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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | 7006S35PF8 | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7006S35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | MT41K512M16VRP-107 IT:p tr | 15.2250 | ![]() | 9429 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Twindie™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | - | 557-MT41K512M16VRP-107IT:PTR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||
![]() | M30042040108x0isar | 11.6399 | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | M30042040108 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 800-M30042040108X0ISARTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 108 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 内存 | 1m x 4 | spi | - | ||||
![]() | IS46TR16128B-125KBLA1-TR | - | ![]() | 3135 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT53E4D1BHJ-DC | 22.5000 | ![]() | 8794 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT53E4 | - | 到达不受影响 | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1,360 | ||||||||||||||||||||
![]() | FM24C17UFLM8 | 0.4100 | ![]() | 7782 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM24C17 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 15ms | |||
S28HL01GTFPBHI030 | 22.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | HL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S28HL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
![]() | IDT71V35761YSA200BQ8 | - | ![]() | 2609 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V35761YSA200BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | CG8404AAT | - | ![]() | 8700 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 750 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1550KV18-450BZC | 228.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1550 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 5962-9166201MXA | - | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 84-BPGA | 5962-9166201 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 84-PGA (27.94x27.94) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 800-5962-9166201MXA | 过时的 | 3 | 易挥发的 | 64kbit | 70 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1412AV18-200BZI | 55.6700 | ![]() | 203 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1412 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S25FL127SABMFI101 | 3.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 100 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 经过验证 | |||||
![]() | 00D5026-C | 36.2500 | ![]() | 7767 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-00D5026-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7008S25PFG | - | ![]() | 3830 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7008S25 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7008S25PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 25 ns | SRAM | 64k x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | MT29F8T08EWLEEM5-R:e tr | 171.6300 | ![]() | 1176 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C | - | - | Flash -nand(tlc) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R:ETR | 1,500 | 非易失性 | 8Tbit | 闪光 | 1t x 8 | 平行线 | - | ||||||||||
![]() | 71V65903S80BQG | 26.1188 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v65903 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 易挥发的 | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1648KV18-450BZC | 308.7200 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-CY7C1648KV18-450BZC-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
FM27C512V90 | - | ![]() | 9039 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | FM27C512 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (14x11.46) | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 512kbit | 90 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | UPD44645182AF5-E33-FQ1 | 71.5600 | ![]() | 323 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IS22TF08G-JQLA1-TR | 16.6915 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(pslc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF08G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | MX25UM51345GXDR00 | - | ![]() | 7774 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MX25UM51345 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 24-cspbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1092-1275 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | 60µs,750µs | |||
![]() | W25N01GWTBIT | - | ![]() | 9715 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25N01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N01GWTBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 8 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||
![]() | CY7C1020CV33-15ZSXE | 1.0000 | ![]() | 7854 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 15 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | 7140LA45PDG | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 48 浸(0.600英寸,15.24毫米) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 48-PDIP | - | 800-7140LA45PDG | 1 | 易挥发的 | 8kbit | 45 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 45ns | |||||||||
![]() | NSEC00K016-AT | 25.5360 | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand (MLC) | 3.3V | 100-BGA (14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NSEC00K016-AT | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC_5 | - | |||||||
![]() | CAT25C64 | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25C64 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | 非易失性 | 64kbit | EEPROM | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | S29GL256P10TFI020 | 6.0700 | ![]() | 1974年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256P10TFI020 | 1 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
S25FS128SAGBHI200 | 4.1600 | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Infineon技术 | FS-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||
![]() | S70GL02GT11FHB010 | - | ![]() | 3340 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S70GL02GT11FHB010 | 1 |
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