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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	控制器类型	sic可编程
AT25DN512C-XMHF-B	0.3140	RFQ	5863	Adesto Technologies	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25DN512	闪光	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi	8µs，1.75ms
MT48LC32M16A2P-75：c tr	-	RFQ	6580	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
25LC040AT-I/ST	0.6300	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	25LC040	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
25AA040/p	0.7950	RFQ	6417	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	25AA040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	25AA040/P-NDR	Ear99	8542.32.0051	60	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
NM93C46AEN	0.2000	RFQ	8783	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93C46A	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	10ms
IS61VVF409618B-7.5TQL-Tr	125.3000	RFQ	3230	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VVF409618	sram-同步，sdr	1.71V〜1.89V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C027-20AXC	38.2700	RFQ	3815	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C027	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	512kbit	20 ns	SRAM	32k x 16	平行线	20NS
S29GL032N90TFI040	7.4700	RFQ	30	赛普拉斯半导体公司	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL032N90TFI040			70		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS		经过验证
71V3557S80PFG8	8.5003	RFQ	2910	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416l10be	8.3300	RFQ	406	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
7164L20TPG	-	RFQ	5880	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	14		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
W25Q32JVSFIQ	0.9800	RFQ	20	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
PAL16R8AJ/883	8.6600	RFQ	198	国家半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.39.0001	1
CY7C266-25WC	20.6300	RFQ	1399年	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）			CY7C266	EPROM -UV	4.5V〜5.5V		-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	2156-CY7C266-25WC	Ear99	8542.32.0061	1		非易失性	64kbit	25 ns	EPROM	8k x 8	平行线	-		未行业行业经验证
AT24HC04BN-SP25-T	-	RFQ	3949	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24HC04	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-				150-AT24HC04BN-SP25-TTR	过时的		1,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
AS4C512M16D3LA-10BINTR	26.3250	RFQ	9522	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（13.5x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C512M16D3LA-10BINTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
M95M01-DFCS6TP/k	2.5000	RFQ	6	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，WLCSP	M95M01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-wlcsp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	16 MHz	非易失性	1Mbit		EEPROM	128K x 8	spi	5ms
GD25LQ80CSIG	0.3752	RFQ	2893	gigadevice 半导体（香）	-	管子	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	GD25LQ80	闪光灯 -也不	1.65v〜2.1V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	9,500	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
W63AH6NBVACI	4.9953	RFQ	6374	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	178-VFBGA	W63AH6	sdram- lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	178-VFBGA （11x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W63AH6NBVACI	Ear99	8542.32.0032	189	933 MHz	易挥发的	1Gbit	5.5 ns	德拉姆	64m x 16	HSUL_12	15ns
S34ML08G101BHB003	-	RFQ	4813	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34ML08				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML08G101BHB003	3A991B1A	8542.32.0071	2,300										未行业行业经验证
FM24C17ULEM8	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C17	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	16kbit	3.5 µs	EEPROM	2k x 8	i²c	10ms
R8207-10	45.4600	RFQ	200	英特尔	-	大部分	积极的	-	表面安装	68-CLCC			-	68-CLCC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1									动态ram（dram）
4RCD0232KC0ATG8	-	RFQ	7435	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	253-LFBGA，FCCSP	4RCD0232		1.2V	253-FCCSP （8x13.5）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-4RCD0232KC0ATG8TR			2,000									动态ram（dram）
4DB0226EMKB0AVG	-	RFQ	6893	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买								-				800-4DB0226EMKB0AVG			1
LE82P965	14.6700	RFQ	10	英特尔	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	360
RG82848P	3.3300	RFQ	1	英特尔	82848p	大部分	积极的	-	表面安装	932-BGA，FCBGA			-	932-FCBGA （37.5x37.5）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	360									动态ram（dram）
R82078	-	RFQ	5875	英特尔	-	大部分	积极的	-	表面安装	68-CLCC			-	68-CLCC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1									动态ram（dram）
DP8422AVX-25	52.0000	RFQ	750	国家半导体	-	大部分	过时的	0°C〜70°C	表面安装	84-LCC（j-lead）			4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.31.0001	250									动态ram（dram）
CY7C68023-56LTXC	24.2200	RFQ	36	赛普拉斯半导体公司	EZ-USB NX2LP™	大部分	积极的	0°C〜70°C	表面安装	56-VFQFN暴露垫	CY7C68023		3v〜3.6V	56-QFN-EP（8x8）	下载							13									nand flash -usb
KU82309-16	37.3300	RFQ	30	英特尔	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	100 QFP碰撞			4.5V〜5.5V	100-qfp	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1									动态ram（dram）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²