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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | W25x64vsfig | - | ![]() | 4967 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25x64 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 75 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | RD38F2240WWYTQ0 | 10.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 英特尔 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | ||||||||||||||||||
![]() | IS61VF102418A-6.5B3 | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | P19251-001-C | 835.0000 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-P19251-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71256SA35SOG18 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.345“,8.77mm宽度) | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | - | 800-71256SA35SOG18 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 35 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | |||||||||
![]() | STK14D88-NF45I | - | ![]() | 9286 | 0.00000000 | Simtek | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | STK14D88 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | W988D6FBGX7I TR | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W988D6FBGX7ITR | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | NDL28PFR-8KIT | - | ![]() | 6555 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | NDL28 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(7.5x10.5) | - | 到达不受影响 | 1982-NDL28PFR-8KIT | Ear99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:c | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F16G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 非易失性 | 16Gbit | 闪光 | 2G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | 7024S25PFG | - | ![]() | 6213 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7024S25 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7024S25PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | IS61LV12816L-10LQLI-TR | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-LQFP | IS61LV12816 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-LQFP(10x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 4.6134 | ![]() | 3125 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 8-sop | - | 865-MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 95 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 9 ns | 框架 | 128K x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | W25Q128FVBIG | - | ![]() | 4854 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 50µs,3ms | ||||
![]() | S29GL512S11DHI010 | 5.1600 | ![]() | 5033 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL512S11DHI010 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | GD5F2GQ5REYIHY | 3.9138 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5REYIHY | 4,800 | 80 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 11 ns | 闪光 | 512m x 4 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 600µs | ||||||||
![]() | MT29F1T08GBLCEJ4-QM:c tr | 19.5450 | ![]() | 2887 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F1T08GBLCEJ4-QM:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | W948V6KBHX5E | 2.1391 | ![]() | 1769年 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | W948V6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.9V | 60-vfbga(8x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W948V6KBHX5E | Ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | lvcmos | 15ns | ||
![]() | SM662GXE-BES | 99.2300 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | SM662 | Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-sm662gxe-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 640Gbit | 闪光 | 80g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | S34ML02G100TFI000 | - | ![]() | 3233 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2832-S34ML02G100TFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 192 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | NDS73PT9-20AT | 3.9768 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS73PT9-20AT | 108 | ||||||||||||||||||||
![]() | AS6C8016B-55BIN | 5.8702 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | AS6C8016 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS6C8016B-55BIN | Ear99 | 8542.32.0041 | 300 | ||||||||||||||||
![]() | W66CQ2NQUAHJ TR | 6.6750 | ![]() | 3310 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | W66CQ2 | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-WFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W66CQ2NQUAHJTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18NS | ||
![]() | MT42L128M64D2LL-18 wt:a | - | ![]() | 9451 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 216-WFBGA | MT42L128M64 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 216-fbga(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR | 16.7100 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53IT.112TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | M30042040108x0Pway | 14.5624 | ![]() | 6896 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | M30042040108 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 800-M30042040108X0PWAY | Ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 内存 | 1m x 4 | - | - | ||||
W25Q80BVZPAG | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.5V〜3.6V | 8-wson(6x5) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q80BVZPAG | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,3ms | |||||
![]() | MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:c tr | 60.5400 | ![]() | 1980 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 7024S35PFI | - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7024S35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 64kbit | 35 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 35ns | |||||
![]() | IDT71V547S100PF | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V547 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V547S100PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 易挥发的 | 4.5mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F1G16ABBFAH4-IT:f | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT:f | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - |
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