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![]() | MT25QL128ABA1ESE-0SIT | 4.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | MT25QL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -Mt25QL128ABA1ESE-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||
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![]() | EMF8132A3MA-DV-FD | - | ![]() | 6009 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | EMF8132 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,890 | |||||||||||||||||
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![]() | EDFA164A2MA-GD-FD | - | ![]() | 4585 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDFA164 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,980 | 800 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | 平行线 | - | |||||
![]() | EDFA164A2MA-JD-FD | - | ![]() | 6448 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDFA164 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,980 | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
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![]() | EDB4416BBBH-1DIT-FD | - | ![]() | 3344 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-WFBGA | EDB4416 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
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![]() | EDB4416BBBH-1DIT-FR TR | - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-WFBGA | EDB4416 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | ![]() | 5260 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28FW512 | 闪光灯 -也不 | 1.7v〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 512Mbit | 105 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | RC28F128J3F75G | - | ![]() | 8189 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | RC28F128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64- Easybga(10x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 864 | 非易失性 | 128mbit | 75 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 75ns | ||||
![]() | MT28HL32GQBB3ERK-0GCT | 73.5000 | ![]() | 3353 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT28HL32 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 960 | ||||||||||||||||||
![]() | MT28HL32GQBB3ERK-0SCT | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT28HL32 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 960 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53B256M64D2NL-062 XT ES:c | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 960 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT53B2DANL-DC | - | ![]() | 6571 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | sdram- lpddr4 | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 960 | 易挥发的 | 德拉姆 | ||||||||||||
![]() | MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR | - | ![]() | 6070 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | MT29C1G12M | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR | - | ![]() | 4252 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 137-VFBGA | MT29C4G48 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA((13x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 非易失性,挥发性 | 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) | 闪光,ram | 512m x 8 nand),64m x 32 lpdram) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR | 16.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT29C4G48 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 非易失性,挥发性 | 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) | 闪光,ram | 256m x 16(NAND),128m x 16 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-VFBGA | MT29C4G96 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 非易失性,挥发性 | 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) | 闪光,ram | 256m x 16(NAND),128m x 32 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:b tr | - | ![]() | 1499年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E1HT08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1.5Tbit | 闪光 | 192g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29E1T08CMHBBJ4-3:b tr | - | ![]() | 3252 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E1T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:b tr | - | ![]() | 1925年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E1T208 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1.125Tbit | 闪光 | 144g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29E3T08EUHBBM4-3:b tr | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29E3T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 3Tbit | 闪光 | 384g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:b tr | - | ![]() | 7525 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29E3T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 3Tbit | 闪光 | 384g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29E512G08CKCBBH7-6:b tr | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | - | MT29E512G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:b tr | - | ![]() | 1589年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E768G08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 768Gbit | 闪光 | 96g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D Tr | - | ![]() | 1713年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - |
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