SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F128G08AMCDBL1-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBL1-6:D Tr -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12M:a tr -
RFQ
ECAD 9078 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-vbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6R:D Tr -
RFQ
ECAD 5317 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D -
RFQ
ECAD 9684 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08EBEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP:b tr -
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFDSF-AAT:f tr 4.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT29F1G01 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 16件事 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 1G x 1 spi -
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX:e tr 3.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-ITE:f tr -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-ITE:f tr 3.4600
RFQ
ECAD 1932年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37:b tr -
RFQ
ECAD 7061 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1HT08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1.5Tbit 闪光 192g x 8 平行线 -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:b tr -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1HT08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1.5Tbit 闪光 192g x 8 平行线 -
MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCBBH8-6R:b tr -
RFQ
ECAD 6825 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6R:a tr -
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37:b tr -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T208 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1.125Tbit 闪光 144g x 8 平行线 -
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES:b tr -
RFQ
ECAD 9922 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 272-VFBGA MT29F1T208 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 272-vbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 1.125Tbit 闪光 144g x 8 平行线 -
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKCBBK7-6:b tr -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKEBBK7-12:b tr -
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.5V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12:b tr -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.5V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10ES:b tr -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3R:b tr -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR -
RFQ
ECAD 1802年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.5V〜3.6V 152-vbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12Z:a tr -
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR -
RFQ
ECAD 3077 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 267 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EFCDBWP-10M:d tr -
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX:e tr 3.7059
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AT:e tr -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR 2.8500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4-IT:f tr -
RFQ
ECAD 9556 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC-AIT:e tr 4.6600
RFQ
ECAD 2056 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 128m x 16 平行线 -
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CQCBBG2-37ES:b tr -
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29F2T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 272-TBGA(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库