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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
709269S12PFG	-	RFQ	5934	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，标准	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-709269S12PFG			1	50 MHz	易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	16k x 16	平行线	-
7078072-C	268.7500	RFQ	8797	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-7078072-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL512SAGBHI213	10.9900	RFQ	1848年	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
EMMC128-TY29-5B111	16.8700	RFQ	45	金斯敦	-	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	153-WFBGA	EMMC128	Flash -nand（tlc）	1.8V，3.3V	153-WFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3217-EMMC128-TY29-5B111	Ear99	8542.31.0001	1		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC
CY7C1313CV18-250BZC	34.9600	RFQ	54	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1313	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
SST39VF3202C-70-4I-B3KE	2.7900	RFQ	2033	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF3202	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SST39VF3202C704IB3KE	3A991B1A	8542.32.0071	480		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	10µs
7164L35TPG	-	RFQ	7294	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164L35TPG			1		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
A5816812-C	44.5000	RFQ	9921	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5816812-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL256LAGMFI000	4.8000	RFQ	2904	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								下载		3（168））	到达不受影响	2156-S25FL256LAGMFI000-428	3A991B1A	8542.32.0071	1
7164L45TPG	-	RFQ	7266	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164L45TPG			1		易挥发的	64kbit	45 ns	SRAM	8k x 8	平行线	45ns
7008L12J8	-	RFQ	6664	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	-				800-7008L12J8TR			1		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	64k x 8	平行线	12ns
71024S15TY	-	RFQ	2071	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
MB85R4002ANC-GE1	17.5883	RFQ	4558	Kaga Fei America，Inc。	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop（0.488英寸，12.40mm）	MB85R4002	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	128		非易失性	4Mbit	150 ns	框架	256K x 16	平行线	150ns
W957D8MFYA5I	3.7300	RFQ	9311	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	24-TBGA	W957D8	HyperRam	3v〜3.6V	24-TFBGA，DDP （6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W957D8MFYA5I	Ear99	8542.32.0002	480	200 MHz	易挥发的	128mbit	36 NS	德拉姆	16m x 8	超肥	35ns
70914S12PFG	-	RFQ	7870	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	70914	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	36kbit	12 ns	SRAM	4K x 9	平行线	-
MT62F1G64D4EK-023 wt：b tr	45.6900	RFQ	5908	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-023WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
GD25Q128RIGR	2.1300	RFQ	8352	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				3,000	133 MHz	非易失性	128mbit	7 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2.4ms
USBF1600-I/MFVAO	-	RFQ	7579	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	USBF1600	闪光	2.7V〜3.6V	8-WDFN（5x6）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
IS22TF32G-JQLA1-TR	36.4420	RFQ	6223	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF32G-JQLA1-TR			1,000	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC_5.1	-
GS8640Z36GT-250I	105.7100	RFQ	2427	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	GS8640Z	sram-同步，ZBT	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	100-TQFP（20x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8640Z36GT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	18	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
GD25LQ64ENAGR	1.5582	RFQ	5729	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson（3x4）	-				1970-GD25LQ64ENAGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	100µs，4ms
GD25D20CKIGR	0.3016	RFQ	7918	gigadevice 半导体（香）	GD25D	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25D20CKIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	2Mbit	6 ns	闪光	256K x 8	spi-双i/o	50µs，4ms
CG8283AA	-	RFQ	6411	Infineon技术	-	管子	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	234
NAND128W3A2BNXE	-	RFQ	6249	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	128mbit	50 ns	闪光	16m x 8	平行线	50ns
IS42S16320D-7BL-TR	12.2400	RFQ	6289	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
CG7917AA	-	RFQ	9721	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的								-	不适用						3									未行业行业经验证
IDT71V65703S80PFI	-	RFQ	8134	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65703S80PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS22TF64G-JCLA2	53.4002	RFQ	5195	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF64G-JCLA2			152	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
mtfc128gazaotd-ait tr	40.2300	RFQ	3452	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC128GAZAOTD-AITTR			2,000
CAT24C02YGI-26707	-	RFQ	3350	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载					Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²