RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
93LC46AXT-I/SN	0.3150	RFQ	7530	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC46	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93LC46AXT-I/SN-NDR	Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	微线	6ms
CY7C1021BV33-10VC	2.7400	RFQ	716	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	17		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS42S16160G-6BL-TR	3.5682	RFQ	8069	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
MT55L256L18F1T-12	4.4800	RFQ	89	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	83 MHz	易挥发的	4Mbit	9 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MX30UF4G28AB-TI	6.6900	RFQ	4001	大元	MX30UF	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MX30UF4	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1160	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	平行线	25ns
JG82845E	10.3400	RFQ	4	英特尔	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
AT29C256-70TI-T	-	RFQ	5301	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT29C256	闪光	4.5V〜5.5V	28-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	256kbit	70 ns	闪光	32K x 8	平行线	10ms
IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	3.5165	RFQ	8502	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS29GL01GS-11DHB023	-	RFQ	4269	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	IS29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	128m x 8	平行线	60ns
MT47H32M16CC-37E：b tr	-	RFQ	3199	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（12x12.5）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	易挥发的	512Mbit	500 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
M29W640GB70ZS6F TR	-	RFQ	7423	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
W972GG8JB-3I	-	RFQ	6923	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	W972GG8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-WBGA（11x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	189	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT48LC32M8A2TG-75 L：d	-	RFQ	2354	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
SM671PEB-AD	-	RFQ	9516	硅运动，Inc。	-	托盘	积极的				SM671				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1
7015L12PF	-	RFQ	6972	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7015L12	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	72kbit	12 ns	SRAM	8k x 9	平行线	12ns
CY62177EV30LL-55ZXI	63.4800	RFQ	6836	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	CY62177	sram-异步	2.2v〜3.7V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY62177EV30LL-55ZXI	3A991B2A	8542.32.0041	96		易挥发的	32Mbit	55 ns	SRAM	4m x 8，2m x 16	平行线	55ns
25LC080C-E/ST	0.8400	RFQ	6783	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	25LC080	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
mtfc4gmuea-wt	-	RFQ	3181	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT46V128M4P-6T：f	-	RFQ	7395	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V128M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	128m x 4	平行线	15ns
IS41LV16100B-50KLI-TR	-	RFQ	4324	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41LV16100	戏剧性	3v〜3.6V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
CY7C1512KV18-250BZC	150.1850	RFQ	3898	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1512	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
S29AL008J70BAN020	2.1483	RFQ	6686	Infineon技术	al-J	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	S29AL008	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-FBGA（8.15x6.15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,380		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
S40410081B1B1I000	-	RFQ	2275	Infineon技术	E.MMC 1B1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	S40410081	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	171	200 MHz	非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
IDT71V25761YSA183BG	-	RFQ	5458	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v25761ysa183bg	3A991B2A	8542.32.0041	84	183 MHz	易挥发的	4.5mbit	5.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3577S80BGI	10.5878	RFQ	1648年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
EDB8132B4PB-8D-FD	-	RFQ	2010	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	EDB8132	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-FBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	400 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
IS63WV1288DBLL-10KLI	-	RFQ	6481	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63WV1288	sram-异步	2.4v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	19		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
24fc64-i/mc	0.6400	RFQ	8345	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	24fc64	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	150	1 MHz	非易失性	64kbit	400 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
CY7C1363C-133AXC	14.1050	RFQ	3287	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1363	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	9Mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS45VM16800H-75BLA2-Tr	-	RFQ	8284	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²