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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
BR24S32FJ-WE2	0.5956	RFQ	8269	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR24S32	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
W25X80VSSIG	-	RFQ	9041	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25x80	闪光		2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	90	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	3ms
W632GU8KB-12 TR	-	RFQ	5498	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L	未行业行业经验证	1.283V〜1.45V	78-WBGA（10.5x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29F1G08ABAFAWP-AATES：f	-	RFQ	6153	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F1G08	Flash -nand（slc）		2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	20NS
5962-8700202UA	-	RFQ	3474	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	5962-8700202	sram-双端口，同步		4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8700202UA	过时的		34		易挥发的	16kbit	90 ns	SRAM	2k x 8	平行线	90NS
IS43TR16640BL-125KBL-TR	-	RFQ	1743年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640BL-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S16320B-6TL-Tr	-	RFQ	3951	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
R1LV0108ESN-5SI ＃S0	-	RFQ	5696	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.450英寸，11.40mm宽度）	R1LV0108	SRAM		2.7V〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
49Y1404-C	62.5000	RFQ	6342	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-49Y1404-C	Ear99	8473.30.5100	1
C-2133D4DR4RLP/16G	132.5000	RFQ	8843	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-C-2133D4DR4RLP/16G	Ear99	8473.30.5100	1
M5M51008DVP-70HIBT	6.3000	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	M5M51008D	SRAM		4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	不适用				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
CY7C1165KV18-550BZXC	68.9325	RFQ	3563	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1165	sram-同步，QDR II+		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1165KV18-550BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	136	550 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
CG8553AA	-	RFQ	8125	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响		过时的		96
CAT24C164WI-G	-	RFQ	3152	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C164	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	CAT24C164WIG	Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
AS1C512K16P-70BIN	3.7800	RFQ	1	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	AS1C512	PSRAM （伪 SRAM）		2.6v〜3.3V	48-fbga（6x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1474	3A991B2A	8542.32.0041	364		易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
AT25320AN-10SU-2.7	-	RFQ	6155	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25320	EEPROM		2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		AT25320AN-10SU2.7	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
MT53D512M64D8HR-053 WT ES：b	-	RFQ	6258	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4		1.1V	366-WFBGA（12x12.7）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
S29GL512S10DHSSSSS50	8.8900	RFQ	6262	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,600		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
AS4C4M16SA-5TCN	2.5305	RFQ	7987	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS4C4M16	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	64mbit	4.5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	2NS
70T651S12BC8	302.7209	RFQ	4625	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70T651	sram-双端口，异步		2.4v〜2.6V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	9Mbit	12 ns	SRAM	256K x 36	平行线	12ns
BR24C16-RMN6TP	0.6900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR24C16	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	100 kHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	i²c	10ms
S29GL128S90DHI013	6.2300	RFQ	4430	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	128mbit	90 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns
S71VS128RB0AHK4L0	-	RFQ	7903	Infineon技术	vs-r	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	S71VS128	闪光灯，psram		1.7V〜1.95V	56-VFRBGA（7.7x6.2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-S71VS128RB0AHK4L0	过时的		100	108 MHz	非易失性，挥发性	（128 毫米（闪光灯），32mbit（RAM））		闪光，ram	-	平行线	-
IS42S16160D-7BL-TR	-	RFQ	9259	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram		3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
71V416L15BEG8	-	RFQ	4673	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步		3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
W25Q80BVZPSG	-	RFQ	2991	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q80	闪光灯 -也不		2.5V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80BVZPSG	过时的		1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
CY7C131-15JC	-	RFQ	7632	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	CY7C131	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0041	690		易挥发的	8kbit	15 ns	SRAM	1k x 8	平行线	15ns	未行业行业经验证
IS43TR85120BL-125KBL	6.4066	RFQ	7251	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120BL-125KBL	Ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
NQE7230	30.6700	RFQ	1	英特尔	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	360
PC28F256J3F95B TR	-	RFQ	7233	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F256	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	256Mbit	95 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	95ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²