SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
W25X64VSFIG Winbond Electronics W25x64vsfig -
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ECAD 4967 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) W25x64 闪光 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 44 75 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 spi 3ms
RD38F2240WWYTQ0 Intel RD38F2240WWYTQ0 10.0000
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ECAD 2 0.00000000 英特尔 * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B1A 8542.32.0071 2,000
IS61VF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6.5B3 -
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ECAD 6047 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
P19251-001-C ProLabs P19251-001-C 835.0000
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ECAD 9168 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-P19251-001-C Ear99 8473.30.5100 1
71256SA35SOG18 Renesas Electronics America Inc 71256SA35SOG18 -
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ECAD 7190 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 上次购买 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-SOIC (0.345“,8.77mm宽度) sram-异步 4.5V〜5.5V 28-Soic - 800-71256SA35SOG18 1 易挥发的 256kbit 35 ns SRAM 32K x 8 平行线 35ns
STK14D88-NF45I Simtek STK14D88-NF45I -
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ECAD 9286 0.00000000 Simtek - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.295(7.50mm) STK14D88 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0041 1 非易失性 256kbit 45 ns NVSRAM 32K x 8 平行线 45ns
W988D6FBGX7I TR Winbond Electronics W988D6FBGX7I TR -
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ECAD 6344 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 - 3(168)) 到达不受影响 256-W988D6FBGX7ITR 1
NDL28PFR-8KIT Insignis Technology Corporation NDL28PFR-8KIT -
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ECAD 6555 0.00000000 Insignis Technology Corporation - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA NDL28 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(7.5x10.5) - 到达不受影响 1982-NDL28PFR-8KIT Ear99 8542.32.0036 210 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:c -
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ECAD 7446 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
7024S25PFG Renesas Electronics America Inc 7024S25PFG -
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ECAD 6213 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 7024S25 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) - 800-7024S25PFG 过时的 1 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 4K x 16 平行线 25ns
IS61LV12816L-10LQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQLI-TR -
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ECAD 9643 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-LQFP IS61LV12816 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-LQFP(10x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 128K x 16 平行线 10NS
MB85RS1MTPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPNF-G-JNE1 4.6134
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ECAD 3125 0.00000000 Kaga Fei America,Inc。 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) fram (铁电 ram) 1.8v〜3.6V 8-sop - 865-MB85RS1MTPNF-G-JNE1 95 40 MHz 非易失性 1Mbit 9 ns 框架 128K x 8 spi -
W25Q128FVBIG Winbond Electronics W25Q128FVBIG -
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ECAD 4854 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA W25Q128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 50µs,3ms
S29GL512S11DHI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL512S11DHI010 5.1600
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ECAD 5033 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 GL-S 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA S29GL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(9x9) 下载 rohs3符合条件 2832-S29GL512S11DHI010 1 非易失性 512Mbit 110 ns 闪光 32m x 16 平行线 60ns 未行业行业经验证
GD5F2GQ5REYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYIHY 3.9138
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ECAD 4288 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 1.7V〜2V 8-wson(6x8) - 1970-GD5F2GQ5REYIHY 4,800 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 600µs
MT29F1T08GBLCEJ4-QM:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLCEJ4-QM:c tr 19.5450
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ECAD 2887 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F1T08GBLCEJ4-QM:CTR 2,000
W948V6KBHX5E Winbond Electronics W948V6KBHX5E 2.1391
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ECAD 1769年 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA W948V6 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W948V6KBHX5E Ear99 8542.32.0024 312 200 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 16 lvcmos 15ns
SM662GXE-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GXE-BES 99.2300
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ECAD 6617 0.00000000 硅运动,Inc。 Ferri-Emmc® 托盘 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 100-LBGA SM662 Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) - 100-BGA (14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1984-sm662gxe-bess 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 640Gbit 闪光 80g x 8 EMMC -
S34ML02G100TFI000 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100TFI000 -
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ECAD 3233 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 ML-1 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) S34ML02 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2832-S34ML02G100TFI000 3A991B1A 8542.32.0071 192 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 25ns
NDS73PT9-20AT Insignis Technology Corporation NDS73PT9-20AT 3.9768
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ECAD 3185 0.00000000 Insignis Technology Corporation * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 1982-NDS73PT9-20AT 108
AS6C8016B-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016B-55BIN 5.8702
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ECAD 6338 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 AS6C8016 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS6C8016B-55BIN Ear99 8542.32.0041 300
W66CQ2NQUAHJ TR Winbond Electronics W66CQ2NQUAHJ TR 6.6750
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ECAD 3310 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA W66CQ2 sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-WFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W66CQ2NQUAHJTR Ear99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 LVSTL_11 18NS
MT42L128M64D2LL-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-18 wt:a -
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ECAD 9451 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 216-fbga(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR 16.7100
RFQ
ECAD 1309 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29GZ6A6BPIET-53IT.112TR 2,000
M30042040108X0PWAY Renesas Electronics America Inc M30042040108x0Pway 14.5624
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ECAD 6896 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 8-WDFN暴露垫 M30042040108 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 800-M30042040108X0PWAY Ear99 8542.32.0071 225 108 MHz 非易失性 4Mbit 内存 1m x 4 - -
W25Q80BVZPAG Winbond Electronics W25Q80BVZPAG -
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 W25Q80 闪光灯 -也不 2.5V〜3.6V 8-wson(6x5) - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q80BVZPAG 过时的 1 104 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:c tr 60.5400
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:CTR 2,000
7024S35PFI Renesas Electronics America Inc 7024S35PFI -
RFQ
ECAD 8589 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 7024S35 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) Ear99 8542.32.0041 90 易挥发的 64kbit 35 ns SRAM 4K x 16 平行线 35ns
IDT71V547S100PF Renesas Electronics America Inc IDT71V547S100PF -
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ECAD 1375 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IDT71V547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V547S100PF 3A991B2A 8542.32.0041 72 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-IT:f -
RFQ
ECAD 8002 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT:f 8542.32.0071 210 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库