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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
CY7C1370KV33-250AXC	31.9375	RFQ	6728	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
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CY7C1371KV33-133AXC	30.9750	RFQ	5333	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1371	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1372KV25-167AXC	30.9750	RFQ	4918	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1372	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	360	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C1380KV33-167AXC	32.4000	RFQ	360	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1380	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1380KV33-167AXIT	41.3875	RFQ	7555	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1380	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1381KV33-100AXC	32.4000	RFQ	720	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1381	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1381KV33-133AXC	32.4000	RFQ	144	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1381	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1381KV33-133AXI	33.2900	RFQ	5226	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1381	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1382KV33-200AXC	32.2900	RFQ	8409	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1382	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C1386KV33-167AXCT	30.9750	RFQ	3340	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1386	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1386KV33-200AXC	30.9750	RFQ	4626	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1386	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CG7803AA	-	RFQ	6670	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	72
CG7910AA	-	RFQ	8976	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	72
CG7910AAT	-	RFQ	1402	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750
CG7965AAT	-	RFQ	9190	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750
CG7985AAT	-	RFQ	8256	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750
IS66WVH8M8ALL-166B1LI	5.0400	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVH8M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1465	Ear99	8542.32.0071	480	166 MHz	易挥发的	64mbit	36 NS	PSRAM	8m x 8	平行线	36ns
MT48LC2M32B2TG-6A IT：j	-	RFQ	1261	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
MT48LC2M32B2TG-6A：j	-	RFQ	2503	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
MT48LC8M16A2TG-6A：l	-	RFQ	6394	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	12ns
MT46V32M16TG-5B IT：JTR	-	RFQ	8705	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT48LC16M16A2TG-6A：GTR	-	RFQ	6006	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT48LC2M32B2TG-6A IT：JTR	-	RFQ	2286	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
CY62146GN-45ZSXI	4.8363	RFQ	5813	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62146	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	270		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
CY7C1041GN30-10BVJXI	8.0600	RFQ	6252	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
CY62147G30-45B2XIT	6.3525	RFQ	9922	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62147	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
CY62148G-45ZSXIT	8.1900	RFQ	5072	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY62148GN-45ZSXIT	4.6200	RFQ	7420	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY7C1041GN30-10BVJXIT	6.3525	RFQ	4807	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²