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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
BR93L76-W	-	RFQ	8821	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	BR93L76	EEPROM	1.8V〜5.5V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	2 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
S25FL032P0XNFB000	3.3100	RFQ	954	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-p	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
709269L12PF	-	RFQ	1448	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709269L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	-
CY7C1041G30-10BAJXE	11.7400	RFQ	480	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
W25Q512NWFIM TR	-	RFQ	2629	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q512	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q512NWFIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit	6 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	3ms
70V3569S5BFI	113.5629	RFQ	2287	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70v3569	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	208-cabga（15x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	7		易挥发的	576kbit	5 ns	SRAM	16k x 36	平行线	-
CY7C1041G30-10BVXI	7.2200	RFQ	5745	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
AS4C64M16D3LB-12BIN	7.7500	RFQ	202	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IDT71V3559SA80BQGI8	-	RFQ	1510	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3559SA80BQGI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
7005L25J8	-	RFQ	2506	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7005L25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
AT49BV040-15VC	-	RFQ	4601	微芯片技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	AT49BV040	闪光	2.7V〜3.6V	32-VSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT49BV04015VC	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	4Mbit	150 ns	闪光	512k x 8	平行线	50µs
0418A4ACLAA-4F	42.6600	RFQ	7	IBM	-	大部分	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BBGA	-	SRAM	3.135V〜3.465V	119-BGA （22x14）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	4.3 ns	SRAM	256K x 18	HSTL	-
S26361F4026E764-C	618.7500	RFQ	4637	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361F4026E764-C	Ear99	8473.30.5100	1
71V65703S75BG8	26.1188	RFQ	2405	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W631GG6NB11I	4.8800	RFQ	344	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6NB11I	Ear99	8542.32.0032	198	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
CY7C144-55JC	-	RFQ	7510	Infineon技术	-		过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	CY7C144	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.23x24.23）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
MR20H40CDFR	20.6850	RFQ	5963	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR20H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	50 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
IS42S32160F-75ETL	12.0885	RFQ	9555	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
NM93CS46M8	-	RFQ	6021	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NM93CS4	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NM93S46M8	Ear99	8542.32.0051	95	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	10ms
CY7C1021BN-15VXE	-	RFQ	1473	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	17		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
mtfc256gavattc-aat tr	90.4350	RFQ	3154	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC256GAVATTC-AATTR			2,000
MT48LC32M16A2P-75 L：C Tr	-	RFQ	7147	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS64WV102416BLL-10MA3-TR	-	RFQ	3772	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS64WV102416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
IDT71V3577SA80BGG	-	RFQ	6111	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3577SA80BGG	3A991B2A	8542.32.0041	84		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
S25FL128LAGMFI001	4.4100	RFQ	103	Infineon技术	fl-l	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	47	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MT29F1G08ABADAH4-ITE：d	-	RFQ	2641	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT42L128M32D1LF-18 wt：a tr	-	RFQ	9284	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	MT42L128M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	168-FBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	533 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
IS43R16320D-6BL-TR	7.1700	RFQ	7580	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
AT45D011-SC	-	RFQ	6108	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT45D011	闪光	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT45D011SC	Ear99	8542.32.0071	95	15 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	264字节x 512页	spi	15ms
W25Q32JVZPAM	-	RFQ	5596	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q32JVZPAM			1	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²