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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
MTFC4GMDEA-R1 IT Micron Technology Inc. MTFC4GMDEA-R1 IT -
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ECAD 9716 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,520 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
AT25DF021-SSHF-B Microchip Technology AT25DF021-SSHF-B -
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ECAD 1992 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AT25DF021 闪光 2.3v〜3.6V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 7µs,5ms
IS62WV5128EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55BI-TR -
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ECAD 2685 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 1.65V〜2.2V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
W25Q128JWEIQ TR Winbond Electronics W25Q128JWEIQ TR 1.5488
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 W25Q128 闪光灯 -也不 1.7V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q128JWEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 - ,3ms
AS4C64M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BCN 4.4684
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ECAD 1884年 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TA) 表面安装 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1431 Ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 易挥发的 512Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 8 平行线
IS25WQ020-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JKLE-TR -
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ECAD 5953 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25WQ020 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 1ms
IS25WP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3-Tr 4.7898
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ECAD 2549 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP256E-RHLA3-Tr 2,500 166 MHz 非易失性 256Mbit 5.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075:E TR 6.0000
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ECAD 9675 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
UPD46184362BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc upd46184362bf1-e40-eq1-a 42.0700
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ECAD 467 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1
AS4C256M16D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BANTR -
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ECAD 6750 0.00000000 联盟记忆,Inc。 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(13.5x9) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
7142LA55J8 Renesas Electronics America Inc 7142LA55J8 -
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ECAD 6306 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-lcc(j-lead) 7142LA sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 400 易挥发的 16kbit 55 ns SRAM 2k x 8 平行线 55ns
CY7C1386B-167BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1386B-167BGC 15.8400
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ECAD 100 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA CY7C1386 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 18mbit 3.4 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
CY14B101Q2-LHXI Infineon Technologies CY14B101Q2-LHXI 13.5100
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ECAD 6199 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 CY14B101 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 308 40 MHz 非易失性 1Mbit NVSRAM 128K x 8 spi -
W25M02GVZEIG Winbond Electronics W25M02GVZEIG -
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ECAD 9619 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 W25M02 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W25M02GVZEIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 非易失性 2Gbit 7 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
MT40A512M8Z90BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M8Z90BWC1 -
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ECAD 9430 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 MT40A512 - 过时的 1
MT40A512M16LY-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AIT:e 9.2250
RFQ
ECAD 6447 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT40A512M16LY-062EAIT:e Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
24LC16BT-I/MNY Microchip Technology 24lc16bt-i/mny 0.4400
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ECAD 3706 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 24LC16B EEPROM 2.5V〜5.5V 8-tdfn (2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 非易失性 16kbit 900 ns EEPROM 2k x 8 i²c 5ms
MT41K1G4RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G4RG-107:n -
RFQ
ECAD 7526 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K1G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(7.5x10.6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 4 平行线 -
S25FL064LABBHB020 Nexperia USA Inc. S25FL064LABBHB020 -
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ECAD 4616 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S25FL064LABBHB020 1
7005L35JG Renesas Electronics America Inc 7005L35JG -
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ECAD 6068 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 7005L35 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) - 800-7005L35JG 过时的 1 易挥发的 64kbit 35 ns SRAM 8k x 8 平行线 35ns
SST25PF040B-80-4C-S2AE Microchip Technology SST25PF040B-80-4C-S2AE -
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ECAD 5528 0.00000000 微芯片技术 SST25 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) SST25PF040 闪光 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 90 80 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 10µs
S-34C04AB-A8T3U5 ABLIC Inc. S-34C04AB-A8T3U5 0.5000
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ECAD 8204 0.00000000 Ablic Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -20°C〜125°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 S-34C04 EEPROM 1.7v〜3.6V 8-DFN(2x3) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 4Kbit EEPROM 512 x 8 i²c 5ms
PCA8581CT/6,118 NXP USA Inc. PCA8581CT/6,118 -
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ECAD 3826 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PCA85 EEPROM 2.5V〜6.0V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 100 kHz 非易失性 1kbit EEPROM 128 x 8 i²c 10ms
IS43LD32640B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18Bli-Tr 11.0850
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ECAD 5098 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD32640 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 533 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
CT32G4RFD424A.36FB1-C ProLabs CT32G4RFD424A.36FB1-C 120.0000
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ECAD 1364 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-CT32G4RFD424A.36FB1-C Ear99 8473.30.5100 1
A5556100-C ProLabs A5556100-C 37.0000
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-A5556100-C Ear99 8473.30.5100 1
71016NS12PH Renesas Electronics America Inc 71016NS12PH -
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ECAD 1618年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 上次购买 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II - 800-71016NS12PH 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
MX25U25643GZ4I00 Macronix MX25U25643GZ4I00 3.0448
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ECAD 6317 0.00000000 大元 MXSMIO™ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(8x6) - 3(168)) 1092-MX25U25643GZ4I00 480 133 MHz 非易失性 256Mbit 8 ns 闪光 64m x 4,128m x 2,256m x 1 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,3ms
CY7C1415BV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1415BV18-250BZI 54.5600
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ECAD 744 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1415 Sram-同步,QDR II 1.7V〜1.9V 165-fbga(15x17) 下载 Rohs不合规 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 - 未行业行业经验证
24LC02BHT-E/MS Microchip Technology 24LC02BHT-E/MS 0.4350
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ECAD 3240 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) 24LC02BH EEPROM 2.5V〜5.5V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 非易失性 2kbit 900 ns EEPROM 256 x 8 i²c 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库