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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MTFC4GMDEA-R1 IT | - | ![]() | 9716 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-WFBGA | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-WFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | AT25DF021-SSHF-B | - | ![]() | 1992 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT25DF021 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 50 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi | 7µs,5ms | ||||
![]() | IS62WV5128EALL-55BI-TR | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | W25Q128JWEIQ TR | 1.5488 | ![]() | 7155 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q128JWEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - ,3ms | |||
![]() | AS4C64M8D3L-12BCN | 4.4684 | ![]() | 1884年 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TA) | 表面安装 | 78-VFBGA | AS4C64 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1431 | Ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 800 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | |||
![]() | IS25WQ020-JKLE-TR | - | ![]() | 5953 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25WQ020 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,500 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi | 1ms | ||||
![]() | IS25WP256E-RHLA3-Tr | 4.7898 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP256E-RHLA3-Tr | 2,500 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 5.5 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||
MT40A1G8SA-075:E TR | 6.0000 | ![]() | 9675 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | upd46184362bf1-e40-eq1-a | 42.0700 | ![]() | 467 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
AS4C256M16D3B-12BANTR | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA(13.5x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | 7142LA55J8 | - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 7142LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 易挥发的 | 16kbit | 55 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | CY7C1386B-167BGC | 15.8400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1386 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.4 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CY14B101Q2-LHXI | 13.5100 | ![]() | 6199 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 308 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | NVSRAM | 128K x 8 | spi | - | ||||
![]() | W25M02GVZEIG | - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25M02 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25M02GVZEIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||
![]() | MT40A512M8Z90BWC1 | - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | MT40A512 | - | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT40A512M16LY-062E AIT:e | 9.2250 | ![]() | 6447 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(7.5x13.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT40A512M16LY-062EAIT:e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 24lc16bt-i/mny | 0.4400 | ![]() | 3706 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 24LC16B | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT41K1G4RG-107:n | - | ![]() | 7526 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(7.5x10.6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 4 | 平行线 | - | |||
![]() | S25FL064LABBHB020 | - | ![]() | 4616 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL064LABBHB020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 7005L35JG | - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7005L35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005L35JG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 35ns | |||||||
![]() | SST25PF040B-80-4C-S2AE | - | ![]() | 5528 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST25 | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | SST25PF040 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 80 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 10µs | |||||
![]() | S-34C04AB-A8T3U5 | 0.5000 | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -20°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | S-34C04 | EEPROM | 1.7v〜3.6V | 8-DFN(2x3) | - | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | PCA8581CT/6,118 | - | ![]() | 3826 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | PCA85 | EEPROM | 2.5V〜6.0V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 100 kHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 10ms | ||||
![]() | IS43LD32640B-18Bli-Tr | 11.0850 | ![]() | 5098 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD32640 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CT32G4RFD424A.36FB1-C | 120.0000 | ![]() | 1364 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-CT32G4RFD424A.36FB1-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | A5556100-C | 37.0000 | ![]() | 8274 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A5556100-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71016NS12PH | - | ![]() | 1618年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | - | 800-71016NS12PH | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||
MX25U25643GZ4I00 | 3.0448 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(8x6) | - | 3(168)) | 1092-MX25U25643GZ4I00 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 8 ns | 闪光 | 64m x 4,128m x 2,256m x 1 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,3ms | ||||||||
![]() | CY7C1415BV18-250BZI | 54.5600 | ![]() | 744 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1415 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 24LC02BHT-E/MS | 0.4350 | ![]() | 3240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | 24LC02BH | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms |
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