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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
AT45DB081E-SHNHA-T	1.8600	RFQ	143	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT45DB081	闪光	1.7v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	85 MHz	非易失性	8mbit		闪光	264字节x 4096页	spi	8µs，4ms
M95256-DFCS6TP/k	1.0300	RFQ	12	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，WLCSP	M95256	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-wlcsp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
IS61WV10248EEBLL-10TLI	7.2875	RFQ	9846	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV10248EEBLL-10TLI			135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
SST39VF1601-70-4I-EKE	4.5800	RFQ	1370	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39VF1601	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF1601704IEKE	Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	10µs
A8711890-C	837.5000	RFQ	9965	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A8711890-C	Ear99	8473.30.5100	1
AT24C256-10PC	-	RFQ	2089	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	AT24C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	10ms
GD25VQ80CTIGR	-	RFQ	2523	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	GD25VQ80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT	-	RFQ	9524	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
S70GL02GS11FHV023	26.4600	RFQ	6137	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S70GL02	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	2Gbit	110 ns	闪光	128m x 16	平行线	-
MT29F64G08CBABBWP-12IT：b tr	-	RFQ	8201	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MSP14RV640-E1-TJ-001	-	RFQ	5943	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
24LCS21AT-I/SN	0.5400	RFQ	5579	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LCS21A	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24LCS21AT-I/SN-NDR	Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	10ms
M28W320FCB70ZB6E	-	RFQ	1695年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	47-TFBGA	M28W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	47-TFBGA（6.39x6.37）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,380		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
7005S15JI	-	RFQ	2017	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7005S15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	8k x 8	平行线	15ns
24C02CT/SN	0.3600	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24C02C	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	2kbit	3.5 µs	EEPROM	256 x 8	i²c	1.5ms
M29W064FB6AZA6E	-	RFQ	4750	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	187		非易失性	64mbit	60 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
709289L12PF	-	RFQ	5130	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709289L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	6		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	-
CG7787AA	-	RFQ	3583	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
AT49BV040B-TU	-	RFQ	9558	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	AT49BV040	闪光	2.7V〜3.6V，4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	120µs
SST39WF1601-90-4I-MBQE	-	RFQ	7006	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-WFBGA	SST39WF1601	闪光	1.65V〜1.95V	48-WFBGA（5x6）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	666		非易失性	16mbit	90 ns	闪光	1m x 16	平行线	40µs
DS1250yp-70ind+	122.3180	RFQ	2487	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	34-PowerCap™	DS1250Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	34-PowerCap模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-DS1250YP-70IND+	3A991B2A	8542.32.0041	5		非易失性	4Mbit	70 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	70NS
CY7C1041G30-10BVXIT	6.3525	RFQ	9004	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
S29GL064S70BHI030	5.2000	RFQ	7888	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-FBGA（8.15x6.15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
CY7C1412KV18-300BZC	-	RFQ	9035	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1412	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
MT29F64G08CBCABH1-12Z：a tr	-	RFQ	4997	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
71256L20YG	6.1200	RFQ	270	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
CAT93C66VP2I-GT3	-	RFQ	2419	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT93C66	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	-
AT28C010-12PU	-	RFQ	1858年	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT28C010	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	12		非易失性	1Mbit	120 ns	EEPROM	128K x 8	平行线	10ms
70V3319S166BFG8	244.5047	RFQ	7245	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70v3319	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	208-cabga（15x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.6 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
CY7C1021D-10ZSXA	-	RFQ	2042	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²