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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	控制器类型	sic可编程
BQ2204ASN-NTR	-	RFQ	4289	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	BQ2204		4.5V〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500									sram
MT58L128L32P1F-10	7.5200	RFQ	256	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112	16.7100	RFQ	5444	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112			1
5962-9166207MXA	508.6652	RFQ	7499	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	84-BPGA	5962-9166207	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-9166207MXA			3		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	4K x 16	平行线	35ns
IS42S83200G-7TLI-TR	6.1201	RFQ	1355	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IDT71V3556S166BG8	-	RFQ	7866	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3556S166BG8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
S25FL128SDSBHV203	3.6925	RFQ	3469	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	80 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
W66BL6NBUAFJ TR	5.6550	RFQ	8840	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	W66BL6	sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W66BL6NBUAFJTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	LVSTL_11	18NS
AT24C1024BU4-UU-T	-	RFQ	5429	atmel	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfbga	AT24C1024	EEPROM	1.8v〜3.6V	8-vfbga（2.47x4.07）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1Mbit	550 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
SM662GX8-ACS	-	RFQ	8643	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM662				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1
CG8975AMT	-	RFQ	4857	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产								-			到达不受影响				1
S29GL256S90TFA020	7.6825	RFQ	5166	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	910		非易失性	256Mbit	90 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
AT25DN512C-XMHF-B	0.3140	RFQ	5863	Adesto Technologies	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25DN512	闪光	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi	8µs，1.75ms
MT48LC32M16A2P-75：c tr	-	RFQ	6580	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
25LC040AT-I/ST	0.6300	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	25LC040	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
25AA040/p	0.7950	RFQ	6417	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	25AA040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	25AA040/P-NDR	Ear99	8542.32.0051	60	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
NM93C46AEN	0.2000	RFQ	8783	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93C46A	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	10ms
IS61VVF409618B-7.5TQL-Tr	125.3000	RFQ	3230	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VVF409618	sram-同步，sdr	1.71V〜1.89V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C027-20AXC	38.2700	RFQ	3815	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C027	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	512kbit	20 ns	SRAM	32k x 16	平行线	20NS
S29GL032N90TFI040	7.4700	RFQ	30	赛普拉斯半导体公司	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL032N90TFI040			70		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS		经过验证
71V3557S80PFG8	8.5003	RFQ	2910	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416l10be	8.3300	RFQ	406	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
7164L20TPG	-	RFQ	5880	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	14		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
W25Q32JVSFIQ	0.9800	RFQ	20	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
PAL16R8AJ/883	8.6600	RFQ	198	国家半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.39.0001	1
CY7C266-25WC	20.6300	RFQ	1399年	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）			CY7C266	EPROM -UV	4.5V〜5.5V		-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	2156-CY7C266-25WC	Ear99	8542.32.0061	1		非易失性	64kbit	25 ns	EPROM	8k x 8	平行线	-		未行业行业经验证
AT24HC04BN-SP25-T	-	RFQ	3949	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24HC04	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-				150-AT24HC04BN-SP25-TTR	过时的		1,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
AS4C512M16D3LA-10BINTR	26.3250	RFQ	9522	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（13.5x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C512M16D3LA-10BINTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
M95M01-DFCS6TP/k	2.5000	RFQ	6	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，WLCSP	M95M01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-wlcsp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	16 MHz	非易失性	1Mbit		EEPROM	128K x 8	spi	5ms
GD25LQ80CSIG	0.3752	RFQ	2893	gigadevice 半导体（香）	-	管子	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	GD25LQ80	闪光灯 -也不	1.65v〜2.1V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	9,500	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²