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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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IS46DR16640C-3DBLA1 | 5.9979 | ![]() | 2883 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | IDT71V2559S85PFG8 | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V2559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V2559S85PFG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 70121L35JG | - | ![]() | 1939年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-70121L35JG | 1 | 易挥发的 | 18kbit | 35 ns | SRAM | 2k x 9 | 平行线 | 35ns | |||||||||
![]() | MX25U64356ZBI02 | 1.0282 | ![]() | 4451 | 0.00000000 | 大元 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 3(168)) | 1092-MX25U64356ZBI02TR | 5,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460SV25-167BZXI | - | ![]() | 4867 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1460 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA(13x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
S25FL256SAGBHIY03 | 9.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | - | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S25FL256SAGBHIY03TR | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 52 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | AA810828-C | 770.0000 | ![]() | 1849年 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-AA810828-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7006L25J | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7006L25 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 易挥发的 | 128kbit | 25 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | S34ML01G100BHB003 | - | ![]() | 5919 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | S34ML01 | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 2120-S34ML01G100BHB003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
![]() | AS6C4008-55PCNTR | 4.3451 | ![]() | 4072 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 32 滴(0.600英寸,15.24毫米) | sram-异步 | 2.7V〜5.5V | 32-PDIP | 下载 | (1 (无限) | 1450-AS6C4008-55PCNTR | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||||
![]() | 7025L20PFG | - | ![]() | 5012 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7025L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7025L20PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 128kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 20NS | |||||||
MT40A4G4DVN-062H:e | - | ![]() | 9411 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | 下载 | 557-MT40A4G4DVN-062H:e | 过时的 | 8542.32.0071 | 210 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 27 NS | 德拉姆 | 4G x 4 | 平行线 | - | ||||||
![]() | gd25q64cbigy | - | ![]() | 6626 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | GD25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | ||||
![]() | MT53B512M64D4NK-062 wt:c tr | - | ![]() | 3329 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(15x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | A2686149-C | 17.5000 | ![]() | 4225 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A2686149-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25Q10EWSNIG TR | - | ![]() | 5207 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | W25Q10 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q10EWSNIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 6 ns | 闪光 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 30µs,800µs | ||
W25Q32FVTCAQ | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(8x6) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q32FVTCAQ | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 50µs,3ms | |||||
![]() | IS61LPS25618A-200TQI-TR | - | ![]() | 4433 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPS25618 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | IDT71V3556S150BQ | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3556S150BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 150 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | S26HS01GTFPBHM020 | 27.2300 | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 24-fbga(8x8) | 下载 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 5.45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 超肥 | 1.7ms | ||||||
![]() | 869537-001-C | 93.7500 | ![]() | 8901 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-869537-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
24AA04H-i/p | 0.3900 | ![]() | 1705年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | 24AA04 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 非易失性 | 4Kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IDT71V016HSA12PH | - | ![]() | 1136 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IDT71V016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V016HSA12PH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 26 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | C-3200D4DR8RN/16G-TAA | 203.2500 | ![]() | 9792 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-3200D4DR8RN/16G-TAA | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | M24256-BFCS6TP/k | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-ufbga,WLCSP | M24256 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-wlcsp | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 256kbit | 450 ns | EEPROM | 32K x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | mtfc8gamalbh-aat | 11.1750 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | IS46LQ32640A-062BLA2 | - | ![]() | 4944 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32640A-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | - | |||||||
70T3599S133DR | - | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 208-BFQFP | 70T3599 | sram-双端口,同步 | 2.4v〜2.6V | 208-PQFP(28x28) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | MX78U64A00FXDJ02 | 2.0760 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | 大元 | - | 托盘 | 积极的 | - | 3(168)) | 1092-MX78U64A00FXDJ02 | 480 | |||||||||||||||||||||
![]() | R1RP0416DSB-2LR #S1 | 4.4187 | ![]() | 3944 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 559-R1RP0416DSB-2LR #S1TR | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns |
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