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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MB85RC512TPNF-G-JNERE1	5.6800	RFQ	2	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RC512	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	1,500	3.4 MHz	非易失性	512kbit	130 ns	框架	64k x 8	i²c	-
MB85RS1MTPW-G-APEWE1	6.0900	RFQ	9	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	MB85RS1	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-WLP （2.28x3.09）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	1,500	40 MHz	非易失性	1Mbit		框架	128K x 8	spi	-
MB85RS512TPNF-G-JNERE1	5.6800	RFQ	25	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RS512	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	1,500	30 MHz	非易失性	512kbit		框架	64k x 8	spi	-
CY7C1460KV25-250AXC	67.4200	RFQ	360	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	易挥发的	36mbit	2.5 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1460KV25-167BZCT	-	RFQ	6287	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	167 MHz	易挥发的	36mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1460KV25-167BZXI	82.0600	RFQ	5418	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	易挥发的	36mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1460KV25-200BZXI	72.4325	RFQ	7362	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1440KV25-250BZXI	66.4475	RFQ	7569	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1440	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1440KV25-250BZXIT	66.4475	RFQ	7991	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1440	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	250 MHz	易挥发的	36mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS43TR81280BL-107MBL	-	RFQ	8146	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43TR81280BL-107MBLI	6.0049	RFQ	6110	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43TR81280BL-107MBL-TR	-	RFQ	4283	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43TR81280BL-125JBL-TR	-	RFQ	1372	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43TR82560B-15HBL	-	RFQ	8242	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS43TR82560B-15HBLI-TR	-	RFQ	8295	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS43TR82560BL-125KBLI	-	RFQ	6076	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS43TR82560BL-15HBLI	-	RFQ	4670	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS43TR82560BL-15HBLI-TR	-	RFQ	3682	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS43TR82560BL-15HBL-TR	-	RFQ	4153	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS45S16160J -6TLA1 -Tr	4.3887	RFQ	2524	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS45S16160J-7TLA1	4.6259	RFQ	4497	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS45S16320F-6BLA1	13.1535	RFQ	8826	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	240	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS45S16320F-6BLA1-Tr	13.0500	RFQ	9168	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS45S16320F-6TLA1	13.3133	RFQ	4679	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	108	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS45S16320F-7BLA2	15.8813	RFQ	1049	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	240	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS45S16320F-7BLA2-Tr	15.8250	RFQ	3534	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS45S16320F-7CTLA2-TR	15.8250	RFQ	4192	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS46DR16128A-3DBLA1	-	RFQ	6878	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LFBGA	IS46DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-LFBGA（10.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	162	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS46R16160F-5TLA1	4.5028	RFQ	9585	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS46R16160F-6BLA2	6.4315	RFQ	8212	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	190	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²