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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CG8283AA	-	RFQ	6411	Infineon技术	-	管子	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	234
NAND128W3A2BNXE	-	RFQ	6249	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	128mbit	50 ns	闪光	16m x 8	平行线	50ns
IS42S16320D-7BL-TR	12.2400	RFQ	6289	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
CG7917AA	-	RFQ	9721	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的								-	不适用						3									未行业行业经验证
IDT71V65703S80PFI	-	RFQ	8134	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65703S80PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS22TF64G-JCLA2	53.4002	RFQ	5195	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF64G-JCLA2			152	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
mtfc128gazaotd-ait tr	40.2300	RFQ	3452	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC128GAZAOTD-AITTR			2,000
CAT24C02YGI-26707	-	RFQ	3350	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载					Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CAT25320YI-G	-	RFQ	4442	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT25320	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	10 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
CY7C1347F-200BGC	3.6700	RFQ	186	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1347	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	2.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
LC3564BM-70	-	RFQ	9201	Sanyo	-	大部分	过时的		表面安装	28-Soic（0.330英寸，8.40mm宽度）		sram-异步		28 SOP	-				2156-LC3564BM-70			1		易挥发的	64kbit	200 ns	SRAM	8k x 8	平行线
SMJ61CD16LA-25JDM	55.8600	RFQ	243	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.32.0041	1
IS43LR32800H-6BLI-TR	4.9180	RFQ	8552	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32800H-6BLI-TR			2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	lvcmos	15ns
mtfc8gacaens-ait tr	-	RFQ	5150	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	153-TFBGA	mtfc8			153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	mtfc8gacaens-aittr	过时的	0000.00.0000	1,000
W74M01GVZEIG	-	RFQ	3668	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W74M01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W74M01GVZEIG	3A991B1A	8542.32.0071	63	104 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MX29GL640EHTI-70G	3.5750	RFQ	7065	大元	MX29GL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-		3（168））		1092-MX29GL640EHTI-70G			96		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	CFI	70NS
W989D6DBGX6E TR	3.0117	RFQ	8176	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	54-TFBGA	W989D6	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W989D6DBGX6ETR	Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	lvcmos	15ns
MX25L2006EZUI-12G	0.5500	RFQ	10	大元	MX25XXX05/06/08	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	MX25L2006	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	12,000	86 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	50µs，3ms
MT55L512L18FF-11	8.9300	RFQ	1825年	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT55L512L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
S99PL127J0180	-	RFQ	5812	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
24FC04HT-I/MS	0.3450	RFQ	2119	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24FC04	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	4Kbit	450 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
CY15B064Q-SXE	-	RFQ	6734	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY15B064	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2832-CY15B064Q-SXE			1	16 MHz	非易失性	64kbit		框架	8k x 8	spi	-	未行业行业经验证
MP2666RC/32G-C	130.0000	RFQ	2763	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MP2666RC/32G-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT47H128M8CF-25E IT：h tr	-	RFQ	1126	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
SM662GEB最好	17.8500	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GEBBEST	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
CY7C1513JV18-300BZXC	-	RFQ	6003	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
5962-8700219UA	-	RFQ	2449	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	-				800-5962-8700219UA			1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
70v9169l6pf8	-	RFQ	6799	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9169	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	144kbit	6.5 ns	SRAM	16k x 9	平行线	-
MB85RC128APNF-G-JNE1	3.4300	RFQ	11	Kaga Fei America，Inc。	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RC128	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	95	1 MHz	非易失性	128kbit	900 ns	框架	16k x 8	i²c	-
RMLV3216AGBG-5S2 ＃KC0	23.9400	RFQ	5890	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（7.5x8.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		559-RMLV3216AGBG-5S2 ＃KC0TR			1		易挥发的	32Mbit	55 ns	SRAM	4m x 8，2m x 16	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²