电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP032D-JBLA3 | 1.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LP032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP032D-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | ||
![]() | GD25LQ32DWIGR | 0.8494 | ![]() | 7584 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25LQ32 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
![]() | MT29F1T08EBLCHD4-M:c | 20.9850 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-M:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C027V-25ACKJ | 33.7300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C027 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 25 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 25ns | |||
![]() | DS1265AB-70IND | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36 DIP 模块(0.610英寸,15.49毫米) | DS1265AB | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 36-Edip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | NVSRAM | 1m x 8 | 平行线 | 70NS | |||
MT41K64M16TW-107 XIT:J Tr | 4.0457 | ![]() | 8956 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | CY62146CV30LL-55BAI | 2.3000 | ![]() | 216 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL2™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62146 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-fbga(7x8.5) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS42SM32400G-75BLI | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | S25FS064SAGMFI010 | 2.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | FS-S | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||
![]() | CYK512K16SCAU-70BAXI | - | ![]() | 2030 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CYK512K16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.3V | 48-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 70 ns | PSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
24LC01BT-E/OT16KVAO | - | ![]() | 9789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | 24LC01B | EEPROM | 2.5V〜5.5V | SOT-23-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 1kbit | 900 ns | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 WT:b | 36.0000 | ![]() | 1810 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT:b | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CG8431AA | - | ![]() | 2285 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CG8241AA | - | ![]() | 6576 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
IS62WV2568BLL-55BLI-TR | 2.1507 | ![]() | 9241 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV2568 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | CG8414AA | - | ![]() | 2788 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 115 | |||||||||||||||||
![]() | S25FL164K0XBHV030 | - | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl1-k | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||
![]() | CY7C1069G-10BVXI | 38.5000 | ![]() | 1508 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1069 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4,800 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | W25M512JVCIQ TR | - | ![]() | 1768年 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25M512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi | - | |||
![]() | R1LP0408CSC-5SC #D0 | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||
W632GG6KB-11 tr | - | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR | 10.5203 | ![]() | 7306 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | BR93L56RFV-WE2 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-lssop (0.173“,4.40mm宽度) | BR93L56 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8SSOP-B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 128 x 16 | 微线 | 5ms | |||
![]() | CY62136VNLL-55ZSXA | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62136 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 675 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | |||
70V26L25JI | - | ![]() | 3638 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | 70V26L | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | IS61LPS204818A-166TQL-TR | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPS204818 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.5 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62WV25616ECLL-35BLI | 3.9214 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 3.135V〜3.465V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV25616ECLL-35BLI | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 35 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 35ns | ||||||
CY7C1471V33-133 | - | ![]() | 1383 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1471 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 6.5 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | BQ4014MB-85 | - | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 32 浸模块(0.61英寸,15.49毫米) | BQ4014 | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.5V | 32 DIP 模块( 18.42x52.96) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 2Mbit | 85 ns | NVSRAM | 256K x 8 | 平行线 | 85ns | |||
![]() | S26361-F3934-L515-C | 120.0000 | ![]() | 5865 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-S26361-F3934-L515-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库