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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
QS7026A-20J	27.5400	RFQ	275	质量半导体	QS7026A	大部分	过时的	0°C〜70°C	表面安装	-	QS7026A	SRAM	5V	-	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	1	50 MHz	易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	16k x 16		20NS
MT46V16M16P-5B IT：m tr	-	RFQ	1570年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IDT71V65602S150PFI	-	RFQ	1811	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v65602s150pfi	3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
NDL26PFG-9MI TR	-	RFQ	6170	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT52L8DBQC-DC	-	RFQ	8387	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT52L8				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
DS1230Y-1220	-	RFQ	3299	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.600英寸，15.24毫米）	DS1230Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Edip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	DS1230Y120	Ear99	8542.32.0041	12		非易失性	256kbit	120 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	120ns
SM668QEB-ACS	-	RFQ	1103	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM668				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1
24AA16-i/st	0.4350	RFQ	4258	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24AA16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
IS46TR16512S2DL-125KBLA1	-	RFQ	1535年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS46TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
S29AL008J70TFM020	-	RFQ	1914年	Infineon技术	al-J	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29AL008	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
IS43QR85120B-083RBLI-TR	9.5494	RFQ	3476	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-083RBLI-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
AT27C256R-45JU	2.7400	RFQ	6791	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	AT27C256R45JU	Ear99	8542.32.0061	32		非易失性	256kbit	45 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
MT25TL512BBA8ESF-0AAT	14.4100	RFQ	4	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25TL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	1,440	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
PC28F640J3D75E	-	RFQ	7689	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864		非易失性	64mbit	75 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	75ns
71V65603S133BQGI	28.5570	RFQ	5978	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT42L128M32D1LF-25 wt：a tr	-	RFQ	8471	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	MT42L128M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	168-FBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
24LC128T-I/SMG	0.8250	RFQ	9087	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	24LC128	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,100	400 kHz	非易失性	128kbit	900 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
R1LV0816ABG-5SI ＃S0	-	RFQ	7083	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	R1LV0816A	SRAM	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（7.5x8.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
W25Q64JVSFJQ TR	-	RFQ	8824	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	W25Q64JVSFJQTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
M27C64A-20F6	-	RFQ	1050	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	M27C64	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	28-cdip板条密封与窗户	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	13		非易失性	64kbit	200 ns	EPROM	8k x 8	平行线	-
IDT71V65603S150PF8	-	RFQ	2864	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65603S150PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IDT71V25761S183PFI8	-	RFQ	3463	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V25761S183PFI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	183 MHz	易挥发的	4.5mbit	5.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
DS28E10P-W22+2TW	-	RFQ	9701	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E10	EPROM -OTP	2.8v〜3.6V	6-TSOC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	224位		EPROM	28 x 8	1-Wire®	-
IDT71V2546S150PF8	-	RFQ	7569	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V2546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V2546S150PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
RC28F256P30TFF TR	-	RFQ	4887	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,000	52 MHz	非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	100ns
24AA01HT-I/SN	0.3000	RFQ	5318	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24AA01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24AA01HT-I/SNTR	Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
CY7C1623KV18-300BZXC	215.4000	RFQ	113	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1623	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	300 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-
IDT71V3557SA80BGI8	-	RFQ	6435	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3557SA80BGI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CAT28F001H-12T	-	RFQ	5854	催化剂半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CAT28F001	闪光	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	1Mbit	120 ns	闪光	128K x 8	平行线	120ns
MX25V8035FM1I	0.5200	RFQ	55	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MX25V8035	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1195	Ear99	8542.32.0071	98	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	2m x 4，4m x 2，8m x 1	spi	100µs，4ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²