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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IDT71P79804S267BQ8	-	RFQ	5294	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71P79	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71P79804S267BQ8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	267 MHz	易挥发的	18mbit	6.3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
SST25PF040B-80-4C-S2AE	-	RFQ	5528	微芯片技术	SST25	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	SST25PF040	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	90	80 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	10µs
CY7C1513JV18-250BZXC	-	RFQ	8883	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
71V25761S166BGI8	-	RFQ	3086	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CG8406AA	-	RFQ	2484	Infineon技术	-	管子	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	135
MT28EW01GABA1LJS-0SIT	-	RFQ	9755	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28EW01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	1Gbit	95 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	60ns
70V3319S166PRFG8	268.9869	RFQ	8078	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	128-LQFP	70v3319	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	128-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.6 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
GD25LQ128EQIGR	1.3900	RFQ	5298	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson （4x4）	下载				1970-GD25LQ128EQIGRTR			3,000	120 MHz	非易失性	128mbit	6 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，2.4ms
MT62F3G32D8DV-023 IT：b tr	74.6400	RFQ	2363	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023IT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT53D512M16D1DS-046 wt：d	9.8600	RFQ	1	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53D512M16D1DS-046WT：d	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	-	-
CY7C1515JV18-300BZC	180.7100	RFQ	50	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S25FL128SAGNFI013	5.1100	RFQ	2	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
W29N04KZSIBG	7.5822	RFQ	5939	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））		256-W29N04KZSIBG	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	onfi	35ns，700µs
GD25LQ32ESAGR	1.0635	RFQ	1076	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-				1970-GD25LQ32ESAGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	100µs，4ms
MT62F3G32D8DV-026 wt：b	67.8450	RFQ	3004	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-026WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
W25Q128JWPIQ	1.5926	RFQ	5165	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q128JWPIQ	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	- ，3ms
MD28F010-90/r	140.9300	RFQ	3	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1
7132SA20J8	-	RFQ	6956	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7132SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
MX29LV400CTMI-70G	-	RFQ	2317	大元	MX29LV	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	MX29LV400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	44 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
70V27S20PFI8	-	RFQ	6731	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v27	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	512kbit	20 ns	SRAM	32k x 16	平行线	20NS
IS43DR16320E-25DBL-TR	2.2990	RFQ	4105	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR16320E-25DBL-TR			2,500	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	SSTL_18	15ns
CY7C1049BNL-17VCT	10.2500	RFQ	500	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1049	sram-异步	4.5V〜5.5V	36-SOJ	下载	不适用				3A991B2A	8542.32.0041	30		易挥发的	4Mbit	17 ns	SRAM	512k x 8	平行线	17ns	未行业行业经验证
MT62F768M64D4ZU-026 wt：b tr	27.9300	RFQ	7367	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-	MT62F768	sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F768M64D4ZU-026WT：BTR			2,500	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
S34ML01G200BHV000	-	RFQ	7006	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34ML01				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML01G200BHV000	3A991B1A	8542.32.0071	210									未行业行业经验证
E28F020120	2.6600	RFQ	92	英特尔	M28F020	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32 SOP		闪存-SLC）	4.75V〜5.25V	32-tsop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	2Mbit	120 ns	闪光	256K x 8	平行线	120ns
CY7C194BN-15PC	6.6500	RFQ	504	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	CY7C194	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0041	46		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	64k x 4	平行线	15ns	未行业行业经验证
S34ML02G200GHI003	-	RFQ	1514年	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34ML02				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML02G200GHI003	3A991B1A	8542.32.0071	2,500									未行业行业经验证
MT58L128L32P1T-7.5CTR	4.7500	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
IS42S16160J-6TLI-TR	2.9779	RFQ	5382	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
7130LA55J/2930	-	RFQ	4251	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7130LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²