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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS61QDP2B41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B41M18A-400M3L 44.1540
RFQ
ECAD 9576 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDP2 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS61QDP2B42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B42M18A-400M3L 75.0000
RFQ
ECAD 9667 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDP2 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
IS61QDPB21M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB21M18A-333M3L 44.1540
RFQ
ECAD 5649 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB21 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS61QDPB21M36A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB21M36A-333M3L 71.5551
RFQ
ECAD 6756 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB21 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS61QDPB22M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB22M18A-333M3L 71.5551
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB22 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
IS61QDPB22M36A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB22M36A-333M3L 100.1770
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB22 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61QDPB42M18A-400M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3I -
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
IS61QDPB42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3L 71.5551
RFQ
ECAD 1268 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
IS61QDPB42M36A2-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500B4L 111.7063
RFQ
ECAD 3951 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61QDPB42M36A2-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500B4LI 117.1779
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61QDPB42M36A-400M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-400M3LI 105.1858
RFQ
ECAD 8394 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61QDPB42M36A-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4L 111.7063
RFQ
ECAD 1500 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61QDPB451236A-400M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB451236A-400M3LI 45.0000
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB451236 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61VPS102436A-166TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436A-166TQL-TR -
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS102436 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 易挥发的 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS61VPS102436B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250TQLI-TR 87.8500
RFQ
ECAD 6611 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS102436 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 MHz 易挥发的 36mbit 2.8 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS61VPS51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQLI -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR 1.6971
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) IS61WV1288 sram-异步 2.4v〜3.6V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR 2.8952
RFQ
ECAD 7390 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV25616 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS61WV25616EDBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8TLI 4.3891
RFQ
ECAD 9971 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV25616 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 8 ns SRAM 256K x 16 平行线 8ns
IS61WV2568EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10KLI 4.9249
RFQ
ECAD 1336 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61WV2568 sram-异步 2.4v〜3.6V 36-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 19 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 256K x 8 平行线 10NS
IS61WV51216EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-10TLI 11.7000
RFQ
ECAD 312 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV51216 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 平行线 10NS
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 3.0281
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS61WV5128 sram-异步 2.4v〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS61WV6416EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10TLI 1.7723
RFQ
ECAD 8369 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV6416 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 135 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 64k x 16 平行线 10NS
IS62C10248AL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C10248AL-55TLI-TR 9.7500
RFQ
ECAD 6404 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62C10248 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 8mbit 55 ns SRAM 1m x 8 平行线 55ns
AT34C02D-SSHMHL-T Microchip Technology AT34C02D-SSHMHL-T -
RFQ
ECAD 3435 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AT34C02 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 4,000 1 MHz 非易失性 2kbit EEPROM 256 x 8 i²c 5ms
AT34C02D-XHMHL-T Microchip Technology AT34C02D-XHMHL-T -
RFQ
ECAD 9314 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) AT34C02 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 2kbit EEPROM 256 x 8 i²c 5ms
MR256DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR256DL08BMA45 7.3191
RFQ
ECAD 8414 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR256DL08 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1062 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 256kbit 45 ns 内存 32K x 8 平行线 45ns
MX25L512EZUI-10G Macronix MX25L512EZUI-10G 0.4200
RFQ
ECAD 42 0.00000000 大元 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 MX25L512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 12,000 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi 50µs,3ms
MT49H32M9FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-25:b tr -
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H32M9 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
MT49H8M36FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25:b tr -
RFQ
ECAD 3165 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H8M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库