RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT62F768M64D4ZU-026 wt：b tr	27.9300	RFQ	7367	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-	MT62F768	sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F768M64D4ZU-026WT：BTR			2,500	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
S34ML01G200BHV000	-	RFQ	7006	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34ML01				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML01G200BHV000	3A991B1A	8542.32.0071	210									未行业行业经验证
E28F020120	2.6600	RFQ	92	英特尔	M28F020	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32 SOP		闪存-SLC）	4.75V〜5.25V	32-tsop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	2Mbit	120 ns	闪光	256K x 8	平行线	120ns
CY7C194BN-15PC	6.6500	RFQ	504	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	CY7C194	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0041	46		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	64k x 4	平行线	15ns	未行业行业经验证
S34ML02G200GHI003	-	RFQ	1514年	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34ML02				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML02G200GHI003	3A991B1A	8542.32.0071	2,500									未行业行业经验证
MT58L128L32P1T-7.5CTR	4.7500	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
IS42S16160J-6TLI-TR	2.9779	RFQ	5382	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
7130LA55J/2930	-	RFQ	4251	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7130LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
MT53E2G64D8EG-046 wt：c tr	-	RFQ	3307	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E2G64D8EG-046WT：CTR			2,000
MT62F2G32D4DS-026 AAT：b tr	63.8550	RFQ	9218	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-026AAT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
AM27C256-90DC	41.6000	RFQ	9699	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AM27C256-90DC-2156			1
CY7C1011CV33-12ZSXET	-	RFQ	9531	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1011	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	12 ns	SRAM	128K x 16	平行线	12ns
S29GL128S10DHB013	4.6757	RFQ	2078	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,200		非易失性	128mbit	100 ns	闪光	16m x 8	CFI	60ns
AT24C04C-XHM-T	0.3000	RFQ	94	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C04	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	4Kbit	550 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
MEM-DR432L-HL03-ER26-C	130.0000	RFQ	6653	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR432L-HL03-ER26-C	Ear99	8473.30.5100	1
SST26VF032BEUIT-104I/SM	2.7900	RFQ	3	微芯片技术	SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	SST26VF032	闪光	2.7V〜3.6V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,100	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
MT29F128G08AUCBBH3-12：b tr	-	RFQ	8041	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
X4651A-C	17.5000	RFQ	3908	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-X4651A-C	Ear99	8473.30.5100	1
7026S25JI	-	RFQ	5572	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7026S25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	16k x 16	平行线	25ns
MR25H256ACDFR	4.5000	RFQ	7266	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR25H256ACDFRTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit	9 ns	内存	32K x 8	spi	-
M29F040B45K6E	-	RFQ	5999	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M29F040	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	4Mbit	45 ns	闪光	512k x 8	平行线	45ns
S29GL01GP12FFI010	22.2300	RFQ	29	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL01GP12FFI010	3A991B1A	8542.32.0071	23		非易失性	1Gbit	120 ns	闪光	128m x 8	平行线	120ns
MT49H64M9BM-25：b	-	RFQ	2332	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H64M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
CY62256LL-70SNXCT	-	RFQ	5032	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY62256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
CY7C1059DV33-12ZSXI	20.2300	RFQ	489	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1059	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	15		易挥发的	8mbit	12 ns	SRAM	1m x 8	平行线	12ns	未行业行业经验证
A8661096-C	195.0000	RFQ	4068	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A8661096-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1165KV18-400BZXC	37.1400	RFQ	93	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1165	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							9	400 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
500670-B21-C	43.7500	RFQ	2399	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-500670-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS62WV12816BLL-55BI-TR	-	RFQ	1855年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
CG7280BM	-	RFQ	3247	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²