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![]() | MT28F800B5WG-8 TET TR | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28F800B5 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 48-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 80 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 80ns | |||
![]() | 7133SA55J8 | - | ![]() | 7536 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7133SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 32kbit | 55 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | 7006S17J | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7006S17 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 易挥发的 | 128kbit | 17 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 17ns | |||
![]() | MT46V64M8FN-75 L:D Tr | - | ![]() | 7064 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | Rohs不合规 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
IS43DR16640B-25DBL | 6.1100 | ![]() | 6098 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1275 | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
70V7319S133BFI | 197.0600 | ![]() | 9412 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 208-LFBGA | 70v7319 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 208-cabga(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | SM662GBE-BDST | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | SM662 | Flash -nand(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1984-SM662GBE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | IDT71V3559S75PF | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V3559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3559S75PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | W25Q512NWEIM | - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q512 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q512NWEIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 6 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3ms | |
![]() | 71V65703S75BG8 | 26.1188 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v65703 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | AT25640A-10PU-1.8 | - | ![]() | 1897年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | AT25640 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | 非易失性 | 64kbit | EEPROM | 8k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | AT24C04C-MAHM-T | 0.3200 | ![]() | 6911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT24C04 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-udfn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 550 ns | EEPROM | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | IS25LQ032B-JMLE-TR | - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IS25LQ032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms | |||
![]() | AT27C2048-70VC | - | ![]() | 1652 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 40-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) | AT27C2048 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 40 VSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT27C204870VC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 160 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | EPROM | 128K x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | MT45W4MW16PCGA-70 IT | - | ![]() | 1829年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | IS25WP032D-JBLE | 1.2500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25WP032 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | |||
![]() | 7130SA20PF8 | - | ![]() | 1235 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7130SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 8kbit | 20 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | AT24C32E-UUM0B-T | - | ![]() | 9136 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 5-XFBGA,WLCSP | AT24C32E | EEPROM | 1.7v〜3.6V | 5-wlcsp | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 32kbit | 450 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | MT29F64G8CBABAL84A3WC1 | - | ![]() | 9423 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F64G8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | IS61DDB21M36-250M3 | - | ![]() | 9951 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61DDB21 | Sram-同步,DDR II | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46V64M8TG-6T:f tr | - | ![]() | 5828 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT28F400B3SG-8 BET TR | - | ![]() | 5005 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) | MT28F400B3 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 44-SO | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 非易失性 | 4Mbit | 80 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 80ns | |||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA2 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128C-18BPLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
24AA025T-i/st | 0.4050 | ![]() | 2221 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 24AA025 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | BR93L76-W | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | BR93L76 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 2 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 512 x 16 | 微线 | 5ms | |||
![]() | M29W200BB70N6E | - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W200 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | 闪光 | 256K x 8,128k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | S25FL032P0XNFB000 | 3.3100 | ![]() | 954 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | |||
W25Q32JVZPAM | - | ![]() | 5596 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x5) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q32JVZPAM | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||
![]() | 709269L12PF | - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 709269L | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1041G30-10BAJXE | 11.7400 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY7C1041 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS |
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