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M24C16-DRDW8TP/K。	0.3018	RFQ	3630	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M24C16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	16kbit	450 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	4ms
M24C32-DRMN8TP/K。	0.4300	RFQ	32	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M24C32	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	32kbit	450 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	4ms
M24128-DRMF3TG/k	1.1400	RFQ	72	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M24128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15354-2	Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	128kbit	450 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	4ms
M24C08-DRMF3TG/k	0.5400	RFQ	5	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	M24C08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-mlp （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	8kbit	450 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	4ms
M24C16-DRMF3TG/k	0.6000	RFQ	19	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	M24C16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-mlp （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	16kbit	450 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	4ms
M95040-DRMF3TG/k	0.5200	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	M95040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-mlp （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	4ms
M95160-DRMF3TG/k	0.8000	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	M95160	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-mlp （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	4ms
M95256-DRMF3TG/k	1.3800	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	M95256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-mlp （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	4ms
M95320-DRMF3TG/k	0.8000	RFQ	8496	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	M95320	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-mlp （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	4ms
MT29F128G08CKCCBH2-12Z：c	-	RFQ	8358	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
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MT29F512G08CUCDBJ6-6R：d	-	RFQ	5708	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT41K64M16TW-107 IT：j	-	RFQ	8187	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MTFC32GJDED-3M WT	-	RFQ	3571	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	169-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	169-VFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	980		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MTFC64GJDDN-4M IT	-	RFQ	6226	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC64	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	169-LFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8523.51.0000	980		非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	MMC	-
mtfc8gldea-1m wt	-	RFQ	2250	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc8	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR	-	RFQ	2727	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	512Mbit	105 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H Tr	-	RFQ	7364	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	168-VFBGA				168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT41K128M8DA-107：J Tr	5.0100	RFQ	214	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K128M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	-
MTFC32GJDED-3M WT TR	-	RFQ	8542	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	169-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	169-VFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
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CY62148G30-45SXI	6.4575	RFQ	4232	Infineon技术	MOBL®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
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CY62148G-45ZSXI	6.4575	RFQ	4639	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	234		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
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CY7C1041G30-10BVXI	7.2200	RFQ	5745	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
CY7C1041GE30-10BVXI	6.5450	RFQ	8262	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1041	sram-异步	3v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²