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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
70V3399S133333BC	179.1575	RFQ	1107	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	256-LBGA	70v3399	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 18	平行线	-
MT53D4D1ARQ-DC TR	-	RFQ	3792	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	2,000
W63AH2NBVACE TR	4.1409	RFQ	1080	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	178-VFBGA	W63AH2	sdram- lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	178-VFBGA （11x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W63AH2NBVACETR	Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 32	HSUL_12	15ns
IS43DR16128C-3DBL	9.5500	RFQ	6	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1567	Ear99	8542.32.0036	209	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
S25FL256SAGNFM003	8.9250	RFQ	9008	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	256Mbit	6.5 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	750µs
CAT93C76VE-G	0.2700	RFQ	9	Onmi	CAT93C76	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	-				2156-CAT93C76VE-G			1,110	3 MHz	非易失性	8kbit	100 ns	EEPROM	512 x 16，1k x 8	微线	-
GD55LT01GEF2RR	17.1434	RFQ	6424	gigadevice 半导体（香）	GD55LT	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	-				1970-GD55LT01GEF2RRTR			1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
MT62F1G32D2DS-023 WT ES：B TR	40.9200	RFQ	7633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023WTES：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
25C160/p	1.2600	RFQ	8234	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	25C160	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	5ms
SST39VF3202-70-4I-B3KE	4.0800	RFQ	3900	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF3202	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF3202704IB3KE	3A991B1A	8542.32.0051	480		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	10µs
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U	-	RFQ	5653	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT29RZ4				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
CG8348AA	-	RFQ	4081	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
CY7C0851V-133AXCT	-	RFQ	4237	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	176-LQFP	CY7C0851	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	176-TQFP（24x24）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	650	133 MHz	易挥发的	2Mbit		SRAM	64k x 36	平行线	-
CAT24C01YI-GT3	-	RFQ	9552	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
AT28HC256E-70TI	-	RFQ	4782	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT28HC256	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-tsop	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT28HC256E70TI	Ear99	8542.32.0051	234		非易失性	256kbit	70 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
AT49BV1604AT-90CI	-	RFQ	3231	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	45-TFBGA，CSBGA	AT49BV1604	闪光	2.65V〜3.3V	45-CBGA（6.5x7.5）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	364		非易失性	16mbit	90 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	50µs
MT29F4G08ABADAWP-AATX：d	7.6100	RFQ	353	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT44K64M18RB-107E：a	64.4550	RFQ	3877	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	933 MHz	易挥发的	1.125Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
CY62157ESL-45ZSXI	13.5900	RFQ	3874	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62157	sram-异步	2.2v〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
IS34MW04G084-TLI-TR	8.4321	RFQ	4704	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34MW04	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Gbit	45 ns	闪光	512m x 8	平行线	45ns
IS43TR16128DL-125KBLI-TR	4.5807	RFQ	1876年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16128DL-125KBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
S99-50344	-	RFQ	6568	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
S29GL512S10FHI013	-	RFQ	9222	跨度	GL-S	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
70V24L20PFGI8	42.4681	RFQ	1769年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v24	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	4K x 16	平行线	20NS
IDT71016S-15PH	3.5000	RFQ	619	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-				3277-IDT71016S-15PH	Ear99	8542.32.0041	100		易挥发的	1Mbit		SRAM	64k x 16	平行线	15ns	未行业行业经验证
SST26VF032B-104I/SM70SVAO	-	RFQ	6294	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	SST26VF032	闪光	2.7V〜3.6V	8-soij	下载		（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
CY14V104LA-BA45XIT	42.4725	RFQ	8019	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14V104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		非易失性	4Mbit	45 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	45ns
IDT71V3557SA80BGGI	-	RFQ	1459	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3557SA80BGGI	3A991B2A	8542.32.0041	84		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CAT28C256G12	-	RFQ	1000	Onmi	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	256kbit	120 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	5ms
S99AL008J0330	-	RFQ	4879	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²