RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
628974-181-C	37.0000	RFQ	9817	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-628974-181-C	Ear99	8473.30.5100	1
MX25L12872FZNI-10G	1.5916	RFQ	1290	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX25L12872	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，1.2ms
MT29F32G08AFABAWP-IT：b	-	RFQ	9164	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
GD25LQ255YEGY	2.1699	RFQ	6520	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-gd25lq255555555			4,800	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
DS1230Y-150+	30.2300	RFQ	420	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.600英寸，15.24毫米）	DS1230Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-DS1230Y-150+	Ear99	8542.32.0041	12		非易失性	256kbit	150 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	150ns
EM6AA160BKE-4IH	2.7826	RFQ	4162	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	EM6AA160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6AA160BKE-4IHTR	Ear99	8542.32.0024	2,500	250 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43TR81280C-125JBLI	3.7208	RFQ	1086	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81280C-125JBLI			242	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT29F8T08ESLEEG4-QB：e	211.8900	RFQ	5592	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08ESLEEG4-QB：e			1
GD25Q40ESIGR	0.3167	RFQ	5297	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25Q40ESIGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2ms
GVT71256G18T-5	1.7100	RFQ	7	Galvantech	GTV71256G	大部分	过时的	0°C〜70°C	表面安装	100-TQFP	GVT71256G	SRAM	3.3V	-	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	256K x 18		-
S25FL256SAGMFVG00	-	RFQ	8429	赛普拉斯半导体公司	fl-s	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2166-S25FL256SAGMFVG00-428			1	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-	未行业行业经验证
CY7C1543KV18-400BZC	218.5500	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1543	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS29GL128-70GLEB	4.9552	RFQ	9994	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-TFBGA		闪存-SLC）	3v〜3.6V	56-TFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL128-70GLEB			240		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8	CFI	70ns，200µs
A1229318-C	17.5000	RFQ	1081	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A1229318-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD25LE64ETIGR	0.8045	RFQ	1377年	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LE64ETIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
CAT24C02VP2GI	0.1200	RFQ	9787	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
gd5f1gm7reyigy	2.1331	RFQ	2861	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F1GM7Reyigy			4,800	104 MHz	非易失性	1Gbit	9 ns	闪光	256m x 4	Spi -Quad I/O，Dtr	600µs
840759-191-C	615.0000	RFQ	5704	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-840759-191-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL129P0XMFI003	-	RFQ	1437	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL129P0XMFI003			1
MT46V64M8CY-5B L：J Tr	-	RFQ	9901	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	60-fbga（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E768M32D4DT-053 AAT：e tr	29.2650	RFQ	6307	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E768M32D4DT-053AAT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
IS61LPS25618A-200TQLI-TR	7.5837	RFQ	8395	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
CY15B108QI-20LPXI	33.9700	RFQ	168	Infineon技术	Excelon™-LP，F-RAM™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UQFN	CY15B108	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-GQFN（3.23x3.28）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	20 MHz	非易失性	8mbit		框架	1m x 8	spi	-
S25HS512TFABHM013	13.4750	RFQ	5036	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	1.7V〜2V	24-fbga（6x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
IS61WV25616EDBLL-8TLI	4.3891	RFQ	9971	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	256K x 16	平行线	8ns
IDT71P72804S167BQGI8	-	RFQ	1577年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71P72	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载		3（168））	到达不受影响	71P72804S167BQGI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	167 MHz	易挥发的	18mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
S26361-F3781-E516-C	48.5000	RFQ	7954	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3781-E516-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT40A2G8AG-062E AAT：f	19.8600	RFQ	6063	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-				557-MT40A2G8AG-062EAAT：f			1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
M25P128-VME6G	-	RFQ	1768年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M25P128-VME6G	3A991B1A	8542.32.0071	1,920	50 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	15ms，7ms
71V35761SA166BGI	11.7900	RFQ	34	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²