- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
内存（（70500）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 | sic可编程 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1G16ABBDAH4-IT：d | - |  | 9857 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga（9x11） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||||
| MT29F1G16ABBDAHC：d | - | | 1855年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga（10.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||||
| MT29F1G16ABBDAHC-IT：d | - | | 4780 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga（10.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||||
 | MT29F256G08CJAAWP：A。 | - | | 4452 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | MT29F256G08 | Flash -nand （MLC） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | Q9135013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||||
 | MT29F256G08CMAAAAAC5：a | - | | 1251 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 52-vlga | MT29F256G08 | Flash -nand （MLC） | 2.7V〜3.6V | 52-vlga（18x14） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||||
| MT29F2G01AAAEDH4-IT：e | - | | 7181 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga（9x11） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 2G x 1 | spi | - | |||||
 | MT29F2G08ABAEAWP：e | 3.8500 | | 4 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||||
| MT29F2G08ABBEAHC：e | - | | 1730 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga（10.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||||
 | SST39VF801C-70-4I-B3KE-T | 2.0850 | | 4964 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST39 MPF™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-TFBGA | SST39VF801 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 16 | 平行线 | 10µs | ||||
 | SST39VF801C-70-4I-EKE-T | 2.9550 | | 5396 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST39 MPF™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | SST39VF801 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 16 | 平行线 | 10µs | ||||
| SST39VF802C-70-4C-EKE-T | 2.9550 | | 3042 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST39 MPF™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | SST39VF802 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 16 | 平行线 | 10µs | ||||
 | R1LP5256ESA-5SI ＃B0 | - | | 4815 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度） | R1LP5256 | SRAM | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | R1LP5256ESA5SIB0 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | |||
 | R1LV0208BSA-7SI ＃B0 | - | | 1490 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm）） | R1LV0208 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
 | R1LV0216BSB-5SI ＃B0 | - | | 2250 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度） | R1LV0216 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
| R1LV0216BSB-7SI ＃B0 | - | | 9252 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度） | R1LV0216 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||
| R1LV0808ASB-5SI ＃B0 | - | | 3833 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度） | R1LV0808A | SRAM | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
 | R1LV0816ABG-7SI ＃B0 | - | | 2742 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-TFBGA | R1LV0816A | SRAM | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA（7.5x8.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
| R1LV0816ASB-7SI ＃B0 | - | | 3168 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度） | R1LV0816A | SRAM | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
| R1LV5256ESA-7SR ＃B0 | - | | 5372 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度） | R1LV5256 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
 | R1LV5256ESP-7SI ＃B0 | - | | 1480 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 28-Soic（0.330英寸，8.40mm宽度） | R1LV5256 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
| R1LV5256ESP-7SR ＃B0 | - | | 5810 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 28-Soic（0.330英寸，8.40mm宽度） | R1LV5256 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
 | 93LC46BT-I/MNY | 0.3600 | | 5599 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93LC46 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | 微线 | 6ms | ||||
| 93AA56CT-I/MNY | 0.3900 | | 9201 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93AA56 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8，128 x 16 | 微线 | 6ms | ||||
| 93c56at-i/mny | 0.3900 | | 1452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93c56a | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | 微线 | 2ms | ||||
| 93AA66BT-I/MNY | 0.4050 | | 1691年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93AA66 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 256 x 16 | 微线 | 6ms | ||||
| 93lc66bt-i/mny | 0.4050 | | 9784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93LC66 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 256 x 16 | 微线 | 6ms | ||||
| 93AA86CT-I/MNY | 0.6300 | | 3895 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93AA86 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8，1k x 16 | 微线 | 5ms | ||||
| MT29F2G16ABAEAWP-IT：e | - | | 4693 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | MT29F2G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | - | |||||
| MT29F2G16ABBEAH4：e | - | | 5281 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga（9x11） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | - | |||||
 | MT29F32G08AECBBH1-12：b | - | | 7716 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 100-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga（12x18） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）