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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F1T08CUCABK8-6:A Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABK8-6:a -
RFQ
ECAD 6161 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F256G08AUCABK4-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABK4-10:a -
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6M:a tr -
RFQ
ECAD 5395 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACBWP-12:c tr -
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT29F1T08CUEABH8-12:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUEABH8-12:A TR -
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ECAD 7156 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F32G08ABAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAWP:A TR -
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
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ECAD 7681 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT29F1G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-E:d -
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ECAD 5619 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAWP-IT:a -
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ECAD 8567 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F4G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-E:d -
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ECAD 8240 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITE:d -
RFQ
ECAD 4981 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12IT:a -
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ECAD 4726 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
NAND128W3AABN6E Micron Technology Inc. NAND128W3AABN6E -
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ECAD 5256 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand128 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128mbit 50 ns 闪光 16m x 8 平行线 50ns
NAND512R3A2SN6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6F -
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ECAD 1864年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand512 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 512Mbit 50 ns 闪光 64m x 8 平行线 50ns
NAND512R3A2SZA6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6F -
RFQ
ECAD 8813 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-TFBGA Nand512 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 512Mbit 50 ns 闪光 64m x 8 平行线 50ns
MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP-IT:b tr -
RFQ
ECAD 4659 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10:b tr -
RFQ
ECAD 1687年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT41K256M16HA-125 V:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 V:E TR -
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ECAD 6318 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 XIT:p tr 10.6400
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ECAD 12 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECDBJ4-10:D Tr -
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ECAD 3615 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AAT:p tr 9.6400
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ECAD 3 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E128G08CECDBJ4-6:d tr -
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ECAD 1164 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29E128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12:c tr -
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ECAD 5224 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.5V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F128G08CFAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP:a tr -
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ECAD 3979 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12IT:b tr -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABAWP-IT:b tr -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCBBH2-10:b tr -
RFQ
ECAD 8275 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMECBH7-12:c tr -
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
S26KL512SDABHV030 Infineon Technologies S26KL512SDABHV030 12.6525
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 Infineon技术 HyperFlash™KL 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-vbga S26KL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-fbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2832-S26KL512SDABHV030-428 3A991B1A 8542.32.0071 676 100 MHz 非易失性 512Mbit 96 ns 闪光 64m x 8 平行线 -
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America Inc RMLV0808BGSB-4S2#ha0 19.3200
RFQ
ECAD 719 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) RMLV0808 SRAM 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库