SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
S34ML02G104BHB013 SkyHigh Memory Limited S34ML02G104BHB013 -
RFQ
ECAD 1421 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 S34ML02 - Rohs符合条件 3(168)) 2120-S34ML02G104BHB013 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 未行业行业经验证
CY7C1470V33-200ACES Cypress Semiconductor Corp CY7C1470V33-200 -
RFQ
ECAD 4038 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 NOBL™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C1470 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-TQFP(14x20) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 72Mbit 3 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS34ML02G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI-TR 4.8842
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS34ML02 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Gbit 25 ns 闪光 256m x 8 平行线 25ns
IS43LR32800H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BL-Tr 4.4761
RFQ
ECAD 8721 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR32800H-6BL-TR 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 lvcmos 15ns
W25Q128FVTIQ Winbond Electronics W25Q128FVTIQ -
RFQ
ECAD 2452 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) W25Q128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 50µs,3ms
IDT71V3577S75PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3577S75PF8 -
RFQ
ECAD 1672年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IDT71V3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V3577S75PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
MX29LV800CBXEI-70G Macronix MX29LV800CBXEI-70G 2.2144
RFQ
ECAD 6335 0.00000000 大元 MX29LV 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA,CSPBGA MX29LV800 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-LFBGA,CSP (6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 480 非易失性 8mbit 70 ns 闪光 1m x 8 平行线 70NS
W632GG8NB-11 TR Winbond Electronics W632GG8NB-11 tr 4.2018
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W632GG8NB-11TR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 SSTL_15 15ns
647893-B21-C ProLabs 647893-B21-C 37.5000
RFQ
ECAD 5395 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-647893-B21-C Ear99 8473.30.5100 1
IS64LPS204818B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS204818B-166TQLA3 132.3258
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS64LPS204818 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 易挥发的 36mbit 3.8 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
CY7C1347G-166AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1347G-166AXI 6.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C1347 sram-同步,sdr 3.15v〜3.6V 100-TQFP(14x20) - rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 50 166 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 - 未行业行业经验证
S99ML01G10042 SkyHigh Memory Limited S99ML01G10042 -
RFQ
ECAD 5709 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - 大部分 在sic中停产 S99ML01 - 供应商不确定 2120-S99ML01G10042 0000.00.0000 96 未行业行业经验证
SNP61H6HC/4G-C ProLabs SNP61H6HC/4G-C 25.0000
RFQ
ECAD 1801年 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-SNP61H6HC/4G-C Ear99 8473.30.5100 1
IS42S16800E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BLI-TR -
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR -
RFQ
ECAD 1477 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 24-TBGA MT35XU02 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 XCCELA巴士 -
MTFC512GAXATAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc512gaxatam-wt tr 54.1800
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(slc) - 153-VFBGA(11.5x13) - 557-MTFC512GAXATAM-WTTR 2,000 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 UFS -
K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. K4A4G085WE-BCRC 4.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 三星半导体公司 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 供应商不确定 3277-K4A4G085WE-BCRCTR 250
7130SA25JI Renesas Electronics America Inc 7130SA25JI -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 52-lcc(j-lead) 7130SA sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) 下载 Rohs不合规 3(168)) Ear99 8542.32.0041 24 易挥发的 8kbit 25 ns SRAM 1k x 8 平行线 25ns
MT53E768M64D4HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 wt:b tr 36.0000
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT:BTR 2,000
W632GU6KB11I Winbond Electronics W632GU6KB11I -
RFQ
ECAD 7863 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-WBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X:b tr -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
70V657S12DRI Renesas Electronics America Inc 70V657S12DRI -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 208-BFQFP 70v657 sram-双端口,异步 3.15V〜3.45V 208-PQFP(28x28) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 6 易挥发的 1.125Mbit 12 ns SRAM 32k x 36 平行线 12ns
CG8775AF Infineon Technologies CG8775AF -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 485
MT62F3G32D8DV-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AUT:b 109.0500
RFQ
ECAD 2781 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜125°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AUT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
34AA04-I/ST Microchip Technology 34AA04-i/st 0.4100
RFQ
ECAD 460 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) 34AA04 EEPROM 1.7v〜3.6V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 非易失性 4Kbit 350 ns EEPROM 256 x 8 x 2 i²c 5ms
IS42S32800J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TLI 6.4315
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
AS4C64M16D2A-25BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BANTR 5.3250
RFQ
ECAD 9659 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 84-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT29F128G08EBEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP:b tr -
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
THGBMTG5D1LBAIL Kioxia America, Inc. thgbmtg5d1lbail -
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 美国济欧克美国公司 - 托盘 积极的 - 3(168)) 1853- THGBMTG5D1LBAIL 3A991B1A 8542.32.0071 152
IS43DR82560B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBLI -
RFQ
ECAD 5894 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(10.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Q8667869 Ear99 8542.32.0036 100 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库