SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
IS46DR16640C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1 5.9979
RFQ
ECAD 2883 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 209 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IDT71V2559S85PFG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V2559S85PFG8 -
RFQ
ECAD 6379 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IDT71V2559 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3(168)) 到达不受影响 71V2559S85PFG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4.5mbit 8.5 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
70121L35JG Renesas Electronics America Inc 70121L35JG -
RFQ
ECAD 1939年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 上次购买 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-lcc(j-lead) sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) - 800-70121L35JG 1 易挥发的 18kbit 35 ns SRAM 2k x 9 平行线 35ns
MX25U64356ZBI02 Macronix MX25U64356ZBI02 1.0282
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 大元 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 3(168)) 1092-MX25U64356ZBI02TR 5,000
CY7C1460SV25-167BZXI Infineon Technologies CY7C1460SV25-167BZXI -
RFQ
ECAD 4867 0.00000000 Infineon技术 - 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1460 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA(13x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 36mbit 3.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
S25FL256SAGBHIY03 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SAGBHIY03 9.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 fl-s 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA S25FL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-bga(8x6) - Rohs不合规 不适用 供应商不确定 2832-S25FL256SAGBHIY03TR 3A991B1A 8542.32.0070 52 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 - 未行业行业经验证
AA810828-C ProLabs AA810828-C 770.0000
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ECAD 1849年 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-AA810828-C Ear99 8473.30.5100 1
7006L25J Renesas Electronics America Inc 7006L25J -
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ECAD 6733 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 7006L25 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 18 易挥发的 128kbit 25 ns SRAM 16k x 8 平行线 25ns
S34ML01G100BHB003 SkyHigh Memory Limited S34ML01G100BHB003 -
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ECAD 5919 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 S34ML01 - Rohs符合条件 3(168)) 2120-S34ML01G100BHB003 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 未行业行业经验证
AS6C4008-55PCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55PCNTR 4.3451
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ECAD 4072 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 32 滴(0.600英寸,15.24毫米) sram-异步 2.7V〜5.5V 32-PDIP 下载 (1 (无限) 1450-AS6C4008-55PCNTR 1,000 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
7025L20PFG Renesas Electronics America Inc 7025L20PFG -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 7025L20 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) - 800-7025L20PFG 过时的 1 易挥发的 128kbit 20 ns SRAM 8k x 16 平行线 20NS
MT40A4G4DVN-062H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-062H:e -
RFQ
ECAD 9411 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 557-MT40A4G4DVN-062H:e 过时的 8542.32.0071 210 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 27 NS 德拉姆 4G x 4 平行线 -
GD25Q64CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64cbigy -
RFQ
ECAD 6626 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-062 wt:c tr -
RFQ
ECAD 3329 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(15x15) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
A2686149-C ProLabs A2686149-C 17.5000
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-A2686149-C Ear99 8473.30.5100 1
W25Q10EWSNIG TR Winbond Electronics W25Q10EWSNIG TR -
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) W25Q10 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q10EWSNIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 非易失性 1Mbit 6 ns 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 30µs,800µs
W25Q32FVTCAQ Winbond Electronics W25Q32FVTCAQ -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA W25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(8x6) - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q32FVTCAQ 过时的 1 104 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 50µs,3ms
IS61LPS25618A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200TQI-TR -
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS25618 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
IDT71V3556S150BQ Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S150BQ -
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IDT71V3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V3556S150BQ 3A991B2A 8542.32.0041 136 150 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
S26HS01GTFPBHM020 Infineon Technologies S26HS01GTFPBHM020 27.2300
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 Infineon技术 Semper™ 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-vbga 闪存-SLC) 1.7V〜2V 24-fbga(8x8) 下载 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 260 166 MHz 非易失性 1Gbit 5.45 ns 闪光 128m x 8 超肥 1.7ms
869537-001-C ProLabs 869537-001-C 93.7500
RFQ
ECAD 8901 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-869537-001-C Ear99 8473.30.5100 1
24AA04H-I/P Microchip Technology 24AA04H-i/p 0.3900
RFQ
ECAD 1705年 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) 24AA04 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 60 400 kHz 非易失性 4Kbit 900 ns EEPROM 256 x 8 x 2 i²c 5ms
IDT71V016HSA12PH Renesas Electronics America Inc IDT71V016HSA12PH -
RFQ
ECAD 1136 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IDT71V016 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V016HSA12PH 3A991B2B 8542.32.0041 26 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
C-3200D4DR8RN/16G-TAA ProLabs C-3200D4DR8RN/16G-TAA 203.2500
RFQ
ECAD 9792 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-3200D4DR8RN/16G-TAA Ear99 8473.30.5100 1
M24256-BFCS6TP/K STMicroelectronics M24256-BFCS6TP/k -
RFQ
ECAD 6210 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-ufbga,WLCSP M24256 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-wlcsp 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 256kbit 450 ns EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
MTFC8GAMALBH-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-aat 11.1750
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA mtfc8 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
IS46LQ32640A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA2 -
RFQ
ECAD 4944 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640A-062BLA2 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 lvstl -
70T3599S133DR Renesas Electronics America Inc 70T3599S133DR -
RFQ
ECAD 1904年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 208-BFQFP 70T3599 sram-双端口,同步 2.4v〜2.6V 208-PQFP(28x28) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
MX78U64A00FXDJ02 Macronix MX78U64A00FXDJ02 2.0760
RFQ
ECAD 4280 0.00000000 大元 - 托盘 积极的 - 3(168)) 1092-MX78U64A00FXDJ02 480
R1RP0416DSB-2LR#S1 Renesas Electronics America Inc R1RP0416DSB-2LR #S1 4.4187
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ECAD 3944 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 559-R1RP0416DSB-2LR #S1TR 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库