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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MX29F040CTI-70G	4.3700	RFQ	10	大元	MX29F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	MX29F040	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
AS4C64M8D3-12BIN	4.8188	RFQ	8635	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TA）	表面安装	78-VFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1430	Ear99	8542.32.0028	242	800 MHz	易挥发的	512Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 8	平行线
CY62167DV30LL-55ZXI	17.6700	RFQ	63	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	CY62167	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载							17		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns	未行业行业经验证
IS61DDB41M36A-300M3LI	-	RFQ	2884	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB41	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	105	300 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
AS7C34098B-10BAN	5.2554	RFQ	2315	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-LFBGA		sram-异步	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS7C34098B-10BAN	3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
R1EX24004ATAS0A ＃S0	0.8200	RFQ	42	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	R1EX24004	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	不适用				Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
GS8662D18BGD-400I	194.5700	RFQ	15	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8662D	sram-四边形端口，同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8662D18BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
S29GL512S10TFI020	9.1200	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	GL-S	条	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL512S10TFI020			55		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns	未行业行业经验证
AS4C256M16D3LC-10BAN	14.6900	RFQ	209	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C256M16D3LC-10BAN	Ear99	8542.32.0036	209	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS42VM32400E-75BLI-TR	-	RFQ	5365	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
7132LA55P	-	RFQ	1231	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7132LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	7		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
BR25H040FVM-2CTR	0.5700	RFQ	7839	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	BR25H040	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	4ms
CAT28LV64GI-25T	-	RFQ	8605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28LV64	EEPROM	3v〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载		3（168））	到达不受影响	28LV64GI-25T	Ear99	8542.32.0051	500		非易失性	64kbit	250 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	5ms
S25FL256SAGNFM000	8.9250	RFQ	4589	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	676	133 MHz	非易失性	256Mbit	6.5 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	750µs
4ZC7A08701-C	29.5000	RFQ	4285	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4ZC7A08701-C	Ear99	8473.30.5100	1
H26M52208FPRI	-	RFQ	7984	Netlist Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-BGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-fbga（11.5x13）	-	Rohs符合条件	3（168））	到达受影响	2655-H26M52208FPRITR	Ear99	8542.32.0051	1	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
70v9179l9pf8	-	RFQ	3589	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9179	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	288kbit	9 ns	SRAM	32k x 9	平行线	-
J9P81AA-C	122.5000	RFQ	3904	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-J9P81AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
W979H2KBQX2E	-	RFQ	6304	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	W979H2	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	168	400 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
R1LV1616HSA-4SI ＃S1	-	RFQ	5209	Renesas Electronics America Inc	R1LV1616HSA-I	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	R1LV1616H	sram-异步	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	559-R1LV1616HSA-4SI ＃S1TR	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	1m x 16,2m x 8	平行线	45ns
C-2933D4SR8S/8G	91.2500	RFQ	6807	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2933D4SR8S/8G	Ear99	8473.30.5100	1
M95020-RMN6TP	0.3000	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M95020	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
MT41K512M16HA-107 IT：a	-	RFQ	3593	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-MT41K512M16HA-107IT：a	Ear99	8542.32.0036	170	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS42S32200L-6TL	3.0525	RFQ	5867	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS42S32800B-6BL	-	RFQ	5812	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
CAT93C46RBHU4IGT3	-	RFQ	7075	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	CAT93C46	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn-ep（2x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8542.32.0051	3,000	4 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	-
MT29F1T08GBLCEJ4：c	19.5450	RFQ	1970年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F1T08GBLCEJ4：c			1
H26M64208EMRN	-	RFQ	3405	Netlist Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-BGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-fbga（11.5x13）	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达受影响	2655-H26M64208EMRNTR	Ear99	8542.32.0051	1	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC_5.1	-
BR93G76FVM-3BGTTR	0.2565	RFQ	8633	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	BR93G76	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
W631GG6KB-11 tr	-	RFQ	6437	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-WBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²