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IS66WV51216EBLL-70TLI	2.4473	RFQ	5649	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR	2.2706	RFQ	9745	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
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MT49H8M36SJ-TI：b tr	-	RFQ	6719	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000		易挥发的	288Mbit		德拉姆	8m x 36	平行线	-
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RM25C64C-LSNI-B	-	RFQ	4342	Adesto Technologies	Mavriq™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM25C64	CBRAM	1.65V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1265-1225	Ear99	8542.32.0071	98	10 MHz	非易失性	64kbit		CBRAM®	32字节页面大小	spi	100µs，5ms
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²