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![]() | MB85RC16VPNF-G-JNERE1 | - | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MB85RC16 | fram (铁电 ram) | 3v〜5.5V | 8-sop | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | 550 ns | 框架 | 2k x 8 | i²c | - | |||
![]() | FT25H16S-RT | - | ![]() | 9437 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FT25H16 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi | 2.4ms | |||||
FT25H04T-RB | - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | FT25H04 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | 下载 | 3(168)) | 1219-1191-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 120 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 2ms | |||||
![]() | AT21CS01-MSHMHU-T | - | ![]() | 3984 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | AT21CS01 | EEPROM | 1.7v〜3.6V | 2-XSFN(5x3.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 125 kbps | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | i²c,单线 | 5ms | |||
![]() | AT25DF041B-UUN-T | 1.0800 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-XFBGA,WLCSP | AT25DF041 | 闪光 | 1.65V〜3.6V | 8-wlcsp(1.63x1.58) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 8µs,2.5ms | |||
![]() | AT25SF161-SSHDHR-T | - | ![]() | 7354 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT25SF161 | 闪光灯 -也不 | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,5ms | |||
![]() | SST25PF040CT-40I/SN | 1.0600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST25 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SST25PF040 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,300 | 40 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | MT29C2G24MAAAAAAAHAKC-5 E IT | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | MT29C2G24M | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT | - | ![]() | 6947 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 130-VFBGA | MT29C2G24 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 130-vfbga(8x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 2Gbit(NAND),1Gbit lpdram) | 闪光,ram | 128m x 16(NAND),64m x 16 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29C2G24MAAAAAAHAKC-5 IT | - | ![]() | 4611 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | MT29C2G24M | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MT42L16M32D1LG-25 FAAT:a | - | ![]() | 6867 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT42L16M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 168-WFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc4gacaecn-1m wt | - | ![]() | 6257 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | S34ML01G200BHV003 | - | ![]() | 2435 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | S34MS01G100BHB003 | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | S34MS01G200TFA003 | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | S34MS01G200TFI003 | - | ![]() | 3125 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | S34MS04G100TFB003 | - | ![]() | 9913 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | DS28E81+ | - | ![]() | 8363 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | - | - | DS28E81 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 90-28810+000 | 0000.00.0000 | 10 | |||||||||||||
![]() | DS28E81P+ | - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | - | - | DS28E81 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 90-2881p+000 | 0000.00.0000 | 120 | |||||||||||||
![]() | S25FL256SAGMFNG00 | 7.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 240 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
![]() | S25FL256SDPNFB000 | 7.9450 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 66 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
S26KL256SDABHV020 | 12.0000 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperFlash™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 100 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 96 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | - | |||
S26KS128SDPBHI020 | 10.0700 | ![]() | 9997 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperFlash™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | S34MS01G200BHA000 | - | ![]() | 3316 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | S34MS04G200BHB000 | - | ![]() | 3410 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | S34MS04G200BHV000 | - | ![]() | 1594年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | AT25M02-SSHD-B | 4.0800 | ![]() | 9164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT25M02 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 5 MHz | 非易失性 | 2Mbit | EEPROM | 256K x 8 | spi | 10ms | |||
![]() | BR24G02-3 | - | ![]() | 5923 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | BR24G02 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8二型-T | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | BR24G1M-3A | - | ![]() | 1836年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | BR24G1 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8二型-T | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 1 MHz | 非易失性 | 1Mbit | EEPROM | 128K x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | BR24T128-W | - | ![]() | 5790 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | BR24T128 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8二型-T | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 400 kHz | 非易失性 | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms |
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