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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT29F4G01AAADDHC-IT:d | - | ![]() | 5067 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABADAH4:d | - | ![]() | 5540 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
MT29F4G08ABAEAWP:e | - | ![]() | 2915 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | |||||
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![]() | MT29F64G08AKABAC5:b | - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-vlga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 52-vlga(18x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29F64G08CECCBH1-12IT:c | - | ![]() | 8284 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||
MT41J128M16HA-15E AIT:d | - | ![]() | 2558 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT41J256M8HX-15E AIT:d | - | ![]() | 8938 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-fbga(9x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||
MT41K256M16RE-15E IT:d | - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT41K256M8DA-15E:m | - | ![]() | 1744年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT42L128M64D4LC-25 IT:a | - | ![]() | 8498 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 240-VFBGA | MT42L128M64 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 240-fbga(14x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT42L128M64D4LC-3 IT:a | - | ![]() | 5527 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 240-VFBGA | MT42L128M64 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 240-fbga(14x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT42L64M32D1KL-25 IT:a | - | ![]() | 9878 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT42L64M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 168-FBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT46V128M4P-5B:J。 | - | ![]() | 1789年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 128m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
MT46V16M16CY-5B:m | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT46V32M8P-5B L:m | - | ![]() | 6925 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
MT46V64M8CY-5B L:J。 | - | ![]() | 6377 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT46V64M8P-5B L IT:J。 | - | ![]() | 6817 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,080 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
MT47H64M8JN-25E IT:G | - | ![]() | 3165 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
MT47H64M8JN-25E:G。 | - | ![]() | 2160 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT49H16M18SJ-25:b | - | ![]() | 5356 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | MT49H16M36BM-25:b | - | ![]() | 1757年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT49H32M18FM-25:b | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | W25Q64FVSSIG | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 50µs,3ms | |||
![]() | W29GL128CH9B | - | ![]() | 4636 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | W29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-LFBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 非易失性 | 128mbit | 90 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 90NS | |||
![]() | W9816G6IH-6 | - | ![]() | 6322 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | W9816G6 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | W9816G6IH6 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |
![]() | W972GG6JB-3I | - | ![]() | 8266 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | W972GG6JB3I | Ear99 | 8542.32.0032 | 144 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns |
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