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MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCBBJ7-6R:b tr -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F2T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCCBJ7-6R:c tr -
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ECAD 1982 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F2T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12:d tr -
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ECAD 6324 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBHBBJ4-3Res:b tr -
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ECAD 5044 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F384G08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 384Gbit 闪光 48g x 8 平行线 -
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQHBBG2-3R:b tr -
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ECAD 7547 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29F3T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 272-TBGA(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 3Tbit 闪光 384g x 8 平行线 -
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AATX:D TR 5.4563
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ECAD 4924 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D Tr -
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ECAD 6665 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EYHBBG9-3R:b tr -
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ECAD 3823 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10ES:b tr -
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ECAD 7318 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6R:b tr -
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ECAD 9539 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D -
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ECAD 8873 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-10:b tr -
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ECAD 2633 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X:b tr -
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ECAD 5826 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBHGBJ4-3Res:g tr -
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ECAD 3961 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3RES:b tr -
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ECAD 1662 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F6T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 6Tbit 闪光 768g x 8 平行线 -
MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37:b tr -
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ECAD 7421 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F768G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 768Gbit 闪光 96g x 8 平行线 -
MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EEHBBJ4-3Res:b tr -
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ECAD 1910 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F768G08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 768Gbit 闪光 96g x 8 平行线 -
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08BABAWP-AITX:b tr -
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ECAD 7074 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR -
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ECAD 2279 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 162-VFBGA MT29RZ2B1 flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA(10.5x8) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 非易失性,挥发性 2GBIT(NAND),1Gbit(lpddr2) 闪光,ram 256m x 8 nand),32m x 32 lpddr2) 平行线 -
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F Tr -
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ECAD 6113 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29RZ4 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR 19.5900
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ECAD 990 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 162-VFBGA MT29RZ4B4 flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA(10.5x8) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),4GBIT(LPDDR2) 闪光,ram 128m x 32 nand),128m x 32 lpddr2) 平行线 -
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR -
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ECAD 7975 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) - - MT29RZ4C8 flash -nand,dram -lpddr2 1.8V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),4GBIT(LPDDR2) 闪光,ram 256m x 16 nand),128m x 32 lpddr2) 平行线 -
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR -
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ECAD 4136 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000
MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR -
RFQ
ECAD 6916 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MT29TZZZ5 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR -
RFQ
ECAD 3341 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MT29TZZZ5 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000
MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K TR -
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ECAD 1226 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C - - MT29TZZZ8 flash -nand,dram -lpddr3 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 800 MHz 非易失性,挥发性 64Gbit(NAND),8Gbit(8Gbit)lpddr3) 闪光,ram 68g x 8 nand),256m x 32 lpddr3) MMC,LPDRAM -
MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR -
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ECAD 7021 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MT35XL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 XCCELA巴士 -
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR Micron Technology Inc. MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR -
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ECAD 8836 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT38Q2071 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR Micron Technology Inc. MT38W2011A90YZQXZI.x68 Tr -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT38W2011 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR Micron Technology Inc. MT38W201DAA033JZZI.x68 Tr -
RFQ
ECAD 1322 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库