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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
CY62138CV30LL-55BVI	1.3400	RFQ	7166	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-vfbga	CY62138	sram-异步	2.7V〜3.3V	36-vfbga（6x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
W25Q32JVZEJM	-	RFQ	1704年	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
IS65WV102416EBLL-55BLA3	9.6935	RFQ	6435	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS65WV102416EBLL-55BLA3			480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
MT40A512M8SA-062E：f tr	8.3250	RFQ	7717	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载				557-MT40A512M8SA-062E：ftr			2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
709099l7pf	-	RFQ	4199	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709099L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	6		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	128K x 8	平行线	-
MT53E1G16D1Z42NWC1	18.5900	RFQ	4472	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E1G16D1Z42NWC1			1
CY7C1414AV18-200BZC	-	RFQ	3703	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1414	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
R1LV0816ASB-7SI ＃B0	-	RFQ	3168	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	R1LV0816A	SRAM	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	8mbit	70 ns	SRAM	512k x 16	平行线	70NS
IS43LQ16128AL-062BLI	-	RFQ	2173	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16128AL-062BLI			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
M30162040108x0Pway	44.9063	RFQ	1632年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M30162040108	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30162040108X0PWAY	Ear99	8542.32.0071	225	108 MHz	非易失性	16mbit		内存	4m x 4	-	-
MX66UW2G345GXRI00	27.0600	RFQ	4223	大元	-	托盘	积极的								-		3（168））		1092-MX66UW2G345GXRI00			480
MT29F1T08EELEEJ4-QA：e tr	26.4750	RFQ	8139	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08EELEEJ4-QA：ETR			2,000
S25FL512SDSMFM010	13.9500	RFQ	476	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-s	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	240	80 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
mtfc4glgdq-ait a	9.2611	RFQ	7047	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	mtfc4glgdq-aita	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
CY7C1011DV33-10BVIT	-	RFQ	1972	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1011	sram-异步	3v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
71V25761S200PFG8	12.0407	RFQ	1114	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT53E512M64D4NW-046 wt：e	-	RFQ	3946	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53E512	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-					过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT28EW512ABA1LPN-0SIT	-	RFQ	4436	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-VFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,560		非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
AT27C2048-90JU-T	6.3450	RFQ	7247	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	44-LCC（j-lead）	AT27C2048	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	44-PLCC （16.6x16.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	500		非易失性	2Mbit	90 ns	EPROM	128K x 16	平行线	-
CY62256VNLL-70ZC	0.6700	RFQ	897	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY62256	sram-异步	2.7V〜3.6V	28-tsop i	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
gd25q16ctegr	1.2500	RFQ	14	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	GD25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	120 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
71V65703S80BG8	26.1188	RFQ	2202	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
70V657S12BC	137.7917	RFQ	4959	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70v657	sram-双端口，异步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6		易挥发的	1.125Mbit	12 ns	SRAM	32k x 36	平行线	12ns
70V05S15J	-	RFQ	5200	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	70V05S	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	8k x 8	平行线	15ns
MT53D1024M32D4DT-046 AAT：d	-	RFQ	2010	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
CY62147EV30LL-45B2XI	6.9400	RFQ	4817	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62147	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
W74m00avsnig tr	0.8263	RFQ	2752	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W74M00AVSNIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	80 MHz	非易失性	-		闪光		-	-
7007L55PFI8	-	RFQ	9659	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7007L55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
IS43DR16320D-3DBLI-TR	5.2500	RFQ	8856	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43TR16128D-107MBL-TR	4.2567	RFQ	2092	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16128D-107MBL-TR			1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²