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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25M512JVCIQ | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25M512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi | - | |||
![]() | 24lc04bt-i/mny | 0.3900 | ![]() | 7163 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 24LC04B | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 4Kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | ||
![]() | IS46TR81280BL-125JBLA2 | - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 | Ear99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | MT52L512M32D2PF-093 WT:b | - | ![]() | 9388 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 178-VFBGA | MT52L512 | sdram- lpddr3 | 1.2V | 178-fbga(11.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,890 | 1067 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | S29AL016J70BAI010 | 2.0992 | ![]() | 7583 | 0.00000000 | Infineon技术 | al-J | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29AL016 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 676 | 非易失性 | 16mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 8,1m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | BR24S32FVT-WE2 | 0.5502 | ![]() | 8829 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | BR24S32 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-TSSOP-B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 32kbit | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CY27C256A-70WC | 2.6400 | ![]() | 3499 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | CY27C256 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-Cerdip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | S29GL256P10FAI022 | 9.1700 | ![]() | 4187 | 0.00000000 | Infineon技术 | gl-p | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 100ns | |||
![]() | N25Q128A23BSF40E | - | ![]() | 4742 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | N25Q128A23 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 32m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | 71V424L12PHGI8 | 8.4001 | ![]() | 2458 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v424 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | AS4C16M32MD1-5BIN | 5.7164 | ![]() | 3580 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TJ) | 表面安装 | 90-VFBGA | AS4C16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-FBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1121 | Ear99 | 8542.32.0028 | 160 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS25LX256-JHLA3-Tr | 4.3200 | ![]() | 2460 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LX256 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi -octal I/o | - | ||
![]() | CT51264BF160B-C | 19.7500 | ![]() | 9443 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-CT51264BF160B-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | W25M02GVTBIR | - | ![]() | 4974 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25M02 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25M02GVTBIR | 过时的 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||
![]() | MT29F1T08EELEEJ4-QJ:e | 26.4750 | ![]() | 2373 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F1T08EELEEEEEJ4-QJ:e | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | GVT71256D36T-5 | 4.4500 | ![]() | 9444 | 0.00000000 | Galvantech | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | GVT71256D | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | M25P16-VMN6TP TR | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M25P16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi | 15ms,5ms | |||
![]() | upd44164182bf5-e33y-eq3-a | 37.1700 | ![]() | 654 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MX75U25690FXDR02 | - | ![]() | 5236 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MX75U25690 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 24-cspbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1092-1267 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 120 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 64m x 4 | spi | - | ||
![]() | IS42R32800J-7TLI | - | ![]() | 1889年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | IS42R32800 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | ||||||||||||||||
![]() | S34MS01G100BHB003 | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS25LP032D-JBLA3 | 1.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LP032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP032D-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | ||
![]() | GD25LQ32DWIGR | 0.8494 | ![]() | 7584 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25LQ32 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
![]() | MT29F1T08EBLCHD4-M:c | 20.9850 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-M:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C027V-25ACKJ | 33.7300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C027 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 25 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 25ns | |||
![]() | DS1265AB-70IND | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36 DIP 模块(0.610英寸,15.49毫米) | DS1265AB | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 36-Edip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | NVSRAM | 1m x 8 | 平行线 | 70NS | |||
MT41K64M16TW-107 XIT:J Tr | 4.0457 | ![]() | 8956 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | CY62146CV30LL-55BAI | 2.3000 | ![]() | 216 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL2™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62146 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-fbga(7x8.5) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS42SM32400G-75BLI | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | S25FS064SAGMFI010 | 2.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | FS-S | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - |
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