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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | S34ML02G104BHB013 | - | ![]() | 1421 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | S34ML02 | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 2120-S34ML02G104BHB013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
CY7C1470V33-200 | - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1470 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS34ML02G084-TLI-TR | 4.8842 | ![]() | 1662 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS34ML02 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 2Gbit | 25 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | IS43LR32800H-6BL-Tr | 4.4761 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR32800H-6BL-TR | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | lvcmos | 15ns | ||||||
![]() | W25Q128FVTIQ | - | ![]() | 2452 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 50µs,3ms | ||||
![]() | IDT71V3577S75PF8 | - | ![]() | 1672年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3577S75PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MX29LV800CBXEI-70G | 2.2144 | ![]() | 6335 | 0.00000000 | 大元 | MX29LV | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA,CSPBGA | MX29LV800 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-LFBGA,CSP (6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1m x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | W632GG8NB-11 tr | 4.2018 | ![]() | 9905 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W632GG8NB-11TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | 647893-B21-C | 37.5000 | ![]() | 5395 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-647893-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS64LPS204818B-166TQLA3 | 132.3258 | ![]() | 9494 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS64LPS204818 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.8 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1347G-166AXI | 6.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1347 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | - | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 50 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | S99ML01G10042 | - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 大部分 | 在sic中停产 | S99ML01 | - | 供应商不确定 | 2120-S99ML01G10042 | 0000.00.0000 | 96 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||
![]() | SNP61H6HC/4G-C | 25.0000 | ![]() | 1801年 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNP61H6HC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS42S16800E-7BLI-TR | - | ![]() | 4953 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||
MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR | - | ![]() | 1477 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XU02 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | XCCELA巴士 | - | |||||
![]() | mtfc512gaxatam-wt tr | 54.1800 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(slc) | - | 153-VFBGA(11.5x13) | - | 557-MTFC512GAXATAM-WTTR | 2,000 | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | UFS | - | ||||||||||
![]() | K4A4G085WE-BCRC | 4.5000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 三星半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 3277-K4A4G085WE-BCRCTR | 250 | ||||||||||||||||||||
![]() | 7130SA25JI | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 7130SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 易挥发的 | 8kbit | 25 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 wt:b tr | 36.0000 | ![]() | 9140 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT:BTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
W632GU6KB11I | - | ![]() | 7863 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-WBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F64G08CBCBBH1-10X:b tr | - | ![]() | 5826 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 100 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||
70V657S12DRI | - | ![]() | 6133 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 208-BFQFP | 70v657 | sram-双端口,异步 | 3.15V〜3.45V | 208-PQFP(28x28) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 1.125Mbit | 12 ns | SRAM | 32k x 36 | 平行线 | 12ns | |||||
![]() | CG8775AF | - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 485 | |||||||||||||||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-023 AUT:b | 109.0500 | ![]() | 2781 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AUT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 96Gbit | 德拉姆 | 3G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
34AA04-i/st | 0.4100 | ![]() | 460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 34AA04 | EEPROM | 1.7v〜3.6V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 350 ns | EEPROM | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS42S32800J-6TLI | 6.4315 | ![]() | 2731 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | AS4C64M16D2A-25BANTR | 5.3250 | ![]() | 9659 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | AS4C64 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
MT29F128G08EBEBBWP:b tr | - | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||||||
thgbmtg5d1lbail | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | 美国济欧克美国公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | 3(168)) | 1853- THGBMTG5D1LBAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS43DR82560B-3DBLI | - | ![]() | 5894 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(10.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Q8667869 | Ear99 | 8542.32.0036 | 100 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns |
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