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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
CAT24C16HU4I-GT3JN onsemi CAT24C16HU4I-GT3JN -
RFQ
ECAD 4025 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 CAT24C16 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-udfn-ep(2x3) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 非易失性 16kbit 900 ns EEPROM 2k x 8 i²c 5ms
CAV25320VE-GT3 onsemi CAV25320VE-GT3 0.7700
RFQ
ECAD 961 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CAV25320 EEPROM 2.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 10 MHz 非易失性 32kbit EEPROM 4K x 8 spi 5ms
IS25WP064-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064-JBLE -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 在sic中停产 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WP064 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1442 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
AT24CM02-SSHM-B Microchip Technology AT24CM02-SSHM-B 3.4400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AT24CM02 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1B1 8542.32.0051 100 1 MHz 非易失性 2Mbit 450 ns EEPROM 256K x 8 i²c 10ms
HPA01220DBZR Texas Instruments HPA01220DBZR -
RFQ
ECAD 9060 0.00000000 Texas Instruments * 胶带和卷轴((tr) 积极的 HPA01220 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000
SST26VF016BT-104V/MF Microchip Technology SST26VF016BT-104V/MF 2.4150
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 微芯片技术 SST26SQI® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 SST26VF016 闪光 2.7V〜3.6V 8-WDFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 1.5ms
SST26VF016BT-104V/SN Microchip Technology SST26VF016BT-104V/SN 2.0600
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 微芯片技术 SST26SQI® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SST26VF016 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,300 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 1.5ms
SST26VF016B-104V/SM Microchip Technology SST26VF016B-104V/SM 2.2200
RFQ
ECAD 342 0.00000000 微芯片技术 SST26SQI® 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) SST26VF016 闪光 2.7V〜3.6V 8-soij 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 90 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 1.5ms
AT25DF011-MAHNHR-T Adesto Technologies AT25DF011-MAHNHR-T 0.9269
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 Adesto Technologies - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 AT25DF011 闪光 1.7v〜3.6V 8-udfn(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 12µs,5ms
AT25DF021A-MAHNHR-T Adesto Technologies AT25DF021A-MAHNHR-T 1.4000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Adesto Technologies - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 AT25DF021 闪光 1.7v〜3.6V 8-udfn(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 85 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 12µs,5ms
MB85RC128APNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC128APNF-G-JNE1 3.4300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Kaga Fei America,Inc。 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MB85RC128 fram (铁电 ram) 3v〜3.6V 8-sop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 95 1 MHz 非易失性 128kbit 900 ns 框架 16k x 8 i²c -
W25Q40EWSSIG Winbond Electronics W25Q40EWSSIG -
RFQ
ECAD 3715 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) W25Q40 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O,QPI 800µs
CY7C1460KV25-167BZC Infineon Technologies CY7C1460KV25-167BZC -
RFQ
ECAD 9847 0.00000000 Infineon技术 NOBL™ 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1460 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-fbga(15x17) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 2832-CY7C1460KV25-167BZC 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 MHz 易挥发的 36mbit 3.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
CY7C1460KV33-167AXC Infineon Technologies CY7C1460KV33-167AXC 64.7500
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 Infineon技术 NOBL™ 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C1460 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-TQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 167 MHz 易挥发的 36mbit 3.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
CY7C1462KV25-200AXC Infineon Technologies CY7C1462KV25-200AXC 84.1750
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Infineon技术 NOBL™ 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C1462 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 36mbit 3.2 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
CY7C1462KV25-200AXCT Infineon Technologies CY7C1462KV25-200AXCT 84.1750
RFQ
ECAD 7316 0.00000000 Infineon技术 NOBL™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C1462 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 750 200 MHz 易挥发的 36mbit 3.2 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5TIN 3.7162
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1282 3A991B2A 8542.32.0024 108 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
AS4C2M32SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-7TCN 3.1724
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C2M32 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1285 3A991B2A 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 2NS
AS4C4M32SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TCN 3.9882
RFQ
ECAD 3312 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C4M32 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1292 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 2NS
AS4C4M32SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TIN 6.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C4M32 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1293 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 2NS
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5TCN 3.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C8M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1295 3A991B2A 8542.32.0002 108 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
AS4C32M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TINTR 3.9325
RFQ
ECAD 4894 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C32 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
AS4C4M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5TINTR 2.7298
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C4M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 200 MHz 易挥发的 64mbit 700 ps 德拉姆 4m x 16 平行线 15ns
AS4C4M32SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-7TCNTR 3.7224
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C4M32 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 2NS
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5TINTR 3.0606
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C8M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
CY7C1069G30-10BVXIT Infineon Technologies CY7C1069G30-10BVXIT 38.5000
RFQ
ECAD 4730 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA CY7C1069 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 平行线 10NS
CY7C1061G30-10BV1XIT Infineon Technologies CY7C1061G30-10BV1XIT 23.7825
RFQ
ECAD 6497 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA CY7C1061 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
CY7C1061G30-10BVJXI Infineon Technologies CY7C1061G30-10BVJXI 28.1900
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA CY7C1061 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
CY7C1061G30-10BVXI Infineon Technologies CY7C1061G30-10BVXI 39.6800
RFQ
ECAD 387 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA CY7C1061 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
CY7C1061GN30-10ZSXI Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZSXI 55.4000
RFQ
ECAD 328 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) CY7C1061 sram-异步 2.2v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 108 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库