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![]() | MT29E128G08CECDBJ4-6:d tr | - | ![]() | 1164 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||||
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S26KL512SDABHV030 | 12.6525 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperFlash™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2832-S26KL512SDABHV030-428 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 100 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 96 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | RMLV0808BGSB-4S2#ha0 | 19.3200 | ![]() | 719 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | RMLV0808 | SRAM | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 45ns |
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