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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MX35UF1G14AC-Z4I	2.7680	RFQ	4725	大元	MX35UF	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson（8x6）	-		3（168））		1092-MX35UF1G14AC-Z4I			480	104 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	256m x 4	平行线	600µs
S99GL01GT11DHB010	-	RFQ	4651	模拟设备公司	-	大部分	积极的								-				2156-S99GL01GT11DHB010			1
IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR	8.5785	RFQ	7042	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR			2,500		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
PC28F00AM29EWLA	-	RFQ	7769	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F00A	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	1Gbit	100 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	100ns
CY7C1474BV33-167BGCT	-	RFQ	6006	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	CY7C1474	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	209-fbga（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 72	平行线	-
71V321SA25PF	-	RFQ	9521	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321s	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
370-23391-C	37.0000	RFQ	2052	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-370-23391-C	Ear99	8473.30.5100	1
7015L25J8	-	RFQ	7027	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7015L25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	72kbit	25 ns	SRAM	8k x 9	平行线	25ns
W25Q16CVZPAG	-	RFQ	7415	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16CVZPAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
BR93G76FJ-3GTE2	0.7000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR93G76	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BR93G76FJ-3GTE2CT	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
GD25LB512MEF2RR	7.0523	RFQ	3698	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	-				1970-GD25LB512MEF2RRTR			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
872970-001-C	162.0000	RFQ	8985	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-872970-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
MEM3800-64U512CF-C	85.0000	RFQ	19	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM3800-64U512CF-C	Ear99	8473.30.9100	1
CAT25C08LGI-26736	0.1400	RFQ	7	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT25C08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-CAT25C08LGI-26736-488	Ear99	8542.32.0071	1	10 MHz	非易失性	8kbit	40 ns	EEPROM	1k x 8	spi	5ms
MX25V40066ZUI02	0.3326	RFQ	4257	大元	MXSMIO™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-uson（2x3）	-		3（168））		1092-MX25V40066ZUI02TR			12,000	80 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	2m x 2，4m x 1	spi	200µs，5ms
S29GL032N90DFI023	3.3200	RFQ	22	赛普拉斯半导体公司	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29GL032N90DFI023TR	3A991B1A	8542.32.0070	151		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS	未行业行业经验证
IS21TF32G-JCLI-TR	35.8500	RFQ	4833	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	IS21TF32G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF32G-JCLI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
7007S15PFG	-	RFQ	9049	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7007S15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	-				800-7007S15PFG	过时的		1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
CY7C1360B-166AJI	8.5900	RFQ	359	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1360	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
11AA161T-I/MS	0.4050	RFQ	7478	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	11AA161	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	100 kHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	单线	5ms
CG8308AA	-	RFQ	4968	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	144
IS49NLC36800-25EBLI	-	RFQ	7191	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
ER2051/p	6.1500	RFQ	2	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
71421SA20PF	-	RFQ	2496	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71421SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
NV24C256MUW3VTBG	1.1300	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	NV24C256	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-udfn（2x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	256kbit	400 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
STK14CA8-RF45I	-	RFQ	8020	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK14CA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC：b	-	RFQ	5927	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
AS7C1026B-15JCN	3.1724	RFQ	3335	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	AS7C1026	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	16		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
MT53E1536M32D4DE-046 WT ES：c	30.2400	RFQ	5215	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046WTES：c			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
IDT7164S35YG	-	RFQ	8333	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载		（1 （无限）	到达不受影响	7164S35YG	Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²