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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
AT28HC256-12LM/883	245.8200	RFQ	4498	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TC）	表面安装	32-CLCC	AT28HC256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-LCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0051	34		非易失性	256kbit	120 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
MT29F2G16ABBFAH4：f	-	RFQ	9796	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
CAT28F010HI12	-	RFQ	5691	Onmi	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CAT28F010	闪光	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载		2a （4周）	到达不受影响	2156-CAT28F010HI12	Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	1Mbit	120 ns	闪光	128K x 8	平行线	120ns
MT29F256G08AUCABK4-10：a	-	RFQ	8434	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1	100 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
IDT71V65903S80PF8	-	RFQ	9422	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65903	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65903S80PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
CAT25256YI-G	-	RFQ	5992	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT25256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
MT49H8M36SJ-25E：b	-	RFQ	3627	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
MT44K64M18RCT-125E：A TR	-	RFQ	1252	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	800 MHz	易挥发的	1.125Gbit	12 ns	德拉姆	64m x 18	平行线
AT24C16-10PI-1.8	-	RFQ	3507	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	AT24C16	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C1610PI1.8	Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
CY14E101Q1A-SXIT	-	RFQ	4214	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14E101	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500	40 MHz	非易失性	1Mbit		NVSRAM	128K x 8	spi	-
AT25040AY6-10YH-1.8	-	RFQ	7893	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT25040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
CY14MB064Q2A-SXI	-	RFQ	3741	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14MB064	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	97	40 MHz	非易失性	64kbit		NVSRAM	8k x 8	spi	-
IDT71V3556S133BQGI8	-	RFQ	5130	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3556S133BQGI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS61QDB42M18C-333M3I	-	RFQ	9825	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB42	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
AS4C128M8D3A-12BAN	-	RFQ	2045	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	AS4C128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
CY7C1425LV18-250BZC	-	RFQ	5433	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1425	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	4m x 9	平行线	-
W25Q40EWSNIG TR	0.4261	RFQ	9542	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q40	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
IDT71V3558S200BQ	-	RFQ	4308	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3558S200BQ	3A991B2A	8542.32.0041	136	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
CY14MB064Q1B-SXI	-	RFQ	4824	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14MB064	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	97	40 MHz	非易失性	64kbit		NVSRAM	8k x 8	spi	-
25LC080AT-I/MS	0.7500	RFQ	4093	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	25LC080	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	25LC080AT-I/MS-NDR	Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
N25Q512A13G1240E	-	RFQ	8918	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q512A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1568	3A991B1A	8542.32.0071	1,122	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
AT24C32AW-10SI-2.7	-	RFQ	6673	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT24C32	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C32AW-10SI2.7	Ear99	8542.32.0051	94	400 kHz	非易失性	32kbit	900 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
SM662GEA-BES	-	RFQ	2248	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GEA-BES	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	40Gbit		闪光	5g x 8	EMMC	-
IS61LPD51236A-250B3I-Tr	-	RFQ	9092	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPD51236	sram-四边形端口，同步	3.135V〜3.465V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
SST39LF010-45-4C-WHE-T	-	RFQ	1358	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	SST39LF010	闪光	3v〜3.6V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	1Mbit	45 ns	闪光	128K x 8	平行线	20µs
MEM2851-256U768D-C	55.0000	RFQ	8164	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM2851-256U768D-C	Ear99	8473.30.9100	1
CY7C199-25VC	0.4800	RFQ	5383	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
AT27C010-12PC	-	RFQ	1302	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT27C010	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT27C01012PC	Ear99	8542.32.0061	12		非易失性	1Mbit	120 ns	EPROM	128K x 8	平行线	-
AT27LV512A-15JI	-	RFQ	4604	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT27LV512	EPROM -OTP	3v〜3.6V，4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT27LV512A15JI	Ear99	8542.32.0061	32		非易失性	512kbit	150 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
24AA08-I/WF16K	-	RFQ	6151	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA08	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 4	i²c	5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²