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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
S25FL164K0XBHI020	-	RFQ	5286	赛普拉斯半导体公司	fl1-k	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0051	338	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms	未行业行业经验证
SM671PXDLBFST	46.1000	RFQ	7735	硅运动，Inc。	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件			1984-SM671PXDLBFST			1
W25N02KWTBIU TR	4.1753	RFQ	3687	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		256-W25N02KWTBIUTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	2Gbit	8 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
IS61VF102418A-7.5B3I	-	RFQ	1423	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
W97AH6NBVA2E	4.4852	RFQ	9281	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	W97AH6	sdram- lpddr2 -s4b	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W97AH6NBVA2E	Ear99	8542.32.0032	168	400 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	HSUL_12	15ns
CY14B512J2-SXIT	-	RFQ	7221	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14B512	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500	3.4 MHz	非易失性	512kbit		NVSRAM	64k x 8	i²c	-
70V27S25PF8	-	RFQ	3182	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v27	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	512kbit	25 ns	SRAM	32k x 16	平行线	25ns
CAT28LV256GI25	-	RFQ	9313	Onmi	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28LV256	EEPROM	3v〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	256kbit	250 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
thgamrg7t13bail	-	RFQ	2231	美国济欧克美国公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	thgamrg7	闪存-NAND	-	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	152		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC	-
CY7C199C-20ZI	-	RFQ	1600	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop i	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0041	234		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS	未行业行业经验证
7140LA25PFG	19.9398	RFQ	2894	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7140LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	8kbit	25 ns	SRAM	1k x 8	平行线	25ns
S25FL512SAGBHEC10	52.9025	RFQ	3541	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	3,380	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
5962-9166203MYA	-	RFQ	9614	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	84-flatpack	5962-9166203	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	84-fpack	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-9166203MYA			6		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
CY7C1480V25-200BZC	-	RFQ	4752	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1480	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	-CY7C1480V25	3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
57Y4427-C	62.5000	RFQ	5132	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-57Y4427-C	Ear99	8473.30.5100	1
N24C08UDTG	0.2700	RFQ	219	Onmi	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-N24C08UDTG-488			1
CAT25128LI-G	0.4300	RFQ	8877	催化剂半导体公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT25128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	50	20 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
GVT71256G18T-5T	-	RFQ	5902	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-单端口，异步，标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-GVT71256G18T-5T-428			1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT62F2G32D4DS-023 IT：b	50.2800	RFQ	5505	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023IT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
CY62146ELL-45ZSXAT	-	RFQ	4271	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62146	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
C-2666D4SR8N/8G	54.5000	RFQ	9271	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2666D4SR8N/8G	Ear99	8473.30.5100	1
A2887204-C	17.5000	RFQ	4357	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2887204-C	Ear99	8473.30.5100	1
CAT24C16YI-G	-	RFQ	6470	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
7005L35PFG8	-	RFQ	6188	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7005L35PFG8TR	过时的		250		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
W971GG8NB-18I TR	2.7826	RFQ	8170	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-vfbga	W971GG8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-vfbga（8x9.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W971GG8NB-18ITR	Ear99	8542.32.0032	2,500	533 MHz	易挥发的	1Gbit	350 PS	德拉姆	128m x 8	SSTL_18	15ns
7005S35JG8	-	RFQ	8708	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7005S35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	-				800-7005S35JG8TR	过时的		250		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
IS43LD32128B-18Bli	12.2129	RFQ	6850	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD32128B-18BLI			171	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
AT49SV322D-80CU	-	RFQ	3300	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA，CSPBGA	AT49SV322	闪光	1.65V〜1.95V	48-CBGA（7x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	276		非易失性	32Mbit	80 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
STK17T88-RF25I	15.4100	RFQ	105	Simtek	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17T88	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
IS64WV51216BLL-10MA3-TR	-	RFQ	8259	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS64WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²