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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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AT24C128C-CUM-T | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-VFBGA,DSBGA | AT24C128C | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-DBGA(2.35x3.73) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 550 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 24fc256-i/sn | 1.1600 | ![]() | 3305 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24fc256 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 256kbit | 400 ns | EEPROM | 32K x 8 | i²c | 5ms | ||
CAT25160VE-GT3 | - | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25160 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | S29GL512S11TFV020 | 9.6600 | ![]() | 9120 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 910 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | CY7C025-55AXC | - | ![]() | 9706 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C025 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 128kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS45S16100H-7TLA2 | 2.4926 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS45S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | 24LC128T-I/SN | 0.8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24LC128 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 128kbit | 900 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S-24C16DI-I8T1U5 | 0.2398 | ![]() | 1843年 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | S-24C16 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | SNT-8A | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | 500 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | NMC27C16BQ200 | - | ![]() | 6081 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 24 点点(0.600英寸,15.24毫米) | NMC27C16 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 24浸 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 14 | 非易失性 | 16kbit | 200 ns | EPROM | 2k x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | AS4C256M16D3LB-10BINTR | - | ![]() | 7801 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS4C256M16D3LB-10BINTR | 过时的 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | AT25256T2-10TI-2.7 | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | AT25256 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 20-tssop | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 74 | 3 MHz | 非易失性 | 256kbit | EEPROM | 32K x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | S98WS512P00FW0040 | - | ![]() | 4149 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR | - | ![]() | 3295 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT25QL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
![]() | IS42S32160B-75EBLI | - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-WBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 144 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||
70V7319S166BF | 188.0752 | ![]() | 1908年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 208-LFBGA | 70v7319 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 208-cabga(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.6 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F64G08CECCBH1-12Z:c | - | ![]() | 5171 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | 7024L12PFI | - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7024L12PFI | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 12 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||||
![]() | CY7C1062AV33-10BGI | - | ![]() | 1769年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1062 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | M27V160-100K1 | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-LCC(j-lead) | M27V160 | EPROM -OTP | 3v〜3.6V | 44-PLCC (16.51x16.51) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 8542.32.0061 | 580 | 非易失性 | 16mbit | 100 ns | EPROM | 2m x 8,1m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS25WQ040-JNLE | - | ![]() | 9997 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25WQ040 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 1ms | |||
![]() | CY7C1245KV18-450BZC | - | ![]() | 2632 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1245 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1321KV18-250BZCT | 29.5750 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1321 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
NAND01GW3A0AN6E | - | ![]() | 4923 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | NAND01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-3611 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 1Gbit | 30 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 30ns | |||
![]() | BR24T64FVJ-WE2 | 0.6300 | ![]() | 402 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | BR24T64 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8-TSSOP-BJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 64kbit | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | gd25d40ctegr | 0.3640 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25D40CTEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 80µs,4ms | |||||||
![]() | MT28F640J3BS-115等 | - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-FBGA | MT28F640J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64mbit | 115 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MX25L6456FXCI-09G | 1.1872 | ![]() | 1627年 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MX25L6456 | 闪光灯 -也不 | 2.65v〜3.6V | 24-cspbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | spi | - | |||
![]() | CY7C1061G30-10BVJXI | 28.1900 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1061 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | |||
AT27C2048-70PC | - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 通过洞 | 40 DIP (0.600英寸,15.24毫米) | AT27C2048 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 40-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT27C204870PC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 10 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | EPROM | 128K x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT | - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 130-VFBGA | MT29C4G48 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 130-vfbga(8x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,782 | 208 MHz | 非易失性,挥发性 | 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) | 闪光,ram | 512m x 8 nand),64m x 32 lpdram) | 平行线 | - |
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