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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | N25Q128A13EF840F TR | - | ![]() | 8622 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | N25Q128A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-vdfpn(MLP8)(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 32m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | S80KS5122GABHI023 | 18.0950 | ![]() | 9199 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 35 ns | PSRAM | 64m x 8 | 超肥 | 35ns | |||||
![]() | 71V3579S85PFI | 2.0100 | ![]() | 342 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3579 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | AT49F040A-55PI | - | ![]() | 8256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 通过洞 | 32 滴(0.600英寸,15.24毫米) | AT49F040 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 12 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | 40µs | ||||
![]() | MT29F512G08CKCBBH7-6R:b tr | - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | W9864G6KH-5 Tr | 1.3934 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | W9864G6 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | 100142DC | 9.4500 | ![]() | 148 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 通过洞 | 24-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 100142 | 凸轮 | - | 24-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 非易失性 | 16位 | 4.5 ns | 凸轮 | 4 x 4 | 平行线 | - | ||||
![]() | 7038L20PFGI8 | - | ![]() | 4779 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7038L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 1.125Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 18 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | 7005SJ8 | - | ![]() | 7846 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | - | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | - | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005SJ8TR | 1 | 易挥发的 | 64kbit | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | - | ||||||||||
![]() | UCS-MR-1X041RX-AC | 37.5000 | ![]() | 9798 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-UCS-MR-1X041RX-AC | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT27BV010-12TI | - | ![]() | 7879 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT27BV010 | EPROM -OTP | 2.7V〜3.6V,4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT27BV01012TI | Ear99 | 8542.32.0061 | 156 | 非易失性 | 1Mbit | 120 ns | EPROM | 128K x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | 27S25ADM/b | 125.6100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rochester Electronics,LLC | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT93C86A-10PI-1.8 | - | ![]() | 3516 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | AT93C86A | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 2 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8,1k x 16 | 3线序列 | 10ms | ||||
![]() | CY7C199C-15ZXC | - | ![]() | 5087 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,170 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR | - | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 384m x 64 | - | - | ||||
![]() | W25Q80EWUXBE | - | ![]() | 2958 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | W25Q80 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-uson(2x3) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q80EWUXBE | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 30µs,800µs | ||||
![]() | CY7C1360A1-166AJC | 7.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1360 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | 5.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MB85RC512 | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 3.4 MHz | 非易失性 | 512kbit | 130 ns | 框架 | 64k x 8 | i²c | - | |||
![]() | AM29F040B-70JF | - | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | AM29F040 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Q7372352 | Ear99 | 8542.32.0071 | 30 | 非易失性 | 4Mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | AT45DQ321-MHD-T | - | ![]() | 7138 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | AT45DQ321 | 闪光 | 2.5V〜3.6V | 8-udfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 528 x 8192页 | spi | 8µs,4ms | ||||
![]() | GD25WD05CTIG | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | GD25WD05 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 100 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | IDT71V416VS10PH8 | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IDT71V416 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71v416vs10ph8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | MT49H32M18CFM-18:b | - | ![]() | 5500 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | IDT71V67602S166BG8 | - | ![]() | 1839年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | IDT71V67602 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V67602S166BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | CY7C1545KV18-450BZXI | 239.7500 | ![]() | 283 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1545 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 450 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C244-25PC | 9.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C244 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 32kbit | 25 ns | EPROM | 4K x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | M45PE16-VMW6TG | 1.9700 | ![]() | 892 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | M45PE16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-M45PE16-VMW6TGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi | 3ms | |||
![]() | EMB8132B4PM-DV-FD | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | EMB8132 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,680 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL256N10FAI013 | - | ![]() | 3098 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-N | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8,16m x 16 | 平行线 | 100ns | |||||
![]() | AT27C020-55JU | - | ![]() | 1686年 | 0.00000000 | atmel | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | AT27C020 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 2Mbit | 55 ns | EPROM | 256K x 8 | 平行线 | - |
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