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![]() | MT40A512M16LY-062E:e | - | ![]() | 9421 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | - | 96-FBGA(7.5x13.5) | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT:e | 过时的 | 8542.32.0071 | 180 | 1.6 GHz | 非易失性 | 8Gbit | 德拉姆 | 512m x 16 | - | - | |||||
![]() | CY7C1041CV33-12ZSXEKJ | - | ![]() | 3159 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | |||||
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![]() | AT29C020-12TI | - | ![]() | 2980 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT29C020 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 10ms | |||
![]() | AA783422-C | 385.0000 | ![]() | 8508 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-AA783422-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 71V3577S75PFGI8 | 7.9158 | ![]() | 1981 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | upd44164362bf5-e40-eq3-a | 37.1700 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | WBMisc | - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25HS01GTFAMHA010 | 19.8100 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||||
![]() | AT25010A-10PU-2.7 | - | ![]() | 2003 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | AT25010 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | spi | 5ms | |||
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![]() | MT29F128G08CBCEBJ4-37:e tr | - | ![]() | 1139 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | S29GL128S90FHI010 | 6.2300 | ![]() | 9248 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 非易失性 | 128mbit | 90 ns | 闪光 | 8m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | 25LC128-I/MF | 1.5900 | ![]() | 8397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 25LC128 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | 非易失性 | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | AT25080B-MAPDGV-E | - | ![]() | 3840 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT25080 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-udfn(2x3) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 5 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | CY7C194-45VC | 3.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C194 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 45 ns | SRAM | 64k x 4 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | R1RP0416DSB-2LR #D0 | 24.1800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT25FF041A-MAHN-T | 0.5900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT25FF041 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-udfn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 2m x 2 | Spi -Quad I/O。 | 22µs,2.6m | |||
![]() | S29AL008J70TFN023 | 3.4475 | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Infineon技术 | al-J | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29AL008 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT42L64M64D2MP-25 IT:a | - | ![]() | 7307 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 220-WFBGA | MT42L64M64 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 220-fbga(14x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 64m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | EM6HC08EWUG-10H | 3.6828 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Etron Technology,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | EM6HC08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2174-EM6HC08EWUG-10HTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | S29GL512T11DHIV10 | 10.2300 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | CY7C1381KVE33-133AXIT | 35.0175 | ![]() | 3024 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1381 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 4x70G78061-C | 145.0000 | ![]() | 8456 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-4X70G78061-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | TM124BBK32-80 | 29.7400 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8473.30.1140 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 5962-8866516UA | - | ![]() | 3937 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 68-flatpack | 5962-8866516 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 68-fpack | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 800-5962-8866516UA | 过时的 | 9 | 易挥发的 | 32kbit | 35 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | 70825l35pfgi | - | ![]() | 2365 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | SRAM | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | - | 800-70825L35PFGI | 1 | 25 MHz | 易挥发的 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 35ns | |||||||
![]() | AS6C1616-55BINTR | - | ![]() | 5538 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | AS6C1616 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns |
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