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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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S26KL256SDABHM030 | 10.3600 | ![]() | 878 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,HyperFlash™KL | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 29 | 100 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 96 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
GS82582T19GE-450I | 465.0000 | ![]() | 2804 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS82582T19 | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS82582T19GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | SRAM | 16m x 18 | 平行线 | - | ||||
25LC640AX-I/ST | 0.8400 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 25LC640 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 25LC640AXIST | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 非易失性 | 64kbit | EEPROM | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | S25FL512SDPBHI310 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL512SDPBHI310 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL032P0XMFI010 | 2.4200 | ![]() | 107 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 207 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | ||||||
CAT93C66VI | 0.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT93C66 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT93C66VI-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 250 ns | EEPROM | 256 x 16,512 x 8 | 微线 | - | ||||
![]() | CY7C136E-25JXI | 52.7400 | ![]() | 211 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | CY7C136 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0041 | 10 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | CY7C1387BV25-167AC | 22.6000 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1387 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | SST26VF016B-80E/SN70SVAO | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100,SST26SQI® | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SST26VF016 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-SST26VF016B-80E/SN70SVAO | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | ||||
![]() | A8868767-C | 770.0000 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A8868767-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS25WJ032F-JNLE-TR | 0.7291 | ![]() | 4029 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WJ032F-JNLE-TR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1.6ms | ||||||
![]() | MT29F1G08ABAFAH4-AAT:f tr | 2.9665 | ![]() | 5767 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT:ftr | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 1Gbit | 20 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | CY7C1425KV18-250CKB | 35.9700 | ![]() | 272 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | CY7C1425 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | |||||||
![]() | CY7C1515V18-200BZC | 161.7800 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CG8201AA | - | ![]() | 5659 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V3557SA85BGGI8 | - | ![]() | 7511 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | IDT71V3557 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3557SA85BGGI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | CYD09S72V18-200BGXI | - | ![]() | 8072 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 484-FBGA | CYD09S72 | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 484-PBGA(27x27) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.3 ns | SRAM | 128K x 72 | 平行线 | - | |||
![]() | TE28F400CVT80 | 3.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 英特尔 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 闪光灯 -引导块 | 4.5V〜5.5V | 48-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 4Mbit | 80 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | cui | 80ns | |||||
R1EX24016ATAS0A #S0 | 1.4900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | R1EX24016 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | S25FL116K0XMFN041 | - | ![]() | 1624年 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl1-k | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | S25FL116 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 108 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | ||||
![]() | CY7C057V-15AXCT | - | ![]() | 2994 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LQFP | CY7C057 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 144-TQFP(20x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 15 ns | SRAM | 32k x 36 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | NDS36PT5-16IT | 2.7110 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS36P | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS36PT5-16IT | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | lvttl | 12ns | ||||||
![]() | 7024S12JI8 | - | ![]() | 5179 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7024S12JI8TR | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 12 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | MT53E512M32D2FW-046自动:D Tr | - | ![]() | 2642 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT:DTR | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | IDT71V65603S100PFI8 | - | ![]() | 1001 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V65603 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V65603S100PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 7104493-C | 48.5000 | ![]() | 2634 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-7104493-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFV003 | 3.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S34ML02G100TFV003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | 5962-8866206 | - | ![]() | 7398 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | - | 800-5962-8866206 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CG8104AA | - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | ||||||||||||||||||
W25N01GWTCIG TR | 3.3026 | ![]() | 2019 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25N01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N01GWTCIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 8 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs |
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