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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W25Q128FVEAQ	-	RFQ	1087	Winbond电子产品	*	管子	过时的		表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128			8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128FVEAQ	过时的		1
7054S45PRFI8	-	RFQ	6059	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	128-LQFP		sram-四边形端口，异步	4.5V〜5.5V	128-TQFP（14x20）	-				800-7054S45PRFI8TR			1		易挥发的	32kbit	45 ns	SRAM	4K x 8	平行线	45ns
MT62F1G64D4EK-023 FAAT：c tr	94.8900	RFQ	3792	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-023FAAT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
N01L83W2AN25IT	-	RFQ	3567	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-LFSOP （0.465英寸，11.80mm）	N01L83	sram-异步	2.3v〜3.6V	32-Stsop i	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
MT53B128M32D1Z00NWC2 AT	-	RFQ	9693	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B128	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））		MT53B128M32D1Z00NWC2AT	过时的		1		易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
NLQ43PFS-8NIT TR	15.7000	RFQ	1354	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））					2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
STK11C88-NF25TR	-	RFQ	7891	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	STK11C88	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
M29W400FB5AN6F TR	-	RFQ	4606	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
IS43LD32640B-18BPL	-	RFQ	2580	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	168	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
AT45DB041D-SU-SL954	-	RFQ	9997	Adesto Technologies	-	大部分	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT45DB041	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0071	90	66 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	256字节x 2048页	spi	4ms
IS22TF16G-JCLA2	28.0418	RFQ	6597	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF16G-JCLA2			152	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
CY7C1370DV25-167AXC	30.0700	RFQ	924	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	10	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C026AV-25AXC	25.0000	RFQ	29	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C026	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	20		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	16k x 16	平行线	25ns
CY7C144-15AC	23.1300	RFQ	378	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	CY7C144	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	8k x 8	平行线	15ns
7005L35PFG	-	RFQ	1944年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7005L35PFG	过时的		1		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
CY7C1354C-200BGC	-	RFQ	5155	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS42VM16400K-75BLI	-	RFQ	6228	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
FM25C160UM8	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM25C160	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	2.1 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	10ms
CG8351AA	309.6600	RFQ	215	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CG8351AA-428			1
4x70M41717-C	150.0000	RFQ	7108	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70M41717-C	Ear99	8473.30.5100	1
24LC02BH-E/SN	0.3900	RFQ	5108	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC02BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
28076665 a	-	RFQ	1322	Infineon技术	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
CY62136EV30LL-45ZSXI	-	RFQ	3383	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62136	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定				42		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	128K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
MT46H64M32LFMA-5 IT：a	-	RFQ	9449	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
SST49LF008A-33-4C-WHE-T	6.1200	RFQ	7898	微芯片技术	SST49	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	SST49LF008	闪光	3v〜3.6V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	33 MHz	非易失性	8mbit	120 ns	闪光	1m x 8	平行线	20µs
7007L12PF8	-	RFQ	4556	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	-				800-7007L12PF8TR			1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
IS61LPD102418A-200TQI-Tr	-	RFQ	1966年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPD102418	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY62157H30-55ZSXE	17.3698	RFQ	3941	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件		到达不受影响				1,350		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
W9816G6JH-7I TR	1.3934	RFQ	9452	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	W9816G6	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W9816G6JH-7ITR	Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	16mbit	5 ns	德拉姆	1m x 16	lvttl	-
IS43LQ16256A-062TBLI-TR	11.7306	RFQ	6188	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16256A-062TBLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²