1
W972GG8JB25I	-	RFQ	8476	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	W972GG8	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	60-WBGA（11x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	189	200 MHz		易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
RM25C512C-LSNI-T	-	RFQ	4889	Adesto Technologies	Mavriq™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM25C512	CBRAM		1.65V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	20 MHz		非易失性	512kbit		CBRAM®	128字节页面大小	spi	100µs，5ms
S25HS02GTDZBHM050	40.5475	RFQ	3305	Infineon技术	Semper™	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）		1.7V〜2V	24-fbga（8x8）	-					3A991B1A	8542.32.0071	260	133 MHz		非易失性	2Gbit	6 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	1.7ms
AT45DB081E-SSHN-B	1.8900	RFQ	11	Adesto Technologies	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB081	闪光		1.7v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1265-1104-5	Ear99	8542.32.0071	98	85 MHz		非易失性	8mbit		闪光	264字节x 4096页	spi	8µs，4ms
71342LA45JI8	-	RFQ	3148	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	71342LA	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	400			易挥发的	32kbit	45 ns	SRAM	4K x 8	平行线	45ns
MR0A16AVYS35R	15.5400	RFQ	1896年	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）		3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500			非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
IS25LP512MG-RMLE-TR	6.9200	RFQ	360	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25LP512	闪光灯 -也不		2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz		非易失性	512Mbit	5.5 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
CAT24C02WGE	-	RFQ	6777	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C02	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz		非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CY7C1420KV18-250BZXI	42.8800	RFQ	64	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1420	Sram-同步，DDR II		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							7	250 MHz		易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
M29F010B70K6E	-	RFQ	3738	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M29F010	闪光灯 -也不		4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32			非易失性	1Mbit	70 ns	闪光	128K x 8	平行线	70NS
S25FL032P0XBHI020	0.8000	RFQ	5990	跨度	fl-p	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL032	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	104 MHz		非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
S29GL256S90FHSS20	6.9825	RFQ	5694	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800			非易失性	256Mbit	90 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
S25FL164K0XWEI009	-	RFQ	8338	Infineon技术	fl1-k	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	S25FL164	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	晶圆	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	25	108 MHz		非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
XC17S30XLPD8I	-	RFQ	5137	AMD	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	XC17S30XL		未行业行业经验证	3v〜3.6V	8-pdip	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	50		OTP		300kb
IS46TR16640A-125JBLA2	-	RFQ	4792	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz		易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
CY7C166-15VC	4.1300	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C166	sram-标准		4.5V〜5.5V	24-SOJ	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1			易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	16k x 4	平行线	15ns
MX25L3235EZNI-10G	0.8770	RFQ	9164	大元	MX25XXX35/36 -MXSMIO™	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX25L3235	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	570	104 MHz		非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	50µs，3ms
S29GL064S90DHI023	-	RFQ	1134	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL064	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200			非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
520966231016	-	RFQ	2425	Infineon技术	-	大部分	过时的									-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
CY14B104NA-ZSP45XI	29.4665	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）		2.7V〜3.6V	54-TSOP II	下载							1			非易失性	4Mbit	45 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
CAT64LC10J	0.1400	RFQ	4920	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT64LC10	EEPROM		2.5V〜6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz		非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	spi	5ms
CY62256VNLL-70ZRI	0.6700	RFQ	5	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY62256	sram-异步		2.7V〜3.6V	28-tsop i	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1			易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
IS61LPS51236A-250B3I	-	RFQ	1076	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS51236	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz		易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V124SA12PHI	-	RFQ	4853	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步		3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1			易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²